教員情報

竹内 哲也
タケウチ テツヤ
理工学部 材料機能工学科
教授
Last Updated :2019/02/21

基本情報

プロフィール

    男性

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻, 准教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻, 准教授

学歴

  • 1999年03月, 名城大学大学院, 理工学研究科, 電気電子工学専攻博士後期課程, 修了
  • 1999年03月,  

学会

  • 2011年09月, 国際固体素子・材料コンファレンス 実行委員               
  • 2012年10月, 窒化物半導体国際ワークショップ 実行委員                
  • 2013年12月, IEEE membership                             
  • 2014年03月, ISPlasma/IC-PLANTS2014 実行委員                    
  • 2014年06月, 日本結晶成長学会会員                          
  • 2014年12月, 2014 MRS Fall meeting Symposium T: Symposium organizer       

研究活動

研究分野

  • その他, 半導体工学
  • その他, 光デバイス

教育研究への取り組み・抱負

    【教育研究の抱負】・社会に貢献する研究成果を上げる・社会に貢献できる人材を輩出する【そのための取り組み】・本質の理解・総合的判断に必要な知識の習得を促す・上記知識に裏付けられた主体的な行動の実践を促す

著書

  • III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices
    T. Takeuchi. C. Wetzel, H.Amano and l. Akasaki
    Gordon and Breach Science Publishers, New Jersey
    2003年06月
    その他
    Piezoelectric Effect in Group-III Nitride-Based Heterostructures and Quantum Wells(pp399-438)

学術論文

  • Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based light emitting diodes with tunnel junctions
    共著
    Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys
    52, 08JK12
    2013年08月
  • Trench-Shaped Defects on AlGaInN Quantum Wells Grown under Different Growth Pressures
    共著
    T. Suzuki, M. Kaga, K. Naniwae, T. Kitano, K. Hirano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys
    52, 08JB27
    2013年07月
  • Investigations of polarization-induced hole accumulations and vertical hole conductions in GaN/AlGaN heterostructures
    共著
    T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys
    52, 08JJ05
    2013年05月
  • Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two active regions with Mg-doped intermediate layers
    共著
    K. Matsui, K. Yamashita, M. Kaga, T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys
    52, 08JG02
    2013年05月
  • GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes
    共著
    M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys
    52, 08JH06
    2013年05月
  • Al Gettering for InGaAsN in Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    共著
    T. Takeuchi, Y.-L. Chang, M.Leary, D. Mars, H.-C. Luan, S.D. Roh,L. Mantese, Y.K. Song, A, Tandon, R・Twist, S. Belov, D. Bour, M. Tan
    Jpn. J. Appl. Phys.
    43, L1085 , L1087
    2004年07月
  • GaN-Based Light Emitting Diodes with Tunnel Junctions
    共著
    T. Takeuchi, G. Hasnain,S. Corzine, M. Hueschen, R.P.Schneider, Jr., C. Kocot, M. Blomqvist,Y.-L. Chang, D. Lefforge,M.R. Krames, L.W. Cook and S.A.Stockman
    Jpn.J. Appl. Phys.
    40, L861 , L863
    2001年08月
  • Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
    共著
    T. Takeuchu H. Amano andI. Akasaki
    Jpn. J. Appl. Phys.
    39, 413, 416
    2000年02月
  • Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect
    共著
    T. Takeuchi. C. Wetzel , S.Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano,I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa,Y. Yamaoka and N. Yamada
    Appl. Phys. Lett.
    73, 1691, 1693
    1998年09月

講演・口頭発表等

  • 窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用
    共著
    竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    2013年06月
  • キャリアオーバーフロー抑制に向けたnp接合GaInN-LED
    共著
    竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第86回研究会
    2013年10月
  • An alternative hole injection: Nitride-based tunnel junctions
    共著
    T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    International conference on metamaterials and nanophysics 2014
    2014年04月
  • Nitride-based optoelectronic devices utilizing tunnel junctions
    共著
    T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices
    2014年08月
  • Nitride-based tunnel junctions as an alternative hole injection
    共著
    T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    International workshop on nitride semiconductors 2014
    2014年08月
  • Laser Illuminations: Prospects of Blue VCSELs
    共著
    T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    LED JAPAN Strategies in Light 2014
    2014年10月


Copyright © 2019. Meijo University, All Rights Reserved.