岩谷 素顕 イワヤ モトアキ

■所属
理工学部 材料機能工学科
■職名
准教授
■性別
男性

基本情報

通称などの別名

  • 氏名:岩谷 素顕
  • ローマ字:IWAYA Motoaki
  • フリガナ:イワヤ モトアキ

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻 准教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻 准教授

学歴

  • 2003/03 名城大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻博士後期課程 修了
  • 2003/03- 

現在所属している学会

  • 応用物理学会
  • SPIE Regular Member                 
  • Material Research Society Member        
  • 日本結晶成長学会

研究活動

研究分野

  • 半導体工学・半導体デバイス・結晶工学
  • 電子デバイス・電子機器
  • 応用物性・結晶工学
  • 機能材料・デバイス

研究キーワード

  • 窒化物半導体
  • LED
  • 半導体レーザ
  • 太陽電池
  • 光デバイス

利用分野または製品

  • LED
  • 太陽光発電
  • 環境・エネルギー
  • 情報通信

教育研究への取り組み・抱負

  • 教育においては、電気・電子材料特に半導体材料に関する基礎的な知識を学生に教授するよう心掛けている。また、卒業研究や大学院の特別実験・特別演習においては、学生自身が物事を良く考え、自ら実践できるよう、環境を整えることに対して注意し、指導を行っている。また、研究活動に対しては、社会貢献を常に意識し、常に活動をしている。特に現在取り組んでいるのは、グリーン・イノベーションの一翼を担うような新機能デバイスの創生をめざし研究を推進している。

著書

  • タイトル : MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム
    著者 : 岩谷素顕
    出版社 : サイエンスアンドテクノロジー
    出版年月 : 2012年
    担当範囲 : 『GaNパワーデバイスの技術展開』
  • タイトル : 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
    著者 : 岩谷素顕、川島毅士、飯田大輔、千田亮太、上山智、天野浩、赤﨑勇
    出版社 : CMC出版
    出版年月 : 2009年
    担当範囲 : 『m面SiC基板上への非極性窒化物半導体の結晶成長』
  • タイトル : Nitrides with Nonpolar Surfaces
    著者 : H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    出版社 : Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, Weinheim, Germany
    出版年月 : 2008年11月
    担当区分 : 共著
    担当範囲 : 『Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga,In)N films on lattice-mismatched substrates』

学術論文

  • タイトル : 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術
    担当区分 : 共著
    著者 : 岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    誌名 : OPTRONICS
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (9月) :
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス
    担当区分 : 共著
    著者 : 岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : OPTRONICS
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (9月) : 136 - 141
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : 窒化物半導体による紫外発光デバイス
    担当区分 : 共著
    著者 : 上山智、岩谷素顕、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : 未来材料
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (8月) : 2 - 5
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : 高効率AlGaN系紫外発光素子
    担当区分 : 共著
    著者 : 岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : 名城大学理工学部研究報告
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (44) : 25 - 28
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : (学内紀要論文)III族窒化物半導体結晶成長における応力と貫通転位の制御
    担当区分 : 共著
    著者 : 天野浩、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    誌名 : 名城大学総合研究所紀要
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (7) : 69 - 73
    出版年月 : 2002年03月
  • タイトル : (学内紀要論文)窒化物半導体の低転位化技術と高効率紫外発光ダイオードへの応用
    担当区分 : 共著
    著者 : 上山智、天野浩、赤﨑勇: 岩谷素顕
    誌名 : 名城大学理工学部研究報告
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (42) : 1 - 5
    出版年月 : 2002年01月
  • タイトル : (特集記事)高効率紫外発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    著者 : 上山智、岩谷素顕、寺尾真二、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : 月刊ディスプレイ
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (37104.0) : 13 - 17
    出版年月 : 2001年08月
  • タイトル : (特集記事)単一横モード型GaN系半導体レーザ
    担当区分 : 共著
    著者 : 上山智, 佐藤敏幸、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑勇
    誌名 : 月刊オプトロニクス
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : (1月) : 68 - 73
    出版年月 : 2000年10月
  • タイトル : Analysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth
    担当区分 : 共著
    著者 : Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Toru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    誌名 : Physica Status Solidi RRL
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 7211 - 214
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity
    担当区分 : 共著
    著者 : Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    誌名 : Physica Status Solidi RRL
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 7215 - 217
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : White light-emitting diode based on fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, Rositza Yakimova, and Mikael Syväjärvi
    誌名 : Thin Solid Films
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 52223 - 25
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Correlation between Device Performance and Defects in GaInN-Based Solar Cells
    担当区分 : 共著
    著者 : Mikiko Mori, Shinichiro Kondo, Shota Yamamoto, Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5082301 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates
    担当区分 : 共著
    著者 : Kouta Yagi, Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Kenichirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51051001 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Shun Ito, Hiroki Aoshima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51042101 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Epitaxial Indium Tin Oxide Film Deposited on Sapphire Substrate by Solid-Source Electron Cyclotron Resonance Plasma
    担当区分 : 共著
    著者 : Satoru Kaneko, Hironori Torii, Masayasu Soga, Kensuke Akiyama, Motoaki Iwaya, Mamoru Yoshimoto, and Takao Amazawa
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5101AC02 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Properties of nitride-based photovoltaic cells under concentrated light illumination
    担当区分 : 共著
    著者 : Shota Yamamoto, Mikiko Mori, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Tatsuo Nakao, Shinichiro Kondo, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6145 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Enhancement of two-dimensional electron gases in AlGaN-channel high-electron-mobility transistors with AlN barrier layers
    担当区分 : 共著
    著者 : Shin Hashimoto, Katsushi Akita, Yoshiyuki Yamamoto, Masaki Ueno, Takao Nakamura, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 209501 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9942 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka and Y. Mori
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9875 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Growth of GaN and AlGaN on (100) β-Ga2O3 substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Shun Ito, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hiroki Aoshima, Kosuke Takehara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9519 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Hiroki Aoshima, Kenichiro Takeda, Kosuke Takehara, Shun Ito, Mikiko Mori, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9753 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Inazu, Tetsuhiko; Fukahori, Shinya; Pernot, Cyril; Kim, Myung Hee; Fujita, Takehiko; Nagasawa, Yosuke; Hirano, Akira; Ippommatsu, Masamichi; Iwaya, Motoaki; Takeuchi, Tetsuya; Kamiyama, Satoshi; Yamaguchi, Masahito; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 50122101 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : その場観察X 線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長
    担当区分 : 共著
    著者 : 飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38227 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Myunghee Kim, Takehiko Fujita, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Cyril Pernot, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4092102 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Shota Yamamoto, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4101001 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Fe-Doped GaN Substrates with High Breakdown Voltage
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 50084102 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Growth of AlGaN/GaN heterostructure on vicinal m-plane free-standing GaN substrates prepared by the Na flux method
    担当区分 : 共著
    著者 : Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka and Yusuke Mori
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081191 - 1194
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : AlGaN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistor
    担当区分 : 共著
    著者 : Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081614 - 1616
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Low leakage current in AlGaN/GaN HFETs with preflow of Mg source before growth of u-GaN buffer layer
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081607 - 1610
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Development of high efficiency 255–355 nm AlGaN-based light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Cyril Pernot, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Myunghee Kim, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081594 - 1596
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Drain bias stress and memory effects in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82424 - 2426
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Optimization of initial MOVPE growth of non-polar m- and a-plane GaN on Na flux grown LPE-GaN substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82095 - 2097
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : GaInN-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Fujii, Yousuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82463 - 2465
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Injection efficiency in AlGaN-based UV laser diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82384 - 2386
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Growth of AlGaN/GaN heterostructure on vicinal m-plane free-standing GaN substrates prepared by the Na flux method
    担当区分 : 共著
    著者 : Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka and Yusuke Mori
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081191 - 1194
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuhito Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichiro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4052101 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, and Masanobu Azuma
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4045503 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : High-Temperature Operation of Normally Off-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    著者 : Takayuki Sugiyama, Hiroshi Amano, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5001AD03 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : GaInN-Based Solar Cells Using Strained-Layer GaInN/GaInN Superlattice Active Layer on a Freestanding GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Yousuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Yasuhiro Isobe, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4021001 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, Mikael Syväjärvi, and Rositza Yakimova
    誌名 : Journal of Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32013004 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Toru Sugiyama, Yosuke Kuwahara, Yasuhiro Isobe, Takahiro Fujii, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4015701 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Realization of Nitride-Based Solar Cell on Freestanding GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Yasuharu Fujiyama, Tohru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111001 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates
    担当区分 : 共著
    著者 : Zhihao Wu, Kentaro Nonaka, Yohjiro Kawai, Toshiaki Asai, Fernando A. Ponce, Changqing Chen, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111003 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : High efficiency violet to blue light emission in porous SiC produced by anodic method
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72459 - 2462
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Atomic layer epitaxy of AlGaN
    担当区分 : 共著
    著者 : Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72368 - 2370
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : Takayuki Sugiyama, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72419 - 2422
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72382 - 2385
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Daisuke Iida, Kenta Tamura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3123131 - 3135
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth of GaInN by Raised-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Daisuke Iida, Kensuke Nagata, Takafumi Makino, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3075601 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Improved Efficiency of 255–280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3061004 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Defects in highly Mg-doped AlN
    担当区分 : 共著
    著者 : Kentaro Nonaka, Toshiaki Asai, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2071299 - 1301
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Improved Efficiency of 255–280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Kengo Nagata, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2071393 - 1396
    出版年月 : 2010年06月
  • タイトル : AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshinori Oshimura, Kenichiro Takeda, Takayuki Sugiyama, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Akira Bandoh and Takashi Udagawa
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71974 - 1976
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Nitride-based light-emitting solar cell
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71807 - 1809
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth and characterization of GaN grown on moth-eye patterned sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Akihiro Ishihara, Ryousuke Kawai, Thukasa Kitano, Atushi Suzuki, Toshiyuki Kondo, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72056 - 2058
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Threshold voltage control using SiNx in normally off AlGaN/GaN HFET with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71980 - 1982
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Realization of extreme light extraction efficiency for moth-eye LEDs on SiC substrate using high-reflection electrode
    担当区分 : 共著
    著者 : Ryosuke Kawai, Toshiyuki Kondo, Atushi Suzuki, Fumiharu Teramae, Thukasa Kitano, Kenta Tamura, Hisashi Sakurai, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Mark Chen, Alex Li and Kidd Su
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72180 - 2182
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers
    担当区分 : 共著
    著者 : Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoaki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71916 - 1918
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72101 - 2103
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Misfit strain relaxation in m-plane epitaxy of InGaN on ZnO
    担当区分 : 共著
    著者 : Z. H. Wu, K. W. Sun, Q. Y. Wei, A. M. Fischer, F. A. Ponce, Y. Kawai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Appl. Phys. Lett.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 96071909 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Activation energy of Mg in a -plane Ga1-xInxN (0
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2461188 - 1190
    出版年月 : 2009年09月
  • タイトル : High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, T. Ichikawa, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2061199 - 1204
    出版年月 : 2009年09月
  • タイトル : Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki-61004
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2061004 -
    出版年月 : 2009年07月
  • タイトル : InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112929 - 2932
    出版年月 : 2009年05月
  • タイトル : Growth of thick GaInN on grooved (10-1-1) GaN/(10-1-2)4H-SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Matsubara, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112926 - 2928
    出版年月 : 2009年05月
  • タイトル : One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112887 - 2890
    出版年月 : 2009年05月
  • タイトル : Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112860 - 2863
    出版年月 : 2009年05月
  • タイトル : Relaxation and recovery processes of AlxGa1−xN grown on AlN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I.Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112850 - 2852
    出版年月 : 2009年05月
  • タイトル : Activation energy of Mg in Al0.25Ga0.75N and Al0.5Ga0.5N
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I0. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S437 - S439
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S486 - S489
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : Realization of high-crystalline-quality and thick GaInN films
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S502 - S505
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure-field-effect transistor with a p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Miura, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S972 - S975
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : High-reflectivity Ag-based p-type ohmic contacts for blue light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S830 - S832
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0 < x < 0.17)
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2461188 - 1190
    出版年月 : 2009年03月
  • タイトル : Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : A. M. Fischer, Z. Wu, K. Sun, Q. Wei, Y. Huang, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, H. Amano, and F. A. Ponce -41002
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2041002 -
    出版年月 : 2009年01月
  • タイトル : AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 590175 - 210
    出版年月 : 2008年12月
  • タイトル : High hole concentration in Mg-doped α-plane Ga1−xInxN (0
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki-182108
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 93182108 -
    出版年月 : 2008年09月
  • タイトル : Control of p-type conduction in a-plane Ga1-xInxN (0
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3104996 - 4998
    出版年月 : 2008年08月
  • タイトル : Control of stress and crystalline quality in GaInN films used for green emitters
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, A. Miura, R. Senda, T. Nagai, T. Kawashima, D. Iida, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3104920 - 4922
    出版年月 : 2008年08月
  • タイトル : Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53048 - 3050
    出版年月 : 2008年05月
  • タイトル : All MOVPE grown nitride-based LED having sub mm underlying GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Tanaka, J. Ando, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53073 - 3075
    出版年月 : 2008年05月
  • タイトル : InGaN growth on ZnO (0001) substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53023 - 3025
    出版年月 : 2008年05月
  • タイトル : Improvement in crystalline quality of thick GaInN on m-plane 6H-SiC substrates using sidewall epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kawashima, T. Hayakawa, M. R. Senda, A. Miura, T. Kawashima, D. Iida, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53045 - 3047
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : Growth of high-quality thick AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Kato, S. Sato, H. Sugimura, T. Sumii, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, and A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51559 - 1561
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : Microstructure of threading dislocations caused by grain boundaries in AlN on sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bando
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51582 - 1584
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : Nonpolar GaN layers grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth: optical evidences for a reduced stacking fault density
    担当区分 : 共著
    著者 : P. P. Paskov, B. Monemar, D. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51768 - 1770
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : High drain current and low on resistance normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with a p-type GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51906 - 1909
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : Optimization of underlying layer and the device structure for group-III-nitride-based UV emitters on sapphire
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, F. Mori, H. Tsuzuki, Y. Yamashita, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 52142 - 2144
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : Improvement in performance of m-plane GaInN light emitting diode grown on m-plane SiC by sidewall epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kawashima, T. Hayakawa, M. Hayashi, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Kasamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 52145 - 2147
    出版年月 : 2008年03月
  • タイトル : High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagamatsu, N. Okada, H. Sugimura, H. Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3102326 - 2329
    出版年月 : 2008年02月
  • タイトル : Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3102308 - 2313
    出版年月 : 2008年02月
  • タイトル : Realization of low-dislocation-density, smooth surface, and thick GaInN films on m-plane GaN templates
    担当区分 : 共著
    著者 : A. Miura, T. Nagai, R. Senda, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3103308 - 3312
    出版年月 : 2008年02月
  • タイトル : Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Haratizadeh, B. Monemar, Plamen P. Paskov, Per Olof Holtz, E. Valcheva, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2444691 -
    出版年月 : 2007年12月
  • タイトル : Exciton localization behaviour in different well width undoped GaN/Al0.07Ga0.93N nanostructures
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Sabooni, M. Esmaeili, H. Haratizadeh, B. Monemar, P. Paskov, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Opto-Electronics Review
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 15163 - 167
    出版年月 : 2007年12月
  • タイトル : Optical properties of GaN/AlGaN QW nanostructures with different well and barrier widths
    担当区分 : 共著
    著者 : M Esmaeili, M Sabooni, H Haratizadeh, P P Paskov, B Monemar, P O Holz, S Kamiyama and M Iwaya-356218
    誌名 : J. Phys.: Condens. Matter
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19356218 -
    出版年月 : 2007年12月
  • タイトル : Realization of High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Film on 6H-SiC Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Senda, A. Miura, T. Hayakawa, T. Kawashima, D. Iida, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 46L948 - L950
    出版年月 : 2007年11月
  • タイトル : Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 461458 - 1462
    出版年月 : 2007年10月
  • タイトル : 無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用
    担当区分 : 単著
    著者 : 岩谷素顕
    誌名 : 応用物理
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 76513 - 516
    出版年月 : 2007年10月
  • タイトル : Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Haratizadeh, B. Monemar, Plamen P. Paskov, Per Olof Holtz, E. Valcheva, P. Persson, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2441727 - 1734
    出版年月 : 2007年09月
  • タイトル : High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2041848 - 1852
    出版年月 : 2007年09月
  • タイトル : One-step lateral growth for reduction in defect density of a-plane GaN on r -sapphire substrate and its application in light emitters
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, T. Kawashima, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2042005 - 2009
    出版年月 : 2007年09月
  • タイトル : Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42272 - 2276
    出版年月 : 2007年08月
  • タイトル : Mg-doped high-quality AlxGa1-xN (x=0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, N. Kato, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42502 - 2505
    出版年月 : 2007年08月
  • タイトル : Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Okada, M. Imura, T. Nagai, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42528 - 2531
    出版年月 : 2007年08月
  • タイトル : Fabrication of enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42708 - 2811
    出版年月 : 2007年08月
  • タイトル : Reduction in defect density over whole area of (100) m -plane GaN using one-sidewall seeded epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2441848 - 1852
    出版年月 : 2007年07月
  • タイトル : Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 461458 - 1462
    出版年月 : 2007年07月
  • タイトル : Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 46L307 - L310
    出版年月 : 2007年06月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 300141 - 144
    出版年月 : 2007年05月
  • タイトル : Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bando
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 300136 - 140
    出版年月 : 2007年05月
  • タイトル : Photoluminescence study of MOCVD-grown GaN/AlGaN MQW nanostructures: influence of Al composition and Si doping
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Esmaeili, H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, P. Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki(025401)
    誌名 : Nanotechnology
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 18025401 -
    出版年月 : 2007年05月
  • タイトル : Control of threshold voltage of enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 46115 - 118
    出版年月 : 2007年04月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298257 - 260
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298215 - 218
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : Dependence of DAP Emission Properties on Impurity Concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : Satoshi Murata, Yoshihiro Nakamura, Tomohiko Maeda, Yoko Shibata, Mina Ikuta, Masaaki Sugiura, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Masahiro Yoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 556-557335 - 338
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AlxGa1−xN (x>0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298265 - 267
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al0.18Ga0.82N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298261 - 264
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Nagai, T. Kawashima, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298288 - 292
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Okada N. Kato, S. Sato, T. Sumii, T. Nagai, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 298349 - 353
    出版年月 : 2007年02月
  • タイトル : Microstructure of epitaxial lateral overgrown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh-221901
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 89221901 -
    出版年月 : 2006年12月
  • タイトル : High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 458639 - 8643
    出版年月 : 2006年11月
  • タイトル : High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Fujii, N. Tsuyukuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45L1048 - L1050
    出版年月 : 2006年09月
  • タイトル : Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, T. Furusho, M. Yoshimoto, T. Kimoto, J. Suda, A. Henry, I. G. Ivanov, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Onuma and S. F. Chichibu
    誌名 : Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 99093108 -
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2031626 - 1631
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nakano, M. Imura, G. Narita, T. Kitano, Y. Hirose, N. Fujimoto, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2031632 - 1635
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2431524 - 1528
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann and J. Christen
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31392 - 1395
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, T. Furusho, M. Yoshimoto, T. Kimoto, J. Suda, A. Henry, I. G. Ivanov, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Onuma and S. F. Chichibu(93108)
    誌名 : Journal of Applied Physics,
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 99093108 -
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Growth of high-quality AlN at high growth rate by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31617 - 1619
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31888 - 1891
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Light extraction process in moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Kasugai, K. Nagamatsu, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32165 - 2168
    出版年月 : 2006年08月
  • タイトル : Optical signatures of dopants in GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, A. Usui, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Materials Science in Semiconductor Processing
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9168 - 174
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT
    担当区分 : 共著
    著者 : V. Darakchieva, P. P. Paskov, M. Schubert, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : IEICE Trans. Electron.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : E89-C1064 - 1067
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Optical signatures of dopants in GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, A. Usui, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Materials Science in Semiconductor Processing
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9168 - 174
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Thermodynamic aspects of growth of AlGaN by high-temperature metal organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Okada, N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 452502 - 2504
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Anisotropically biaxial strain in a-plane AlGaN on GaN grown on r-plane sapphire
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 452509 - 2513
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45L319 - L321
    出版年月 : 2006年03月
  • タイトル : Improvement in light extraction efficiency in group III nitride-based light-emitting diodes using moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Thin Solid Films
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 515768 - 770
    出版年月 : 2006年07月
  • タイトル : Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, A. Honshio, Y. Miyake, K. Nakano, N. Tsuchiya, M. Tsuda, Y. Okadome, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Physica B: Condensed Matter
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 376-377491 - 495
    出版年月 : 2006年04月
  • タイトル : Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and S. Kimura
    誌名 : Physica B: Condensed Matter
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 376-377440 - 443
    出版年月 : 2006年04月
  • タイトル : A hydrogen-related shallow donor in GaN?
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Physica B: Condensed Matter
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 376-377460 - 463
    出版年月 : 2006年04月
  • タイトル : UV laser diode with 350.9-nm-lasing wavelength grown by hetero-epitaxial-lateral overgrowth technology
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, K. Iida, T. Kawashima, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 111069 - 1073
    出版年月 : 2005年11月
  • タイトル : Control of p-Type Conduction in a-Plane GaN Grown on Sapphire r-Plane Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Tsuchiya, Y. Okadome, A. Honshio, Y. Miyake, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 44L1516 - L1518
    出版年月 : 2005年11月
  • タイトル : Flat (11-20) GaN Thin Film on Precisely Offset-Controlled (1-102) Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Imura, A. Hoshino, K. Nakano, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 447418 - 7420
    出版年月 : 2005年09月
  • タイトル : High-Efficiency Nitride-Based Light-Emitting Diodes with Moth-Eye Structure
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, S. Mishima, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 447414 - 7417
    出版年月 : 2005年09月
  • タイトル : Impact of H2-Preannealing of the Sapphire Substrate on the Crystallinity of Low-Temperature-Deposited AlN Buffer Layer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 443913 - 3917
    出版年月 : 2005年05月
  • タイトル : Photoluminescence of GaN/AlN superlattices grown by MOCVD
    担当区分 : 共著
    著者 : P. P. Paskov, J. P. Bergman, V. Darakchieva, T. Paskova, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 22345 - 2348
    出版年月 : 2005年02月
  • タイトル : GaN growth on (30-38) 4H-SiC substrate for reduction of internal polarization
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, A. Honshio, T. Kitano, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, H. Shiomi
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 22121 - 2124
    出版年月 : 2005年02月
  • タイトル : 350.9 nm UV laser diode grown on sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 22828 - 2831
    出版年月 : 2005年02月
  • タイトル : Laser diode of 350.9 nm wavelength grown on sapphire substrate by MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 272270 - 273
    出版年月 : 2004年11月
  • タイトル : High-quality Al0.12Ga0.88N film with low dislocation density grown on facet-controlled Al0.12Ga0.88N by MOVPE
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kawashima, K. Iida, Y. Miyake, A. Honshio, H. Kasugai, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 272377 - 380
    出版年月 : 2004年11月
  • タイトル : Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 437448 - 7453
    出版年月 : 2004年11月
  • タイトル : Radiative recombination processes in Al0.07Ga0.93N/GaN multiple quantum well structures, role of hole localization
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, J. P. Bergman, E. Valcheva, B. Arnaudov, A. Kasic, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 12500 - 2503
    出版年月 : 2004年07月
  • タイトル : Defect and stress control of AlGaN for fabrication of high performance UV light emitters
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, A. Miyazaki, K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, S. Sahonta and D. Cherns
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2012679 - 2685
    出版年月 : 2004年07月
  • タイトル : Optical investigation of AlGaN/GaN quantum wells and superlattices
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haradizadeh, J. P. Bergman, E. Valcheva, V. Darakchieva, B. Arnaudov, T. Paskova, P. O. Holtz, G. Pozina, M.Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2012251 - 2258
    出版年月 : 2004年07月
  • タイトル : Photoluminescence study of Si-doped GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells with different dopant position
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, B. E. Sernelius, P. O. Holtz, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 84110 - 113
    出版年月 : 2004年07月
  • タイトル : AlGaN系紫外LED
    担当区分 : 共著
    著者 : 岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    誌名 : レーザー研究
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32(6) : 387 - 391
    出版年月 : 2004年06月
  • タイトル : 350.9 nm UV Laser Diode Grown on Low-Dislocation-Density AlGaN
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 43L499 - L500
    出版年月 : 2004年03月
  • タイトル : Time resolved photoluminescence study of Si modulation doped GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2411124 - 1133
    出版年月 : 2004年02月
  • タイトル : Optical properties of undoped AlN/GaN superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : V. Darakchieva, P. P. Paskov, M. Schubert, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 02614 - 2617
    出版年月 : 2003年12月
  • タイトル : Improvement of light extraction efficiency of UV-LED grown on low-dislocation-density AlGaN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 200110 - 113
    出版年月 : 2003年11月
  • タイトル : Violet and UV light-emitting diode grown on ZrB2 substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, S. Takanami, Y. Tomida, K. Iida, S. Fukui, M. Iwaya, H. Kinoshita, T. Matsuda, T. Yasuda, S. Otani, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 20067 - 70
    出版年月 : 2003年11月
  • タイトル : High-Power UV-Light-Emitting Diode on Sapphire
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42400 - 403
    出版年月 : 2003年03月
  • タイトル : Photoluminescence of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures: role of depletion fields and polarization fields
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 195523 - 527
    出版年月 : 2003年02月
  • タイトル : Influence of polarization fields and depletion fields on photoluminescence of AlGaN/GaN multiple quantum well structure
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S.Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237353 - 364
    出版年月 : 2003年11月
  • タイトル : Group III nitride-based UV light emitting devices
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, S. Takanami, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 195491 - 495
    出版年月 : 2003年02月
  • タイトル : UV Light-Emitting Diode Fabricated on Hetero-ELO-Grown Al0.22Ga0.78N with Low Dislocation Density
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, S. Takanami, S. Terao, A. Miyazaki, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 192296 - 300
    出版年月 : 2002年08月
  • タイトル : UV-LED using p-type GaN/AlN supperlattice cladding layer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, S. Takanami, A. Miyazaki, S.Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 034 - 38
    出版年月 : 2003年01月
  • タイトル : In plane GaN/AlGaN heterostructure fabricated by selective mass transport planer technology
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Nitta, Y. Yukawa, Y. Watanabe, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Science and Engineering
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : B93139 - 142
    出版年月 : 2002年06月
  • タイトル : Suppression of composition separation during lateral growth of AlGaN and its application to UV-LED
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237-239951 - 955
    出版年月 : 2002年04月
  • タイトル : Direct observation of Ga-rich microdomains in crack-free AlGaN grown on patterned GaN/sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Riemann, J. Christen, A. Kashner, A. Laades, H. Hoffmann, C. Tomsen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 803093 - 3095
    出版年月 : 2002年11月
  • タイトル : Effect of n-type modulation doping on the photoluminesence of GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quntum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Haratizadeh, P. P. Paskov. G. Pzina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 801373 - 1375
    出版年月 : 2002年09月
  • タイトル : Influence of Depletion Fields on Photoluminescence of n-Doped InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, G. Pozina, J.P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19221 - 26
    出版年月 : 2002年07月
  • タイトル : Structural analysis of Si-doped AlGaN/GaN multi-quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Nakamura, S. Mochizuki, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Aman, I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237-2391129 - 1132
    出版年月 : 2002年04月
  • タイトル : Relaxation of misfit-induced stress in nitride-based heterostructures
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Terao, M. Iwaya, T. Sano, T. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237-239947 - 950
    出版年月 : 2002年04月
  • タイトル : Photoluminescence of Excitons in InxGa1-xN/InyGa1-yN Multiple Quantum Wells
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, G. Pozina, T. Paskova, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 190161 - 166
    出版年月 : 2002年03月
  • タイトル : Photoluminescence in n-doped In0.1Ga0.9N/In0.01Ga0.99N multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P.P.Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, V. Darakchieva, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : MRS Internet Journal Nitride Semiconductor reseach
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 77.1 - 7.14
    出版年月 : 2002年10月
  • タイトル : Optical Study of AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures Grown on Laterally Overgrown GaN Templates
    担当区分 : 共著
    著者 : G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 190107 - 111
    出版年月 : 2002年03月
  • タイトル : High Efficiency UV Emitter Using High Quality GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Active Layer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, Terao, T. Ukai, S. Kaamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : Proceeding of Material Research Society Fall Meeting
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 639G12.3.1 -
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : Demonstration of Flame Detection in Room Light Background by Solar-Blind AlGaN pin Photodiode
    担当区分 : 共著
    著者 : A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 188(1) : 293 - 296
    出版年月 : 2001年11月
  • タイトル : Optical Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy with Employment of Mass-Transport Template
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P. P. Paskov, G. Pozina, T. Paskova, J. P. Bergman, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 228157 - 160
    出版年月 : 2001年11月
  • タイトル : High-Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, S. Takanami, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 188117 - 120
    出版年月 : 2001年11月
  • タイトル : Photoresponse and Defect Levels of AlGaN/GaN Heterobipolar Phototransistor Grown on Low-Temperature AlN Interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Mouillet, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 40L498 - L501
    出版年月 : 2001年05月
  • タイトル : Fracture of AlxGa1-xN/GaN heterostructure –compositional and impurity dependence-
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 40L195 - L197
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Photoluminesence of InGaN/GaN multiple qunatum well grown by mass transport
    担当区分 : 共著
    著者 : G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 230473 - 476
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Low-temperature-deposited AlGaN interlayer for improvement of AlGaN/GaN heterostructure
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, N. Yamada
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 223(Issues1-2) : 83 - 91
    出版年月 : 2001年02月
  • タイトル : Electrical Conductivity of Low-Temperature-Deposited Al0.1Ga0.9N Interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, N. Yamada
    誌名 : Japanese Journal Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 396493 - 6495
    出版年月 : 2000年12月
  • タイトル : InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy with mass transport
    担当区分 : 共著
    著者 : G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 771638 - 1640
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Nitta, T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano I. Akasaki
    誌名 : Surface Review and Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 7(Nos.5&6) : 561 - 564
    出版年月 : 2000年05月
  • タイトル : Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes
    担当区分 : 共著
    著者 : C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 39L387 - L389
    出版年月 : 2000年05月
  • タイトル : Theoretical analysis of optical transverse-mode control on GaN-based laser diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : IEICE Transactions on Electronics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : E83-C(4) : 573 - 578
    出版年月 : 2000年04月
  • タイトル : The role of the multi buffer layer technique on the structural quality of GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Benemara, Z. L. Weber, J. H. Swider, J. Washburn, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
    誌名 : MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : Res.5S1W5.8.1 - W5.8.6
    出版年月 : 2000年04月
  • タイトル : High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : Res.5S1W1.10.1 - W1.10.6
    出版年月 : 2000年04月
  • タイトル : Nitride-based laser diodes using thick n-AlGaN layers
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. R. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, K. W. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Y. S. Kaneko, N. Yamada
    誌名 : Journal of Electronic Materials
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 29302 - 305
    出版年月 : 2000年03月
  • タイトル : Realization of crack-free and high-quality thick AlxGa1-xN for UV optoelectronics using low temperature interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Applied Surface Science
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 159-160405 - 413
    出版年月 : 2000年03月
  • タイトル : Performance of GaN-based semiconductor laser with spectral broadening due to compositional inhomogeneity in GaInN active layer
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 39390 - 392
    出版年月 : 2000年02月
  • タイトル : Microscopic Investigation of Al0.43Ga0.57N on Sapphire
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38L1515 - L1518
    出版年月 : 1999年12月
  • タイトル : Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko, N. Yamada
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 752960 - 2962
    出版年月 : 1999年11月
  • タイトル : Fabrication and characterization of GaN-based laser diode grown on thick n-AlGaN contact layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Ys. Kaneko, N. Yamada
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 17631 - 34
    出版年月 : 1999年11月
  • タイトル : Improvement of low-intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
    担当区分 : 共著
    著者 : C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 176147 - 151
    出版年月 : 1999年11月
  • タイトル : Control of dislocations and stress in AlGaN on sapphire using low temperature interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Werzel, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 216683 - 689
    出版年月 : 1999年11月
  • タイトル : Growth of GaN on highly mismatched substrate and its application to novel devices
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Iwaya, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, H. Kato, I. Akasaki
    誌名 : Diamond and Related Materials
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 8302 - 304
    出版年月 : 1999年05月
  • タイトル : Low-Intensity Ultraviolet Photodetectors Based on AlGaN
    担当区分 : 共著
    著者 : C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38L487 - L489
    出版年月 : 1999年05月
  • タイトル : Improvement of Crystalline Quality of Group III Nitrides on Sapphire Using Low Temperature Interlayers
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    誌名 : MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : Res.4S1G10.1.1 - G10.1.8
    出版年月 : 1999年04月
  • タイトル : Stress and defect control in GaN using low temperature interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, J. Figiel
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 37L1540 - L1542
    出版年月 : 1998年12月
  • タイトル : Structural Properties of Nitrides Grown By OMVPE on Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    誌名 : Proceeding of Material Research Society Fall Meeting
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 482479 - 488
    出版年月 : 1998年
  • タイトル : Reduction of Etch pit density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 37L316 - L318
    出版年月 : 1998年03月

講演・口頭発表等

  • タイトル : 窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松井健城、山下浩司、加賀 充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 横方向p 型活性化における雰囲気ガス依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 電子ブロック層上活性層による電子オーバーフローの直接観測
    担当区分 : 共著
    講演者 : 林 健人、松井健城、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : モスアイ加工サファイア基板によるLED の光取り出し効率の改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、河合俊介、近藤俊行、北野 司、森みどり、鈴木敦志、赤﨑 勇、関根 均、難波江宏一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 350nm 紫外LED の光取り出し効率の向上
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中嶋 翼、竹田健一郎、新里紘史、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : GaInN 超格子構造最適化による窒化物半導体太陽電池の高性能化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 黒川泰視、近藤真一郎、山本翔太、森美貴子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智。赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 窒化物半導体HFET 型光センサー構造の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 石黒真未、池田和弥、水野正隆、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤崎 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN 量子井戸の評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田大輔、Yuntian Chen、Yiyu Ou、Ahmed Fadil、Oleksii Kopylov、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、Haiyan Ou
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : MOVPE により作製したGaInN/GaN 超格子構造のその場観察X 線回折法による評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本泰司、飯田大輔、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : MOVPE 法によるAlInN 高速成長の影響
    担当区分 : 共著
    講演者 : 小塚祐吾、鈴木智行、森田隆敏、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : ナノELO によるm 面GaInN 厚膜の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 小﨑桂矢、近藤真一郎、土屋貴義、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : 非対称 AlN/GaN 多層膜反射鏡の設計と作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 萩原康大、矢木康太、安田俊輝、竹田健一郎、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : LED 構造上GaN トンネル接合の低抵抗化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 南川大智、加賀 充、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : GaN 低温成長におけるSb 添加の効果
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鈴木智行、笹島浩希、松原由布子、加賀 充、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : GaInN トンネル接合素子の低抵抗化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第60 回応用物理学会春季学術講演会
    開催年月日 : 2013年03月
  • タイトル : n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑勇
    会議名 : 電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    開催年月日 : 2012年11月
  • タイトル : サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、近藤俊行、北野 司、森 みどり、鈴木敦志、難波江宏一、関根 均、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    開催年月日 : 2012年11月
  • タイトル : ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑勇
    会議名 : 電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    開催年月日 : 2012年11月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の高効率化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    会議名 : 第42回結晶成長国内会議
    開催年月日 : 2012年11月
  • タイトル : ELとPLを組み合わせたLED効率成分の導出方法の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 青山和樹,鈴木敦志,北野 司,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : 100チャンネル10μm径マイクロLEDアレイの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 渡邉雅大,山下浩司,加賀 充,鈴木智行,森田隆敏,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森田隆敏,加賀 充,桑野侑香,松井健城,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の集光特性における電極構造の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森美貴子,山本翔太,近藤真一郎,中尾達郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : 窒化物半導体を用いた高感度なHFET型光センサー
    担当区分 : 共著
    講演者 : 石黒真未,池田和弥,水野正隆,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : ITOとSiO2/AlN誘電体多層膜を組み合わせた電極による350nm紫外LEDの高効率化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中嶋 翼,竹田健一郎,新里紘史,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : AlGaN/AlNにおける下地AlN転位密度依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井手公康,松原由布子,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : GaInN/GaNヘテロ接合におけるミスフィット転位の観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松原大幸,飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,梅田慎也,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 安田俊輝,矢木康太,鈴木智行,中嶋 翼,渡邉雅大,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : 非極性AlGaN/GaN HFETのAlGaNバリアのAlNモル分率およびSi濃度依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 水野正隆,磯部康裕,池田和弥,石黒真未,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第73回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : 窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開
    担当区分 : 共著
    講演者 : 天野浩、本田善央、山口雅史、今出完、森勇介、岩谷素顕
    会議名 : 応用物理学会 第137回結晶工学分科会研究会「窒化物半導体光デバイスの最前線-基板・エピ成長と評価技術-」
    開催年月日 : 2012年06月15日
  • タイトル : 基板・半導体層のナノ加工と半導体デバイスへの応用
    担当区分 : 単著
    講演者 : 岩谷素顕
    会議名 : 日本機械学会 情報・知能・精密機器部門 分科会 第1回 「窒化物半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究会」発会記念 特別講演会
    開催年月日 : 2012年05月30日
  • タイトル : 非極性面上Ⅲ族窒化物半導体電界効果トランジスタに関する研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : 水野正隆、池田和弥、石黒真未、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : p型GaInNを用いた高感度なFET型光センサーに関する研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : 石黒真未、池田和弥、水野正隆、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : Ⅲ族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森田隆敏、加賀充、桑野侑香、山下浩司、松井健城、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : 中間層を用いた窒化物半導体二波長発光ダイオードにおけるキャリア注入の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松井健城、山下浩司、加賀充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚
    担当区分 : 共著
    講演者 : 近藤保成、飯田大輔、杉山徹、曽和美保子、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : GaInN量子井戸へのAl添加によるAlGaInN量子井戸の作製と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鈴木智行、 加賀充、北野司、難波江宏一、平野敬祐、竹内哲也、上山智、岩谷素、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 梅田慎也、加藤嵩裕、北野司、近藤俊行、松原大幸、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : 膜厚変化に伴うGaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松原大幸、飯田大輔、 杉山 徹、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の現状とその将来展望
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    会議名 : 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会シンポジウム「高効率ナノエピタキシャル太陽電池の最先端」
    開催年月日 : 2012年04月
  • タイトル : MOVPE成長中におけるX線その場観察測定を用いたGaInNの緩和過程の観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,松原大幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : 二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : IZO(インジウム-亜鉛酸化物)を用いた窒化物半導体LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 水谷脩吾,中島聡志,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,松原雅人,近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,森みどり
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : 殺菌用260nm DUV-LEDのC-V測定
    担当区分 : 共著
    講演者 : 古沢優太,稲津哲彦,深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,長澤陽祐,一本松正道,岩谷素顕,山口雅史,平野 光,竹内哲也,上山 智,本田善央,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚の組成依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 近藤保成,飯田大輔,杉山 徹,曽和美保子,松原大幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : GaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松原大幸,飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : AlGaInN量子井戸の発光特性に関する検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鈴木智行,加賀 充,北野 司,難波江宏一,平野敬祐,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : その場観察X線回折測定技術によるサファイア基板上GaNの結晶成長制御
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田中大樹,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 梅田慎也,北野 司,近藤俊行,大田一成,加藤嵩裕,松原大幸,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井手公康,山本準一,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : DBR応用のためのAlN/GaN多層膜積層構造の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 矢木康太,加賀 充,山下浩司,竹田健一郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : 集光下での窒化物半導体太陽電池の特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森美貴子,山本翔太,桑原洋介,藤井嵩裕,杉山 徹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : ITO透明電極による窒化物半導体太陽電池の高性能化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本翔太,藤井崇裕1,森美貴子1,近藤真一郎1,中尾達郎1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山 智1,赤崎 勇1,3,天野 浩
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑野侑香,山下浩司,加賀 充,矢木康太,森田隆敏,松井健城,竹内哲也,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加賀 充,山下浩司,森田隆敏,桑野侑香,矢木康太,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : GaInN系ヘテロ接合電界効果トランジスターに関する研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : 池田和弥,磯部康裕,一木宏充,石黒真未,水野正隆,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤﨑 勇,天野 浩
    会議名 : 第59回応用物理学会講演会
    開催年月日 : 2012年03月
  • タイトル : ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井手公康、山本準一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 ED、CPM、LQE合同研究会
    開催年月日 : 2011年11月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の集光特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森 美貴子、山本翔太、桑原洋介、藤井崇裕、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 ED、CPM、LQE合同研究会
    開催年月日 : 2011年11月
  • タイトル : その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体のMOVPE成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田 大輔、岩谷 素顕、竹内 哲也 、上山 智 、赤﨑 勇
    会議名 : 第41回結晶成長国内会議
    開催年月日 : 2011年11月04日
  • タイトル : GaN系デバイス用基板としてのサファイアに対する期待
    担当区分 : 単著
    講演者 : 岩谷素顕
    会議名 : 第41回結晶成長国内会議
    開催年月日 : 2011年11月04日
  • タイトル : 殺菌制菌用の高効率長寿命DUV-LEDの要素技術開発
    担当区分 : 共著
    講演者 : 古沢優太,稲津哲彦,深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,長澤陽祐,平野 光,本田善央,岩谷素顕,一本松正道,山口雅史,天野 浩,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 紫外発光素子用高反射電極の構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹原孝祐,竹田健一郎,青島宏樹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : サファイア基板上モスアイ構造による青色LEDの光取り出し効率向上
    担当区分 : 共著
    講演者 : 近藤俊行,山口修司,前田 悟,難波江宏一,竹内哲也,岩谷素顕,北野 司,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池II
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中尾達郎,桑原洋介,藤山泰治,藤井崇裕,山本翔太,飯田大輔,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の集光特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森美貴子,山本翔太,桑原洋介,藤井崇裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 窒化物太陽電池の電極構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本翔太,森田義己,桑原洋介,藤井崇裕,杉山 徹,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : MOVPE選択成長法による窒化物ナノコラム結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加藤嵩裕,大田一成,北野 司,近藤俊行,飯田大輔,井手公康,上山 智,岩谷素顕,竹内哲也,赤崎 勇
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : X線その場観察を用いたMOVPE法による窒化物半導体の結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田中大樹,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加賀 充,山下浩司,矢木康太,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : AlNテンプレートとELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井手公康,山本準一,野中健太朗,榊原辰幸,杉山 徹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 矢木康太,加賀 充,山下浩司,竹田健一郎,谷川智之,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 非極性a 面及びc 面GaN 基板上AlGaN/GaN HFETsにおける電流コラプス評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山貴之,本田善央,山口雅史,天野 浩,磯部康裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,今出 完,北岡康夫,森 勇介
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 池田和弥,磯部康裕,一木宏充,堀尾尚史,榊原辰幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第72回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2011年08月
  • タイトル : 紫外領域LEDの現状とその可能性
    担当区分 : 単著
    講演者 : 岩谷素顕
    会議名 : 第25回日本レーザー医学会東海地方会(特別講演)
    開催年月日 : 2011年07月24日
  • タイトル : クラックフリーAlN/GaN 多層膜反射鏡の作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 矢木康太、加賀 充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加賀 充、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : X 線その場観察を用いたMOVPE 法による窒化物半導体の結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田中大樹、飯田大輔、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : 加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三嶋 晃、牧野貴文、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、 赤﨑 勇、坂倉誠也、谷川智之、本田善央、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : AlInN 系GaInN チャネルHFET の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : 窒化物太陽電池の電極構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本翔太、森田義己、桑原洋介、藤井崇裕、杉山 徹、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : 非極性面GaN 上に作製した窒化物太陽電池
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中尾達郎、桑原洋介、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    会議名 : 第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET~
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山貴之、本田善央、山口雅史、天野 浩、磯部康裕、押村吉徳、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智・赤﨑 勇、今出 完、北岡康夫、森 勇介
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中尾達郎、桑原洋介、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : AlGaN量子井戸構造の内部量子効率
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本準一、伴 和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、伊藤 駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合の作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : Ⅲ族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山下浩司、加賀 充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 矢木康太、加賀 充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田中大樹、飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 伊藤 駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    会議名 : 電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : 加圧MOVPE法を用いたAlInNの結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三嶋 晃、牧野貴文、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、坂倉誠也、谷川智之、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 伊藤 駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物太陽電池の電極構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本翔太、森田義己、桑原洋介、藤井崇裕、杉山 徹、中尾達郎、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤崎 勇、竹内哲也
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物半導体を用いた太陽電池の特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤井崇裕、桑原洋介、飯田大輔、杉山 徹、磯部康裕、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中尾達郎、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : AlGaN量子井戸構造の光学的特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本準一、伴 和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 350nm帯紫外LED及びLD構造の注入効率向上
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、青島宏樹、野中健太朗、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合を用いたLEDの作製と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山下浩司、加賀 充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物半導体トンネル接合のシミュレーションと成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 近紫外LEDのデバイス構造の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 北野 司、鈴木敦志、小池正好、山口修司、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物系LEDの内部量子効率の発光波長依存性に関する検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山口修司、飯田大輔、北野 司、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : レーザリフトオフ法による薄膜紫外LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 青島宏樹、竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、伊藤 駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : AlGaN UV-LEDの光取り出し効率の改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 稲津哲彦、深堀真也、シリル ペルノ、金 明姫、藤田武彦、長澤陽祐、平野 光、一本松正道、岩谷素顕、天野 浩、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 紫外発光素子用反射電極の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTエピ
    担当区分 : 共著
    講演者 : 橋本 信、秋田勝史、山本喜之、矢船憲成、作野圭一、徳田博邦、葛原正明、竹田健一郎、岩谷素顕、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 非極性面GaN基板を用いたAlGaN/GaN HFET
    担当区分 : 共著
    講演者 : 磯部康裕、一木宏充、榊原辰幸、安江友樹、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩、今出 完、北岡康夫、森 勇介
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : GaInNチャネルHFETのバリア層の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 高InNモル分率GaInN-channel AlGaN/GaInN/GaN HFETの特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 一木宏充、磯部康裕、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    会議名 : 第58回 応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2011年03月
  • タイトル : 窒化物半導体太陽電池の電極構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 森田 義己、 桑原 洋介、藤井 崇裕、山本 翔太、岩谷 素顕、 竹内 哲也、 上山 智、 赤﨑 勇、 天野 浩
    会議名 : 応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    開催年月日 : 2010年12月17日
  • タイトル : Na-Flux法で作製したa面LPE-GaN基板上HFETのデバイス特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 安江 友樹、磯部 康裕、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇、杉山 貴之、天野 浩、今出 完、北岡 康夫、森 勇介
    会議名 : 応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    開催年月日 : 2010年12月17日
  • タイトル : 高組成AlGaN量子井戸構造の光学的特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 伴 和仁、竹田 健一郎、 山本 準一、 岩谷 素顕、 竹内 哲也、 上山 智、 赤﨑 勇、 天野 浩
    会議名 : 応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    開催年月日 : 2010年12月17日
  • タイトル : GaInN/GaInN 超格子構造を用いた窒化物太陽電池の特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑原 洋介,藤井 崇裕,杉山 徹,飯田 大輔,磯部 康裕,岩谷 素顕,竹内 哲也,上山 智,赤﨑 勇,天野 浩
    会議名 : 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    開催年月日 : 2010年11月
  • タイトル : Mg ドープAlN 下地層を用いた低転位AlGaN の転位挙動
    担当区分 : 共著
    講演者 : 野中 健太朗,浅井 俊晶,伴 和仁,山本 準一,岩谷 素顕,竹内 哲也, 上山 智,赤﨑 勇, 天野 浩,Z. H. Wu
    会議名 : 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    開催年月日 : 2010年11月
  • タイトル : 昇華法による単結晶AlN の高速成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山川 雅康,村田 一喜,岩谷 素顕,上山 智,竹内 哲也,赤﨑 勇,天野 浩,東 正信
    会議名 : 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    開催年月日 : 2010年11月
  • タイトル : ELO AlGaN下地層上に作製した紫外レーザダイオードの特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹田健一郎,永田賢吾,竹原孝祐,青島宏樹,伊藤 駿,押村吉徳,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,吉田治正,桑原正和,山下陽滋,菅 博文
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : 紫外発光素子用透明電極の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,稲津哲彦,長澤陽祐,平野 光,一本松正道,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Naフラックス法により作製した非極性面LPE-GaN基板上へのMOVPE法によるGaNの初期成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 磯部康裕,飯田大輔,榊原辰幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩,今出 完,北岡康夫,森 勇介
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : GaN基板上に作製したGaInN/GaInN超格子構造の微細構造
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山 徹,磯部康裕,桑原洋介,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : 電極および基板界面にMoth-eye構造を形成した高効率LEDの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 櫻井 悠,近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,森みどり,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : 酸化ジルコニウムを用いたサファイア基板上LEDの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田村健太,飯田大輔,山口修司,近藤俊行,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : GaInN/GaInN超格子構造を用いた窒化物半導体太陽電池の高性能化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤井崇裕,桑原洋介,飯田大輔,杉山 徹,磯部康裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : GaN基板上AlGaN/GaN HFETのドレインリーク電流の低減
    担当区分 : 共著
    講演者 : 押村吉徳,杉山貴之,竹田健一郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : GaInNチャネルヘテロ接合電界効果トランジスタの検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 一木宏充,磯部康裕,飯田大輔,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩,坂東 章,宇田川隆
    会議名 : 第71回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Naフラックス法により作製したm面GaN基板上へのm面GaNのMOVPE成長の基板オフ角依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 磯部康裕、飯田大輔、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、今出完、北岡康夫、森勇介
    会議名 : 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : GaN基板を用いた窒化物太陽電池の特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑原洋介、藤山泰治、森田義己、藤井崇裕、杉山徹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎勇
    会議名 : 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : UVレーザダイオードの閾値電流密度の低減
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢吾、 野中健太朗、 市川友紀、 竹田健一郎、 岩谷素顕、 上山智、 天野浩、 赤﨑勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅博文
    会議名 : 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : MgドープAlN下地層を用いた高品質厚膜AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 野中健太朗、浅井俊晶、伴和仁、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、Zhihao Wu
    会議名 : 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : 非極性・半極性窒化物半導体の結晶成長技術
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : 窒化物半導体を用いた太陽電池の評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑原 洋介、藤山 泰治、森田義己、藤井崇裕、杉山 徹、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第57回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : Moth-eye構造のITO電極への応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 櫻井 悠、近藤俊行、寺前文晴、 鈴木敦志、北野 司、河合良介。岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第57回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : 昇華法による柱状AlN上への層状AlNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山川 雅康、村田 一喜、永田 賢昌、天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇、東 正信
    会議名 : 第57回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化
    担当区分 : 共著
    会議名 : 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    開催年月日 : 2009年11月
  • タイトル : UVレーザダイオードの動作電圧の低減
    担当区分 : 共著
    講演者 : 市川友紀、竹田健一郎、小木曽裕二、永田賢吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅 博文
    会議名 : 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    開催年月日 : 2009年11月
  • タイトル : GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢昌、飯田大輔、永松謙太郎、松原哲也、竹田健一郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    開催年月日 : 2009年11月
  • タイトル : 加圧MOVPE法によるGaInNにおけるInN組成の圧力依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢昌,飯田大輔,永松謙太郎,松原哲也,竹田健一郎,岩谷素顕,上山智,天野浩,赤﨑勇
    会議名 : 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    開催年月日 : 2009年11月
  • タイトル : 高品質厚膜GaInN結晶の作製とそのデバイス応用
    担当区分 : 単著
    講演者 : 岩谷素顕
    会議名 : 第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    開催年月日 : 2009年11月
  • タイトル : 酸素雰囲気中でのp 型AlGaN の活性化による高出力AlGaN/GaN 紫外LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢吾,竹田健一郎,市川友紀,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : 高反射電極を用いたSiC 基板上青色LED のmoth-eye 構造の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 河合良介,近藤俊行,鈴木敦志,寺前文晴,北野 司,田村健太,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : c面および非極性a面p-GaNのMg濃度最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田村健太,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : 窒化物半導体を用いた発光太陽電池の作製と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 桑原洋介,藤山泰治,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : MOVPE法によるGaInN活性層を用いた p-i-n発光太陽電池の層構造検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤山泰治,桑原洋介,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : Mg-doped AlN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 野中健太朗,浅井俊晶,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : Mg-doped AlN下地層によるAlGaNの低転位化の機構
    担当区分 : 共著
    講演者 : 浅井俊晶,野中健太朗,伴 和仁,永田賢昌,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : 高圧MOVPE法を用いたGaInN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢昌,飯田大輔,永松謙太郎,松原哲也,竹田健一郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : AlGaNの原子層エピタキシャル成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永松謙太郎,竹田健一郎,飯田大輔,永田賢昌,浅井俊晶,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : 加圧MOVPEによる高速バルブスイッチング技術を用いたAlGaNの高品質化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永松謙太郎,竹田健一郎,飯田大輔,永田賢昌,浅井俊晶,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : 電子ビーム転写露光法によって形成したナノ構造上へのIII族窒化物半導体の結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 葉山 桂,北野 司,鈴木敦志,近藤俊行,石原章弘,野中健太郎,上山 智,岩谷素顕,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : Moth-eye加工サファイア基板上へのGaN結晶成長に関する研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : 石原章弘,葉山 桂,北野 司,鈴木敦志,近藤俊行,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤﨑 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : サファイア基板上Moth-eye構造の作製技術とLEDへの応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,手嶋一城,前田 悟,上山 智,金子由基夫,岩谷素顕,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN JHFETの温度依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山貴之,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第70回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山貴之、飯田大輔、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 電子情報通信学会 電子デバイス(ED)研究会
    開催年月日 : 2009年07月
  • タイトル : Feドープ半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTのデバイス特性と不純物解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 押村 吉徳,竹田 健一郎, 杉山 貴之, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇
    会議名 : 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2009年05月
  • タイトル : 持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割
    担当区分 : 共著
    講演者 : 天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2009年05月
  • タイトル : 電子線投影露光法を用いて作製したMoth-eye構造のSiC基板上青色LEDへの応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 河合良介,瀬古知世,馬渕 翔,寺前文晴,鈴木敦志,金子由基夫,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : 活性化アニールによるp型Al0.17Ga0.83Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永田賢吾,竹田健一郎,永松謙太郎,都築宏俊,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永松謙太郎,浅井俊晶,竹田健一郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : MOVPE法による新しいマスク材料を用いたAlNの選択成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 小木曽裕二,竹田健一郎,森 史明,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,坂東 章
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : 陽極酸化法を用いたポーラスSiC の作製と光学評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 西村拓哉,三好晃平,金子由基雄,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : Feドープ半絶縁性GaN自立基板を用いたAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 押村吉徳,竹田健一郎,杉山貴之,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第56回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2009年03月
  • タイトル : NおよびAlをドープした6H-SiCの光学特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三好晃平、上山 智、天野 浩、岩谷素顕、赤崎 勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/Sapphire基板上のUV-LD特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 都築宏俊、森 史明、竹田健一郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅 博文
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : APC合金を用いた青色LEDへの高反射率電極の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 河合良介、森 俊晶、落合 渉、鈴木敦志、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤崎 勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : GaN基板上LEDおよび剥離膜上LEDの電流分布の解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 早川武雅,千田亮太,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : (10-1-2)4H-SiC上GaN(10-1-1)上に作製したLED 特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松原哲也,河合良介,千田亮太,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : 非極性a面GaInNのMgドーピング
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : 周期溝下地結晶を用いたAl0.5Ga0.5Nの低転位化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹田健一郎、森 史明、小木曽裕二、森 俊晶、浅井俊晶、永松謙太郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎勇
    会議名 : 第69回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : AlGaN 中のMg の活性化エネルギー
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/サファイア基板上の高効率UV LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 都築宏俊、森史明、市川友紀、竹田健一郎、渡邊浩崇、飯田一喜、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、坂東章
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : 高温MOVPEを用いたAlN周期溝上AlGaN中の転位密度のAlNモル分率依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 浅井俊晶、住井隆文、加藤尚文、森俊晶、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : 大型青色LED における熱抵抗の光出力への影響に関する検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 落合 渉、河合良介、鈴木敦志、熊谷光恭、古閑隆一、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : 溝加工(10-1-1)GaN /(10-1-2)4H-SiC 基板上のGaInN 厚膜成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 松原哲也、平岩徹、千田亮太、三浦彩、飯田大輔、川島毅士、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : m 面GaN 溝基板上に成長させた厚膜GaInNの構造評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 千田亮太, 永井 哲也, 平岩徹行, 三浦彩, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : p型GaNゲートノーマリーオフAlGaN/GaN JHFETのSiNxによる閾値電圧制御
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉山貴之、根賀亮平、水野克俊、藤井隆弘、中村彰吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第55回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2008年03月
  • タイトル : 紫外発光素子への期待とIII族窒化物半導体を用いた紫外発光素子の高性能化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 天野 浩,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC のアニール効果
    担当区分 : 共著
    講演者 : 柴田陽子,村田諭是,生田美奈,杉浦正明,林 啓二,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,新田州吾,木下博之
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC におけるDAP発光の温度特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 村田諭是,柴田陽子,生田美奈,杉浦正明,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : 無極性a面GaN上LEDにおけるn電極の低接触比抵抗化の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 林 雅子,早川武雅,飯田大輔,笠松由直,三浦 彩,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : 無極性面GaN溝基板上に成長させた厚膜GaInN
    担当区分 : 共著
    講演者 : 千田亮太,三浦 彩,川島毅士,飯田大輔,永井哲也,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : c面、a面、m面GaN上厚膜GaInNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三浦 彩,千田亮太,飯田大輔,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : p型GaNゲートを用いたnormally-off型AlGaN/GaN HFETsの構造最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 水野克俊,藤井隆弘,中村省吾,根賀亮平,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第68回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜,渡邉浩嵩,竹田健一郎,住井隆文,永井哲也,永松謙太郎,岡田成仁,クリシュナンバラクリシュナン,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,坂東 章
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : 低欠陥化m面GaN上の紫色LEDの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士,千田亮太,早川武雅,林 雅子,笠松由直,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,三浦 彩,永井哲也,岡留由真,土屋陽祐
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : 無極性a面、m面GaNのV/III比変化による横方向成長レート依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士,千田亮太,飯田大輔,三浦 彩,永井哲也,岡留由真,土屋陽祐,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : GaInN系近紫外LEDの大型化におけるp電極幅の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 落合 渉,大野 聡,鈴木敦志,熊谷光恭,古閑隆一,浅井利浩,新田州吾,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,岩谷素顕
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : III族窒化物半導体LED用高反射率電極の検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鈴木敦志,浅井利浩,落合 渉,熊谷光恭,古閑隆一,大野 聡,新田州吾,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : 高温MOVPEによる様々な面方位のAlNおよびAlGaNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岡田成仁,加藤尚文,佐藤周夜,住井隆文,藤元直樹,井村将隆,クリシュナンバラクリッシュナン,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,丸山久明,野呂匡志,高木 俊,坂東 章
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : 6H-SiC基板上AlN, AlxGa1-xNの高温MOVPE法成長のTEM観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 杉村弘樹,クリシュナンバラクリシュナン,永井哲也,井村将隆,坂東 章,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : p型GaNゲートを用いた低オン抵抗ノーマリーオフ型 AlGaN/GaN Junction HFETs
    担当区分 : 共著
    講演者 : 根賀亮平,藤井隆弘,中村彰吾,露口士夫,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : p型GaNゲートを用いた高出力低損失normally-off型AlGaN/GaN HFETs
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤井隆弘,露口士夫,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第54回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : 無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用”
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、川島毅士、飯田大輔、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 応用物理学会関西支部セミナー「結晶成長とデバイス応用」
    開催年月日 : 2007年03月12日
  • タイトル : 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 渡邉浩崇、飯田一喜、竹田健一郎、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同)研究会
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : 紫外発光素子の開発
    担当区分 : 共著
    講演者 : 天野 浩、バラクリシュナン クリシュナン、岩谷素顕、上山 智、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(II)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜、川島毅士、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : m面GaNの横方向成長によるウェハ全面低転位化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士、飯田大輔、三浦 彩、永井哲也、岡留由真、土屋陽祐、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : a面GaNの横方向成長による全面高品質化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田大輔、三浦 彩、岡留由真、土屋陽祐、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : HT-MOVPEによるr面サファイア基板上a-AlNの成長およびELOによる低転位化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岡田成仁、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、井村将隆、バラクリシュナンリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : 高温MOVPE法によるAlN結晶の欠陥制御およびその微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、岡田成仁、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、クリシュナン・バラクリッシュナン、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : p型GaNゲートAlGaN/GaN 接合型高性能フォトHFETの作製
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三浦秀一、藤井隆弘、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETsのAlGaN膜厚及びAlNモル分率依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤井隆弘、露口士夫、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第67回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2006年08月
  • タイトル : 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおける光学特性の熱処理効果
    担当区分 : 共著
    講演者 : 柴田陽子、中村佳博、前田智彦、村田諭是、生田美奈、杉浦正明、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : m面Al0.18Ga0.82Nの横方向成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士,飯田大輔,三浦 彩,岡留由真,土屋陽祐,三宅泰人,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇,本塩 彰
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : r面サファイア基板上a面GaInN/GaNヘテロ構造の解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三浦 彩,飯田大輔,本塩 彰,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 高温MOVPE法によるAlNの低転位化メカニズム
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、岡田成仁、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、クリシュナン・バラクリッシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 高温MOVPE法によるAlGaNの高速成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、北野 司、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナンバラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章、下野健二、野呂匡志、高木 俊
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : MOVPE法によるc面サファイア基板上GaNの高速厚膜成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 田中勇貴、古川寛子、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおけるDAP発光特性の不純物濃度依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 村田諭是、中村佳博、前田智彦、柴田陽子、生田美奈、杉浦正明、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC蛍光層の光学特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 前田智彦、中村佳博、生田美奈、柴田陽子、村田諭是、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、尾沼猛儀、秩父重英、古庄智明、木下博之
    会議名 : 第53回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2006年03月
  • タイトル : 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 土屋法隆、クリッシュナン バラクリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、古庄智明
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年10月
  • タイトル : Moth Eye構造作製によるナイトライド発光ダイオードの高効率化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 春日井秀紀、岩谷素顕、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 永松謙太郎、岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、浅井利浩、三島俊介、本塩 彰、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : 高温MOVPE法によるAlGaN/AlN超格子の製作と評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岡田成仁、井村将隆、仲野靖孝、北野 司、成田 剛、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、バラクリッシュナン クリシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : 高温MOVPE法AlGaNの熱力学的解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 北野 司、藤元直樹、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : 高温MOVPE法による高品質AlN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤元直樹、北野 司、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : 「講演奨励賞受賞記念講演」高温MOVPE法によるAlNの低転位化メカニズム
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、仲野靖孝、岡田成仁、北野 司、成田 剛、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、バラクリッシュナン クリシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : サファイアR面基板上GaNの電気的特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 土屋陽祐、岡留由真、古川寛子、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : R面サファイア基板上A面AlGaN/GaNヘテロ構造の解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、古川寛子、本塩 彰、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : R面サファイア基板上A面GaNの一軸性歪み
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、古川寛子、本塩 彰、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : 顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三島俊介、永松健太郎、本塩 彰、三宅泰人、浅井利浩、飯田一喜、川島 毅、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : p型GaNゲートを用いたノーマリーオフ形AlGaN/GaN HFET
    担当区分 : 共著
    講演者 : 露口士夫、広瀬貴利、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第66回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
    担当区分 : 共著
    講演者 : 天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    会議名 : 応用電子物性分科会「白色デバイスの開発動向」
    開催年月日 : 2005年07月21日
  • タイトル : 顕微ラマン分光法によるナイトライドLED の微細領域での温度分布解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三島俊介、浅井利浩、春日井秀紀、本塩 彰、三宅泰人、飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、若山雅文
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 古川 寛子、岡留 由真、土屋 陽祐、本塩 彰、津田 道信、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、川島毅士、井村将隆、仲野 靖孝、本塩 彰、津田 道信、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : MOVPE-ELOによるサファイア溝基板上低転位AlNの微細構造
    担当区分 : 共著
    講演者 : 仲野靖孝、井村将隆、成田 剛、北野 司、藤元 直樹、クリッシュナン・バラクリッシュナン、津田 道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : サファイア溝基板上AlNのELO成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 成田 剛、藤元 直樹、広瀬 貴利、北野 司、川島 毅士、飯田 一喜、 津田 道信、クリシュナン・バラクリシュナン、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : MOVPE法による厚膜AlN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤元 直樹、北野 司、成田 剛、井村 将隆、Krishnan、Balakrishnan、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野 健二、野呂 匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2005年05月
  • タイトル : 近接昇華法による2°off基板上SiCエピ膜表面モフォロジーの改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 河合洋次郎、中村佳博、前田智彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、古庄智明、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 近接昇華法によるSiC高速エピ成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 前田智彦、土屋陽祐、中村佳博、河合洋二郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明、塩見 弘
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 遠赤外線輻射材コーティングによるハイパワーLEDシステムの放熱特性の改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 稲田 シュンコ アルバーノ、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、岩田美佐男
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 高Al組成AlGaNの伝導性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士、岡留由真、土屋陽祐、三宅泰人、本塩 彰、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : ZrB2バッファ層を用いたSi(111)基板へのIII族窒化物のエピタキシャル成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 櫻井靖彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、J. Tolle、J. Kouvetakis、I.S.T. Tsong
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : MOVPE-ELOによるサファイア溝基板上低転位AlNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 仲野靖孝、井村将隆、成田 剛、北野 司、藤元直樹、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、バラクリッシュナン クリッシュナン
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : サファイア溝基板上AlNのELO
    担当区分 : 共著
    講演者 : 成田 剛、藤元直樹、広瀬貴利、北野 司、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、バラクリシュナンクリシュナン、赤﨑 勇
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : MOVPE法による厚膜AlNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、仲野靖孝、北野 司、布施賢幸、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、バラクリッシュナン クリッシュナン、野呂 匡、坂東 章
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : MOVPE法による厚膜AlN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 藤元直樹、北野 司、成田 剛、布施賢幸、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、川島毅士、井村将隆、仲野靖孝、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩赤崎 勇
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : MOVPE法によるサファイアR面上GaNの高速成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 古川寛子、岡留由真、土屋陽祐、本塩 彰、広瀬貴利、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 昇華法による4H-SiC (30\overline{3}8) 面上へのAlN単結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 土屋法隆、成田 剛、仲野靖孝、坂野真男、井村将隆、クリッシュナンバラクリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 顕微ラマン分光法によるナイトライドLEDの微細領域での温度分布解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三島俊介、本塩 彰、三宅泰人、飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、若山雅文
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : AlGaN/GaN HEMTの相互コンダクタンスとシート抵抗に関する考察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 広瀬貴利、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第52回応用物理学関係連合大会
    開催年月日 : 2005年03月
  • タイトル : 紫外発光素子に向けたIII族窒化物半導体の結晶成長および今後の課題
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 日本学術振興会 第145委員会 第102回研究会
    開催年月日 : 2005年03月10日
  • タイトル : サファイアR面上に作製した紫色LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2004年10月
  • タイトル : Moth Eye発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2004年10月
  • タイトル : 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三宅泰人、本塩 彰、北野 司、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2004年10月
  • タイトル : サファイアR面オフ基板上へ作製したIII族窒化物半導体
    担当区分 : 共著
    講演者 : 本塩 彰、三宅泰人、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    開催年月日 : 2004年10月
  • タイトル : サファイアR面上の紫色発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : Moth Eye発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、岩谷谷顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 三宅泰人、本塩 彰、北野 司、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : 低転位AlGaNの微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、川島毅士、仲野靖孝、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、デビット・チャーン
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : R面サファイア基板上に作製したIII族窒化物半導体の微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、本塩 彰、仲野靖孝、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : サファイアR面オフ基板上へ作製したIII族窒化物半導体
    担当区分 : 共著
    講演者 : 本塩 彰、三宅泰人、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : A面サファイア基板のH2アニール
    担当区分 : 共著
    講演者 : 津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : 昇華法により作製したAlN結晶の微細構造観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 仲野靖孝、成田 剛、坂野真男、井村将隆、バラクリッシュナン・クリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡史
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : AlGaN/GaN HEMTの相互コンダクタンスに及ぼすオーミック接触抵抗の影響
    担当区分 : 共著
    講演者 : 広瀬貴利、本塩 彰、神保正宏、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第55回応用物理学会学術講演会
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : AlGaN系紫外発光素子
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 日本学術振興会162委員会「第38回研究会」
    開催年月日 : 2004年07月29日
  • タイトル : AlGaN系紫外レーザダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 窒化物半導体受光素子のパッシベーションの暗電流削減効果
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山下浩司、平野 光、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 高AlNモル分率n-AlGaNへのオーミック電極形成
    担当区分 : 共著
    講演者 : 春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 昇華法を用いた自然核発生によるAlN単結晶の成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 坂野真男、仲野靖考、成田 剛、Balakrishnan Krishnan、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡志
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 昇華法による6H-SiC(0001)面基板上へのAlN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 仲野靖考、成田 剛、坂野真男、Balakrishnan Krishnan、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡志
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 4H-SiC(30-38)基板上に作製したIII族窒化物半導体(3)-転位の挙動-
    担当区分 : 共著
    講演者 : 井村将隆、北野 司、本塩 彰、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : 4H-SiC(30-38)基板上に作製したIII族窒化物半導体(2)-成長圧力依存性-
    担当区分 : 共著
    講演者 : 本塩 彰、北野 司、井村将隆、宮崎敦嗣、川島毅士、飯田一喜、三宅泰人、春日井秀紀、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : (30-38)面4H-SiC基板上に作製したIII族窒化物半導体(1)-大気圧成長-
    担当区分 : 共著
    講演者 : 北野 司、本塩 彰、井村将隆、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : サファイア基板のH2アニールと低温AlNバッファ層特性の関係
    担当区分 : 共著
    講演者 : 津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : AlGaN/GaN超格子の電気的特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 神保正宏、窪田平和、広瀬貴利、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第51回応用物理学関係連合講演会
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : AlGaN系紫外発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 日本学術振興会125委員会「本委員会第181回研究会」
    開催年月日 : 2003年10月03日
  • タイトル : 低転位AlGaNを用いた紫外発光素子
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田 一喜、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(ED/CPM/LQE合同研究会)
    開催年月日 : 2003年10月02日
  • タイトル : 低転位AlGaNの結晶性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士,飯田一喜,宮崎敦嗣,井村将隆,岩谷素顕,上山智,天野浩,赤﨑勇
    会議名 : 第64回応用物理学会学術講演会('03秋)
    開催年月日 : 2003年08月30日
  • タイトル : ナイトライド紫外発光デバイスにおける超格子クラッド層の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 宮﨑敦嗣、川島毅士、飯田一喜、井村将隆、岩谷素顕、上山 智、天野 宏、赤﨑 勇
    会議名 : 第64回応用物理学会 学術講演会公演予稿集, No.1, P308
    開催年月日 : 2003年09月01日
  • タイトル : MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 下野健二、神保正弘、渡辺康弘、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第64回応用物理学会 学術講演会公演予稿集, No.1, P308
    開催年月日 : 2003年08月31日
  • タイトル : 高品質AlGaNのMOVPE成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士、宮崎敦嗣、飯田一喜、井村将隆、佐野智昭、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    開催年月日 : 2003年05月15日
  • タイトル : MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 下野健二、神保正弘、渡辺康弘、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    開催年月日 : 2003年05月15日
  • タイトル : 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫レーザダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    開催年月日 : 2003年05月15日
  • タイトル : 低転位AlGaNに作製した紫外LD
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第50回応用物理学会関係連合講演会
    開催年月日 : 2003年03月30日
  • タイトル : 導電性ZrB2基板上に作製した紫外発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、飯田一喜、川島毅士、福井伸次、宮崎敦嗣、高浪 俊、富田仁人、新田州吾、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、大谷茂樹、松田俊哉、木下博之
    会議名 : 第50回応用物理学会関係連合講演会
    開催年月日 : 2003年03月29日
  • タイトル : 導電性ZrB2基板を用いた高品質GaN成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 福井伸次、富田仁人、新田州吾、飯田一喜、高浪 俊、川島毅士、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、大谷茂樹、松田俊哉、木下博之
    会議名 : 第50回応用物理学会関係連合講演会
    開催年月日 : 2003年03月29日
  • タイトル : 高品質AlGaNのMOVPE成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士、宮崎敦嗣、飯田一喜、井村将隆、佐野智昭、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第50回応用物理学会関係連合講演会
    開催年月日 : 2003年03月28日
  • タイトル : 高品質AlGaNのMOVPE成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 川島毅士, 宮崎敦嗣,飯田一喜,岩谷素顕,上山智, 天野浩, 赤﨑勇
    会議名 : レーザー学会第23回年次大会
    開催年月日 : 2003年01月30日
  • タイトル : 低転位AlGaNに作製した高効率紫外LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : レーザー学会第23回年次大会
    開催年月日 : 2003年01月30日
  • タイトル : 光取り出し効率の改善による紫外LEDの高出力化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 高浪 俊,川島毅士,宮崎敦嗣,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第63回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年09月
  • タイトル : AlN/GaN超格子クラッド層の最適化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 宮崎敦嗣,川島毅士,高浪 俊,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    会議名 : 第63回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年09月
  • タイトル : AlGaN PINダイオードによる炎センサとその温度特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 平野 光、山本美和、西田克彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会技術研究報告
    開催年月日 : 2002年06月
  • タイトル : AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、高浪 俊、宮崎敦嗣、佐野智昭、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会技術研究報告
    開催年月日 : 2002年06月
  • タイトル : 紫外LEDの発光特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 高浪 俊、宮崎敦嗣、寺尾真二、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会技術研究報告
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一
    担当区分 : 共著
    講演者 : 佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、望月信吾、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会技術研究報告
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、佐野智昭、寺尾真二、望月信吾、佐野重和、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 電子情報通信学会技術研究報告
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : 低転位AlGaN上に作製した深紫外LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 高浪俊、宮崎敦嗣、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第49回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : AlGaN PINフォトダイオードの温度特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 山本美和、平野光、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第49回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : ファセット上に成長した低転位AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、寺尾真二、高浪俊、宮崎敦嗣、佐野智昭、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第49回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : AlGaN横方向成長機構(2)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、中村哲也、望月信吾、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第49回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : UV-LEDの特性評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 高浪俊、富田仁人、中村哲也、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第62回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年09月
  • タイトル : AlGaN横方向成長機構
    担当区分 : 共著
    講演者 : 佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、中村哲也、望月信吾、上山智、天野浩、赤﨑勇
    会議名 : 第62回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年09月
  • タイトル : GaN系紫外発光ダイオードの作製および評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 上山 智、岩谷素顕、寺尾真二、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第24回研究会
    開催年月日 : 2001年04月
  • タイトル : III族窒化物のマストランスポート特性(4)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、渡辺康弘、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第48回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : 圧縮状況下でのGaNの成長機構
    担当区分 : 共著
    講演者 : 寺尾真二、岩谷素顕、佐野智昭、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第48回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : GaN/AlGaNへテロバイポーラフォトトランジスタによる紫外微弱光検出
    担当区分 : 共著
    講演者 : 平野 光、R. Mouillet、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第48回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : AlGaN PINフォトダイオードによる火炎センサの実証
    担当区分 : 共著
    講演者 : 平野 光、C. Pernot、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第48回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : 低転位AlGaN上に作製した高効率UV-LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、寺尾真二、鵜飼 勉、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第48回応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : GaN/AlGaN多重量子井戸におけるV状欠陥の形成機構
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中村哲也、中村亮、望月信吾、岩谷素顕、天野浩、赤﨑 勇
    会議名 : 平成12年度電気関係学会東海支部連合大会
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : 低転位AlGaN上に作製したGaN/AlxGa1-xN MQWの発光特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、中村 亮、寺尾真二、鵜飼 勉、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : AlxGa1-xNの貫通転位密度の低減
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中村 亮、岩谷素顕、望月信吾、中村哲也、鵜飼 勉、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : AlxGa1-xN/GaNヘテロ構造の臨界膜厚の不純物濃度依存性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 寺尾真二、岩谷素顕、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : III族窒化物のマストランスポート特性(3)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、斎藤真一、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : 埋め込み再成長型GaN系半導体レーザ構造における自然放出スペクトルの評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鵜飼 勉、岩谷素顕、佐藤敏幸、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : AlGaNフォトトランジスタの受光特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Mouillet、C. Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detechprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : ソーラーブラインドGaN/AlGaNヘテロフォトダイオードの研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : AlxGa1-xN/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 寺尾真二、岩谷素顕、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : 低温中間層上のAlxGa1-xNの微細構造
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中村 亮、鹿嶋孝之、望月信吾、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : III族窒化物のマストランスポート特性(2)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、苅谷道彦、鹿嶋孝之、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第47回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : AlGaNフォトコンダクタによる火炎センサの研究
    担当区分 : 共著
    講演者 : ペルノ シリル、平野光、岩谷素顕、T. デートプロム、天野浩、赤崎勇
    会議名 : 第37回燃焼シンポジウム
    開催年月日 : 1999年12月
  • タイトル : サファイア上AlGaNの電子顕微鏡観察-低温堆積中間層の効果
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鹿嶋孝之、中村 亮、岩谷素顕、加藤久喜、山口栄雄,天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 応用電子物性分科会
    開催年月日 : 1999年11月
  • タイトル : FIBによるGaN系分布反射型レーザダイオードの作製検討
    担当区分 : 共著
    講演者 : 加藤久喜、磯村公夫、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
    会議名 : 平成11年度電気関係学会東海支部連合大会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : アルカリ水溶液を用いたAlxGa1-xNの光電気化学エッチング特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 矢野雅大、Theeradetch Detchprohm、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
    会議名 : 平成11年度電気関係学会東海支部連合大会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : AlxGa1-xN/GaNにおけるクラック発生機構の原子レベルでの解析
    担当区分 : 共著
    講演者 : 中村 亮、鹿嶋孝之、加藤久喜、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : 低温堆積中間層の熱処理による動的電子顕微鏡観察
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鹿嶋孝之、中村 亮、加藤久喜、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : 低温中間層を介して成長したGaNおよびAlGaNの歪制御
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、林 伸亮、鹿嶋孝之、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : AlGaN紫外線フォトディテクターの評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : Cyril Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第46回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : III族窒化物半導体レーザーにおける光閉じ込めの改善
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹内哲也、T. Detchprohm、岩谷素顕、林 伸亮、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇、金子 和、Y. Chen、山田範秀
    会議名 : 第46回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : 中間低温堆積層を介して成長させたAlxGa1-xNのTEM評価
    担当区分 : 共著
    講演者 : 鹿嶋孝之、細野篤史、桂川真樹、加藤久喜、岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第46回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年03月
  • タイトル : AlyGa1-yN中間低温層を用いたAlxGa1-xNの厚膜成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 林 伸亮、岩谷素顕、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第46回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年03月
  • タイトル : 中間低温層によるAlxGa1-xN混晶の高品質化
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、林 伸亮、鵜飼 勉、中村 亮、竹内哲也、鹿嶋孝之、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第46回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1999年03月
  • タイトル : 受光型火炎センサの研究 (応答速度、最小検出能力の改善)
    担当区分 : 共著
    講演者 : 平野 光、Cyril Pernot、岩谷 素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第36回燃焼シンポジウム
    開催年月日 : 1998年09月
  • タイトル : 歪制御したGaN/AlGaN量子井戸の成長および光学的特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹内哲也、林 伸亮、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1998年09月
  • タイトル : GaN上の高品質AlNの成長
    担当区分 : 共著
    講演者 : 林 伸亮、竹内哲也、岩谷素顕、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1998年09月
  • タイトル : 多段バッファー層上GaNの成長機構と特性
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、鹿嶋孝之、桂川真樹、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1998年09月
  • タイトル : 低温バッファー層挿入によるGaNエッチピット密度の低減
    担当区分 : 共著
    講演者 : 岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    会議名 : 第45回春季応用物理学関係関連講演会
    開催年月日 : 1998年03月
  • タイトル : Performance of nitride-based light emitting diodes using an Indium-zinc-oxide transparent electrode with moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shugo Mizutani, Satoshi Nakashima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Toshiyuki Kondo, Fumiharu Teramae, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Midori Mori, Masahito Matsubara
    会議名 : SPIE Photonic west 2013
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : Fabrication of moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS) and influence of height of corns on the performance of blue LEDs on MPSS
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takayoshi Tsuchiya, Shinya Umeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Toshiyuki Kondo, Tsukasa Kitano, Midori Mori, Atsushi Suzuki, Fumiharu Teramae, Hitoshi Sekine
    会議名 : SPIE Photonic west 2013
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : Introduction of the Moth-eye patterned sapphire substrate technology for cost effective high-performance LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : Koichi Naniwae, Midori Mori, Toshiyuki Kondo, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic west 2013
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : Influence of growth interruption on performance of nitride-based blue LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Naoki Sone, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic west 2013
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : High-sensitivity HFET type photosensors with a p-GaInN gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic west 2013
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : Carrier profiling technique for DUV LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yuta Furusawa, Inazu Tetsuhiko, Shinya Fukahori, Cyril Pernot, Myonghee Kim, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Yoshio Honda, Masashi Yamaguchi, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based LEDs with tunnel junctions
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yuka Kuwano, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shinya Umeda, Takahiro Kato, Tsukasa Kitano, Toshiyuki Kondo, Hiroyuki Matsubara, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Microstructure analysis of AlGaN on AlN underlying layers with different threading dislocation densities
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kimiyasu Ide, Yuko Matsubara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouji Yamashita, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Concentrating properties of nitride-based solar cells using different electrodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mikiko Mori, Shota Yamamoto, Shinichiro Kondo, Tatsuro Nakao, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two active regions with Mg-doped intermediate layers
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kenjo Matsui, Koji Yamashita, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tomoyuki Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Combination of ITO and SiO2/AlN dielectric multilayer reflective electrodes for UV light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tsubasa Nakashima, Kenichirou Takeda, Yuko Matsubara, Motoaki Iwaya, Tetyuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Nonpolar a-plane AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor grown on freestanding GaN substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Masataka Mizuno, Yasuhiro Isobe, Kazuya Ikeda, Mami Isiguro, Motoaki Iwaya, Tetuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Study on efficiency component estimation by electroluminescence and photoluminescence intensities
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Fabrication and characterization of AlGaInN quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tomoyuki Suzuki, Mitsuru Kaga, Koichi Naniwae, Tsukasa Kitano, Kesuke Hirano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Strain relaxation mechanism in GaInN/GaN heterostructure characterized by in situ XRD monitoring during growth and ex situ measurements
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroyuki Matsubara, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Shinya Umeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yasunari Kondo, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Hiroyuki Matsubara, Mihoko Sowa, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : High sensitivity extremely nitride-based heterofield-effect-transistor-type photosensors
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Fabrication of AlInN/GaInN MIS heterostructure field-effect transistors
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures
    担当区分 : 共著
    講演者 : Toshiki Yasuda, Kouta Yagi, Tomoyuki Suzuki, Tsubasa Nakashima, Masahiro Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Optimization of crystalline quality of GaN using low temperature buffer layer by in situ X-ray diffraction monitoring
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Realization of high efficiency nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Mikiko Mori, Shinichiro Kondo, Shota Yamamoto, Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Strain Relaxation Mechanism in GaInN/GaN Heterostructure Characterized by in situ X-ray Diffraction Monitoring During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Yasunari Kondo, Hiroyuki Matsubara, Mihoko Sowa, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : 39th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2012年08月
  • タイトル : Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kondo, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, H. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S.Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2012年07月
  • タイトル : Observation of GaInN strain relaxation by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapour phase epitaxy growth
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H. Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2012年07月
  • タイトル : Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kouta Yagi, Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Kenichirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeichi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    開催年月日 : 2012年05月
  • タイトル : Microstructure of AlGaN on Low-Dislocation Density AlN Underlying Layer Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kimiyasu Ide, Junichi Yamamoto, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    開催年月日 : 2012年05月
  • タイトル : In-Situ Real-Time X-Ray Diffraction Study during Ga1-xInxN/GaN Heterostructure Growth by MOVPE for Understanding Strain Relaxation Mechanism
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Daiki Tanaka, Toru Sugiyama, Mihoko Sowa, Yasunari Kondo, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    開催年月日 : 2012年05月
  • タイトル : Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    開催年月日 : 2012年05月
  • タイトル : Observation of GaInN strain relaxation using in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, D. Iida, D. Tanaka, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 5th LED and solid state lighting conference
    開催年月日 : 2012年02月
  • タイトル : Understanding the relationship between IQE and defects in nitride-based LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya and Hiroshi Amano
    会議名 : 2012 SPIE Photonics west
    開催年月日 : 2012年01月
  • タイトル : Optimization of electrode structure in GaInN based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shota Yamamoto, Mikiko Mori, Tatsuro Nakao, Shinichiro Kondo, Yosuke Kuwahara, Yoshiki Morita, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    会議名 : 2012 SPIE Photonics west
    開催年月日 : 2012年01月
  • タイトル : Concentrating properties of nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Mikiko Mori, Shota Yamamoto, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Tatsuro Nakao, Shinichiro Kondo, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    会議名 : 2012 SPIE Photonics west
    開催年月日 : 2012年01月
  • タイトル : Improvement of the light extraction efficiency in the GaN based LED by moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Toshiyuki Kondo, Akihiro Ishihara, Tsukasa Kitano, Koichi Naniwae, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The 11th International Meeting on Information Display
    開催年月日 : 2011年10月
  • タイトル : Metalorganic Vapor Epitaxy growth of nitrides analyzed using a novel in situ X-ray diffraction system
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroki Aoshima, Mikiko Mori, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Kousuke Takehara, Syun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Development of Deep UV-Light Source Based on High Power AlGaN LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot, T. Inazu, S. Fukahori, M. H. Kim, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Yamaguchi. Y. Honda, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Internal quantum efficiency of whole-composition-range AlGaN multiquantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Junichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Kenichiro Takde, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Relationship between the crystalline quality and characteristics in nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Fujii, Yosuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Fabrication and characterization of nonpolar a-plane nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tatsuro Nakao, Yasuharu Fujiyama, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Syota Yamamoto, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : GaInN channel HFET with high InN molar fraction
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Tatsuyuki Sakakibara, Kazuya Ikeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yasuhiro Isobe, Yuki Yasue, Yoshinori Oshimura, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Improvement of light extraction efficiency of nitride-based blue LEDs on moth-eye patterned sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Toshiyuki Kondo, Akihiro Ishihara, Tsukasa Kitano, Shuji Yamaguchi, Atsushi Suzuki, Kazuki Teshima, Satoru Maeda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Dependence of Internal Quantum Efficiency on Emission Wavelength in Nitride-Based LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Yamaguchi, D. Iida, T. Kitano, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Growth of AlInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Mishima, T. Makino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, S. Sakakura, T. Tanikawa, Y. Honda, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Two-dimensional electron gases in AlGaN channel high electron mobility transistors with AlN barrier layers
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, K. Takeda, M. Iwaya, Y. Honda, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Nonpolar a-plane AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor grown on freestanding GaN substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Al-based high reflectance p-type electrode for UV-LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kousuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Syun Ito, Hiroki Aoshima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Growth of GaN and AlGaN on -Ga2O3 (100) substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Syun Ito, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hiroki Aoshima, Kosuke Takehara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Freestanding highly crystalline single crystal AlN substrates grown by a novel closed sublimation method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, and Masanobu Azuma
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Fabrication of the High Efficiency GaInN Based Solar Cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motaoki Iwaya, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Yoshiki Morita, Tatsuya Nakao, Syota Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : 16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI), School of Information and Communication Technology
    開催年月日 : 2011年06月
  • タイトル : Internal quantum efficiency of nitride-basedlight emitting devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, T. Tabata, G. J. Park, T. Murase, T. Sugiyama, T. Tanikawa, Y. Kawai, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : High temperature MOVPE of AlGaN for UV/DUV devices and increased pressure MOVPE of InGaN for green/yellow devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroshi Amano, Toshiya Ohata, Seiya Sakakura, Takayuki Sugiyama, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Naoya Miyoshi, Mamoru Imade, Yusuke Mori, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    会議名 : E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, G. J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nagata, K. Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : CLEO 2011
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : Growth of High Quality AlGaInN over the Whole Compositional Range by High Temperature and Raised Pressure MOVPE System
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, G.J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nonaka, K.Nagata, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    会議名 : Institute of Physics, Microscopy of Semiconducting Materials 2011
    開催年月日 : 2011年04月
  • タイトル : Fabrication of high effi ciency LED using moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Sakurai, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2011年01月
  • タイトル : Realization of high-conversion-efficiency GaInN based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, Y. Kuwahara, T. Fujii, Y. Fujiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2011年01月
  • タイトル : High-InN-molar-fraction Nitride-based Solar Cells using GaInN/GaInN Superlattice
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Fujii, Yosuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Realization of Extremely Low Leakage Current in AlGaN/GaN HFETs by Pulsed Injection of Mg Source before Growth of Undoped GaN Buffer Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : GaInN/AlGaN Heterostructure Field-effect Transistors
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Drain Bias Stress and Memory Effect in AlGaN/GaN Heterostructure Field-effect Transistor with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Development of High Efficiency 255-350 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Injection Efficiency in AlGaN-based UV Laser Diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Transparent Electrode for UV Light-Emitting-Diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hisashi Sakurai, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Microstructure of GaInN/GaInN Superlattice on GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Toru Sugiyama, Yousuke Kuwabara, Yasuhiro Isobe, Takahiro Fujii, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Compensation Effect of Mg-doped a- and c-plane GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Kenta Tamura, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Optimization of Initial Growth of the Nonpolar m-plane and a-plane GaN Grown on LPE-GaN Substrates by Na Flux Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : Selective formation of porous SiC by anodic method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takuya Yokoi, Fumiharu Teramae, Shinichi Ezaki, Takuya Nishimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月
  • タイトル : Transmission-electron-microscope characterization of AlGaN/GaN heterostructure on miscut GaN substrate grown by Na flux method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tatsuyuki Sakakibara, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imada, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月
  • タイトル : Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroshi Amano, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月
  • タイトル : Reduction in threshold current density of UV laser diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kengo Nagata, Kentaro Nonaka, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : Microstructure of Thick AlGaN Epilayers Using Mg-doped AlN Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nonaka, T. Asai, K. Ban, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and Z. H. Wu
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : Fabrication of nitride-based solar cells on freestanding GaN substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : Homoepitaxial growth of m-plane GaN film on miscut GaN substrates grown by Na flux method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Isobe, D. Iida, T. Sakakibara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : Recent development and future prospects of the fabrication of GaInN-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, T. Sugiyama, Y .Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 37th International Conference of Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : Optical waveguide layers in UV laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kenichiro Takeda, Tomoki Ichikawa, Kengo Nagata, Daisuke Sawato, Yuji Ogiso, YoshinoriOshimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa, Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    会議名 : The 37th International Conference of Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : Role of stacking faults in misfit strain relaxation in m-plane InGaN quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. M. Fischer, Z. H. Wu, F. A. Ponce, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, and H. Amano
    会議名 : The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2011)
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : Strain relaxation of AlGaN grown on AlN templates by misfit dislocation generation
    担当区分 : 共著
    講演者 : Z. H. Wu, K. Nonaka, Y. Kawai, T. Asai, F. A. Ponce, C. Q. Chen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : AlGaN Growth on (100) QUOTE -Ga2O3 by Metal-Organic Vaper Pahse Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kawai, S. Itoh, K.Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : Ga0.89In0.11N/GaN Double Heterojunction p-i-n Solar Cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : High Temperature Operation of Normally Off AlGaN /GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : Growth of GaInN films by raised pressure MOVPE at 200kPa
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Kensuke Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : Reduction in operating voltage of UV laser diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Yuji Ogiso, Kengo Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2010年01月
  • タイトル : Realization of Extreme Light Extraction Efficiency for Moth-eye LEDs on SiC substrate using High-reflection Electrode
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li, K. Su
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN Substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Oshimura, K. Takeda, T. Sugiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh, T. Udagawa
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Nitride-based Light-emitting Solar Cell
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Threshold Voltage Control using SiNx in Normally Off AlGaN/GaN HFET with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S.Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Light-Emitting Diodes with GaInN/GaN Multi-Quantum Wells Grown on (1011) Plane Thick GaInN Template
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Matsubara, R. Kawai, K. Tamura, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : High Pressure MOVPE System with High-Speed Switching Valves for the Realization of High-Quality AlGaNat Low Temperatures
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Internal Quantum Efficiency of GaN/AlGaN Multi Quantum Wells on Different Dislocation Density Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Defects in Highly Mg-Doped AlN
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nonaka, T. Asai, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Growth of GaInN Films by High Pressure MOVPE System at 200kPa
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Kentaro Nagamatsu, Kensuke Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama1, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : Growth and Characterization of GaN Grown on Moth-Eye Patterned Sapphire Substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Ishihara, H. Sakurai, R. Kawai, T. Kitano, A. Suzuki, T. Kondo, M. Iwaya, H. Amano1, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : High-performance group-III-nitride-based light-emitting solar cells (LESCs)
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, D. Iida, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Conference on Advanced Materials (ICAM)
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : Strain control in GaInN/GaN multiple quantum wells for high-performance green-light emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Matsubara, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : E-MRS Fall Meeting
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : GaInN/GaN p-i-n Light-Emitting Solar Cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : High Efficiency Blue-Violet Light Emission in Porous SiC Produced by Anodic Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : Atomic Layer Epitaxy of AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M.Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : Temperature Dependence of Normally Off Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : Growth and conductivity control of high-quality-thick GaInN for the realization of high-efficiency photovoltaic cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, Y. Morita, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 2nd Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2009)
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : Semiconducting and Insulating Materials Conference
    開催年月日 : 2009年06月
  • タイトル : Growth of low-dislocation-density AlGaN for the realization of high-performance ultraviolet laser diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, H. Tsuzuki, T. Mori, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : The 3rd Int'I Conference on Display & Solid State Lighting
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high-performance ultraviolet laser diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, K. Nagamatsu, K. Takeda, T. Mori, H. Tsuzuki, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : Optical properties of a- and m-plane GaN grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    講演者 : Plamen P. Paskov, Bo Monemar, Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : Fabrication technique for Moth-Eye structure using low-energy electron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Seko, S. Mabuchi, F. Teramae, A. Suzuki, Y. Kaneko, K.Ryosuke, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : High-performance normally-off-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Nega, K. Mizuno, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure -field-effect transistor with a p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Miura, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Realization of high crystalline quality and thick GaInN films
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Senda, T. Matsubara, A. Miura, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : High-reflectivity Ag-based ohmic contacts for blue light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Activation energy of Mg in AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kentaro Nagamatsu, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Microstructure in AlxGa1-xN grown on AlN
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Mori, T. Asai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    開催年月日 : 2008年10月
  • タイトル : Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : W. Ochiai, R. Kawai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 35th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2008年09月
  • タイトル : InGaN growth with various indium composition on m-plane of ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2008年07月
  • タイトル : Growth of thick GaInN on grooved (10-1-1) GaN/(10-1-2) 4H-SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : Tetsuya Matsubara, Ryota Senda, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2008年07月
  • タイトル : A-plane GaN using one-sidewall epitaxial lateral overgrowth technique by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2008年07月
  • タイトル : Novel UV devices on high quality AlGaN using grooved template
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hirotoshi Tsuzuki, Fumiaki Mori, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    会議名 : Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2008年07月
  • タイトル : Relaxation process of AlxGa1-xN grown on high-crystalline-quality AlN
    担当区分 : 共著
    講演者 : Toshiaki Asai, Kensuke Nagata, Toshiaki Mori, Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2008年07月
  • タイトル : InGaN Growth on Non-Polar Plane of ZnO Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : 2008 Electronic Materials Conference
    開催年月日 : 2008年06月
  • タイトル : Control of p-type conduction in a-plane GaInN grown on r-plane sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Masako Hayashi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    会議名 : 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2008年06月
  • タイトル : Control of the stress and crystalline quality in GaInN films used for green emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : Motoaki Iwaya, Aya Miura, Ryota Senda, Tetsuya Nagai, Takeshi Kawashima, Daisuke Iida, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    会議名 : 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2008年06月
  • タイトル : Growth of Thick InGaN with the Aim of Realizing Bright Green LEDs and LD
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroshi Amano, Yojiro Kawai, Aya Miura, Ryota Senda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    会議名 : Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition (DSSL), The 2nd International Conference on Display and Solid State Lighting (DSSL 2008)
    開催年月日 : 2008年01月
  • タイトル : Photoluminescence study of near-surface GaN/AlN superlattices
    担当区分 : 共著
    講演者 : Plamen P. Paskov, Bo Monemar, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2008年01月
  • タイトル : Thick InGaN growth on several crystal planes of ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2008年01月
  • タイトル : Nitride-Based UV Lasers
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007)
    開催年月日 : 2007年10月
  • タイトル : All MOVPE grown nitride-based blue LED having sub mm thick GaN underlayer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yuki Tanaka, Jun Ando, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    会議名 : The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    開催年月日 : 2007年10月
  • タイトル : Effect of sapphire mis-orientation on the growth of AlN by high temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Akira Bando, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    開催年月日 : 2007年10月
  • タイトル : Growth of thick GaInN on patterned m-plane 6H-SiC substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : Ryota Senda, Takeshi Kawashima, Daisuke Iida, Aya Miura, Tetsuya Nagai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    会議名 : The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    開催年月日 : 2007年10月
  • タイトル : InGaN growth on ZnO (0001) substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    開催年月日 : 2007年10月
  • タイトル : UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kazuyoshi Iida, Fumiaki Mori, Hirotaka Watanabe, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Fabrication of GaInN MQW LED with Low Defect Density on m-Plane SiC Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takeshi Kawashima, Takeshi Hayakawa, Masako Hayashi, Tetsuya Nagai, Daisuke Iida, Aya Miura, Yoshinao Kasamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Stimulated Emission from Nonpolar and Polar AlN
    担当区分 : 共著
    講演者 : Narihito Okada, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bando, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Nonpolar GaN Layers Grown by Sidewall Epitaxial Lateral Overgrowth: Optical Evidences for a Reduced Stacking Fault Density
    担当区分 : 共著
    講演者 : Plamen Paskov, Bo Monemar, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Internal Quantum Effi ciency of AlxGa1-xN (0
    担当区分 : 共著
    講演者 : Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bando, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Sidewall Epitaxial Lateral Overgrowth of Nonpolar GaN by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Growth and Properties of Non-Polar Nitrides on Various Substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroshi Amano, Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Critical Issue in Growing High Quality Thick AlGaN by High-Temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Shuuya Sato, Hiroki Sugimura, Narihito Okada, Masataka Imura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : High Drain Current and Low Loss Normally-Off Mode AlGaN/GaN Junction HFETs with p-Type GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Fujii, Shogo Nakamura, Katsutoshi Mizuno, Ryota Nega, Mototaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Extremely Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by High Temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Balakrishnan Krishnan, Hiroki Sugimura, Akira Bandoh, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Microstructure of Threading Dislocations Caused by Grain Boundaries in AlN on Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Masataka Imura, Hiroki Sugimura, Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    会議名 : The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2007年09月
  • タイトル : Microstructure of AlN grown on SiC by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy and epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    講演者 : Masataka Imura, Narihito Okada, Balakrishnan Krishnan, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Bandoh Akira
    会議名 : The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2007年08月
  • タイトル : High temperature MOVPE growth– a novel approach to grow high quality AlN layers
    担当区分 : 共著
    講演者 : Balakrishnan Krishnan, Masataka Imura, Syuya Satoh, Hiroki Sugimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2007年08月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Fumiaki Mori, Kazuyoshi Iida, Masataka Imura, Balakrishnan Krishnan, Akira Bandoh, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    会議名 : The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2007年08月
  • タイトル : High temperature metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlN and AlGaN for fabrication of high performance UV/DUV emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : Krishnan Balakrishnan, Kazuyoshi Iida, Hirotaka Watanabe, Hiroshi Amano, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    会議名 : 17th International Vacuum Congress (IVC-17), 13 International Conference on Surface Science (ICSS-13)
    開催年月日 : 2007年07月
  • タイトル : High temperature growth of AlN and AlGaN for UV/DUV devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Imura , K. Balakrishnan, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi and Akira Bandoh
    会議名 : The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    開催年月日 : 2007年03月
  • タイトル : Key issues for achieving high-efficiency nonpolar nitride based light emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H Amano, T Kawashima, D Iida, M Iwaya, S Kamiyama, I Akasaki
    会議名 : The 1st International Conference on Display LEDs In association with The 5th International Workshop on Industrial Technologies for Optoelectronic Semiconductors
    開催年月日 : 2007年01月
  • タイトル : Comparative study of the crystalline quality and performance of the nitride-based light-emitting diodes with c-plane, a-plane, and m-plane heterostructures
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Tsuchiya, Y. Okadome, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2007年01月
  • タイトル : Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV-light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, K. Nagamatsu, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2007年01月
  • タイトル : High performance enhancement-mode AlGaN/GaN junction heterostructure filed effect transistors with p-type GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2006年11月
  • タイトル : High temperature MOVPE growth of AlxGa1-xN (x=0.2-1) layers. on sapphire and SiC substrates for the fabrication deep UV optical devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Krishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2006年11月
  • タイトル : Low-dislocation-density a-plane GaN over whole wafer on r-sapphire using one-step lateral growth
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, T. Nagai, T. Kawashima, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2006年11月
  • タイトル : Extremely large S/N ratio of UV detector based on AlGaN/GaN JH-FET with p-GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Miura, T. Fujii, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2006年11月
  • タイトル : Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Mg-Doped high quality AlxGa1-xN (x=0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Optical investigation of the well width fluctuations in MOCVD-grown GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, S. Kamiyama , M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Photoluminescence evaluation of electron concentration in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Microstructure of a-plane AlN ELO layer grown by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high crystalline quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Iida, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Growth of Low-Defect-Density M-Plane GaN in Entire Area on M-Plane 4H-SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : One-Step Lateral Growth for Reduction of Total Defect Density in A-Plane GaN on R-Sapphire Substrate by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    開催年月日 : 2006年10月
  • タイトル : Dependence of DAP Emission Properties on Impurity Concentrations in N-and-B-Doped 6H-SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : Satoshi Murata, Yoshihiro Nakamura, Tomohiko Maeda, Yoko Shibata, Mina Ikuta, Masaaki Sugiura, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, MasahiroYoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita
    会議名 : 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2006年09月
  • タイトル : Epitaxial Lateral Overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN by HT-MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Okada, N. Kato, S.Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    会議名 : First International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2006年06月
  • タイトル : Characterization of High Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN using V/III Ratio Modulation Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K.Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A.Bandoh
    会議名 : First International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2006年06月
  • タイトル : Microstructure in nonpolar m-plane AlGaN films
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Nagai, T. Kawashima, K. Nakano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : High-rate growth of AlGaN having high crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : Optimization of AlN growth by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AlGaN on sapphire with a whole compositional range and their application to UV light emitting devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : Realization of high-crystalline-quality m-plane AlGaN films on m-plane SiC substrates by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kawashima, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, Y. Miyake, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AlN on patterned AlN layers
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2006年05月
  • タイトル : Simulation and fabrication of nitride-based moth-eye light-emitting diodes from UV to red region
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Nakashima, H. Kasugai, A. Deguchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The International Society for Optical Engineering
    開催年月日 : 2006年01月
  • タイトル : High-Speed and High-Quality Epitaxial Growth of 6H-SiC by Closed Sublimation Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Furusho, H. Kinoshita and M. Yoshimoto
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Thermalization and Recombination Kinetics of Excitons in thick AlN Epilayers
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Riemann, J. Christen, T. Schulze, A. Hoffmann, K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Highly p-Type a-GaN Grown on r-Plane Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Tsuchiya, Y. Okadome, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Normally Off-Mode AlGaN/GaN HFET with p-Type Gate Contact
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Characterization of a-plane AlGaN/GaN heterostructure grown on r-plane sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, H. Furukawa, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Realization of high-crystallinity a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate for high-performance light-emitting device
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Okadome, Y. Tsuchiya, H. Furukawa, K. Nagamatsu, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    会議名 : Materials Research Society Fall Meeting
    開催年月日 : 2005年11月
  • タイトル : Recent Progress in Nitride-based UV Light Emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 18th Annual Meeting of the IEEE Laser & Electron-Optics Society (LEOS 2005)
    開催年月日 : 2005年10月
  • タイトル : 6H-SiC homoepitaxial growth and optical property of boron- and nitrogen-doped donor accepter pair (DAP) states on 1°-off substrate by closed-space sublimation method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kawai, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, M. Yoshimoto, T. Furusho, H. Kinoshita, H. Shiomi
    会議名 : 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2005年09月
  • タイトル : Microscopic luminescence properties of crack-free thick AlN ELO-grown on patterned sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Riemann, J. Christen, N. Fujimoto, T. Kitano, G.. Narita, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Cathodoluminescence micro-analysis of AlN MOVPE-grown on 6H-SiC substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Riemann, J. Christen, K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Microstructure of MOVPE grown AlN ELO layers
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nakano, M. Imura, G.. Narita, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Microstructure of thick AlN epilayers grown on sapphire by high temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K.Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Moth-eye light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Control of nucleation and realization of high-quality and thick AlN on sapphire by high temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : The dominant shallow 0.225 eV acceptor in GaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, T Paskova, J. P. Bergman, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Kimura, S. Figge and D. Hommel
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC and sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T.Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann and J. Christen
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Thermodynamical aspects on growth of high-quality AlGaN by high-temperature MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Okada, N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of AIN on sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : G. Narita, N. Fujimoto, Y. Hirose, T. Kitano, T. Kawashima, K. Iida, M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Trend of substrate materials for nitride epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : The 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Hirose, A. Honshio, T. Kawashima, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Imura, A. Honshio, Y. Miyake, K. Nakano, M. Tsuda, K.Balakrishnan, N. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    開催年月日 : 2005年07月
  • タイトル : A hydrogen-related shallow donor in GaN?
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, J P Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    開催年月日 : 2005年07月
  • タイトル : Moth Eye Structured High-Efficiency Nitride-Based Light-Emiting Diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, S. Mishima, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano
    会議名 : TWELFTH INTERNATIONAL CONFERENCE on COMPOSITES/NANO ENGINEERING (ICCE-12)
    開催年月日 : 2005年08月
  • タイトル : Improvement of light extraction efficiency in group III nitride based LED by moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : 13th International Congress on Thin Films and 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF 13/ACSIN 8)
    開催年月日 : 2005年06月
  • タイトル : Physics and Simulation of Group-III-Nitride-Based Moth-Eye LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The International Society for Optical Engineering
    開催年月日 : 2005年01月
  • タイトル : Fabrication of UV devices on various plane substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, H. Kasugai, K. Balakrishnan, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The International Society for Optical Engineering
    開催年月日 : 2005年01月
  • タイトル : Group III Nitrides Grown on 4H-SiC (30-38) Substrate by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Honshio, T. Kitano, M. Imura, Y. Miyake, H. Kasugai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Electrical Properties of AlGaN/GaN Superlattices Grown by MOVPE for Application to High electron Mobility Transistor
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Tsuda, M. Jinbo, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Study on the Sublimation Growth of AlN Bulk Crystals
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Krishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Nitride-Based Light Emitting Diodes Grown on Particular Substrates: ZrB2, (30-38) SiC and R-faced Sapphire
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Impact of H2-preannealing of Sapphire Substrate on Crystallization of Low-Temperature Deposited AlN Buffer Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Moth-eye Light Emitting Diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2004年11月
  • タイトル : Defect and Stress Control of AlGaN and Fabrication of High Performance UV Light Emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, K. Iida, T. Kawashima, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : Inc. 2004 Joint International Meeting
    開催年月日 : 2004年10月
  • タイトル : UV Laser Diode with 350.9nm-Lasing Wavelength Grown on AlGaN Template
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, K. Iida, T. Kawashima, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya
    会議名 : International Semiconductor Laser Conference
    開催年月日 : 2004年09月
  • タイトル : Photoluminescence of GaN/AlN superlattices grown by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : P. Paskov, P. Bergman, V. Darakchieva, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2004年07月
  • タイトル : GaN Growth on (30-38) 4H-SiC Substrate for Reduction of Internal Polarization
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, A. Honshio, T. Kitano, M. Iwaya, H.Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2004年07月
  • タイトル : 350.9 nm UV Laser Diode Grown on Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2004年07月
  • タイトル : Sublimation growth of AlN single crystals by seeded and spontaneous nucleation method
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    会議名 : The 23rd Electronic Materials Symposium
    開催年月日 : 2004年06月
  • タイトル : Impact of H2-preannealing of the sapphire substrate on the crystallization of low-temperature-deposited AlN buffer layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 23rd Electronic Materials Symposium
    開催年月日 : 2004年06月
  • タイトル : Development of AlN-based semiconductor devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : The 23rd Electronic Materials Symposium
    開催年月日 : 2004年06月
  • タイトル : Growth and fabrication of nitride-based UV devices on various substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : 4th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructure
    開催年月日 : 2004年06月
  • タイトル : High-Quality Al0.12Ga0.88N Film with Low Dislocation Density Grown on Facet Controlled Al0.12Ga0.88N by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kawashima, K. Iida, A. Miyazaki, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 12th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2004年05月
  • タイトル : Laser diode of 350.9 nm grown on low-dislocation-density AlGaN by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, Y. Miyake, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 12th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2004年05月
  • タイトル : Radiative recombination processes in Al0.07Ga0.93N/GaN multiple quantum well structures
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, J P Bergman, E Valcheva, B. Arnaudov, A. Kasic, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The fifth International Symposium on Blue Laser and Light Emitting diodes
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : Critical issues for achieving high efficiency/high power nitride-based UV devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, S. Kamiyama, M. Iwaya I. Akasaki, F. Ponce and D. Cherns
    会議名 : The fifth International Symposium on Blue Laser and Light Emitting diodes
    開催年月日 : 2004年03月
  • タイトル : Optical investigation of AlGaN/GaN wells and superlattices
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, J. P. Bergman, E. Valcheva, V. Darakchieva, B. Arnaudov, T. Paskova, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The IC on Photo-Responsive Materials
    開催年月日 : 2004年01月
  • タイトル : Substrate issue for achieving the high quality AlGaN films
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Symposium on Surface Physics 2004
    開催年月日 : 2003年12月
  • タイトル : Recent progress and future prospect of nitride light emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)12月研究会 (ISLC2004プレコンフェレンス)
    開催年月日 : 2003年12月
  • タイトル : Improvement of light extraction efficiency of UV-LED grown on low-dislocation-density AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2003年05月
  • タイトル : Violet and UV light-emitting diode grown on ZrB2 substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, S. Takanami, Y. Tomida, K. Iida, S. Fukui, M. Iwaya, H. Kinoshita, T. Matsuda, T. Yasuda, S. Otani, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2003年05月
  • タイトル : UV laser diode grown on low dislocation AlGaN using low-temperature AlN interlayer and lateral seeding epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, S. Takanami, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2003年05月
  • タイトル : Optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. Paskov. H. Haratizadeh, G. Pozina, J. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Proceeding of SPIE Int. Soc. Opt. Eng.
    開催年月日 : 2003年
  • タイトル : Growth and fabrication of nitride-based LED on metallic substrate for application to high-power device and flexible display
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, Y. Tomida, K. Iida, T. Kawashima, S. Fukui, S. Kamiyama, I. Akasaki H. Kinoshita, T. Matsuda and S. Otani
    会議名 : Proceeding of SPIE Int. Soc. Opt. Eng.
    開催年月日 : 2003年
  • タイトル : Growth and properties of AlGaN for UV devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, S. Takanami, Y. Tomida, M. Iwaya, S. Nitta, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : MRS Fall meeting
    開催年月日 : 2002年12月
  • タイトル : Optical study of AlGaN/GaN multiple quantum well structures grown on laterally overgrown GaN templates
    担当区分 : 共著
    講演者 : G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides
    開催年月日 : 2002年09月
  • タイトル : Phonon-assisted photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : P. P. Paskov, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors, 304
    開催年月日 : 2002年07月
  • タイトル : Photoluminescence study of Si doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July, 2002
    開催年月日 : 2002年09月
  • タイトル : Nitride-based UV light emitting devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Kamiyama and I. Akasaki
    会議名 : Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July, 2002
    開催年月日 : 2002年09月
  • タイトル : High-efficiency UV light-emitting diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2002年07月
  • タイトル : Characterization of AlN/GaN superlattice p-type cladding layer and UV light-emitting diode fabricated on low dislocation density AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Terao, S. Takanami, A. Miyazaki, Satoshi Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2002年07月
  • タイトル : Optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, G. Pozina, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The Nanostructures, Physics and Technology 10, Nano 2002
    開催年月日 : 2002年06月
  • タイトル : Photoluminescence study of Si doped GaN/GaN/Al0.07Ga0.93N multi quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The NANO-7/ECOSS-21
    開催年月日 : 2002年06月
  • タイトル : The influence of Si-donor doping on the exciton localization in modulation-doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : Photoluminescence of n-doped InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well structures, role of depletion fields and polarization fields
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : Group III Nitride-Based UV Light Emitting Devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, S. Takanami, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasak
    会議名 : Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    開催年月日 : 2002年05月
  • タイトル : Influence of depletion fields on photoluminescence of n-doped InGaN/GaN Multiple Quantum Well structures
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Pakov, G. Pozina, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Forth International Symposium on Blue laser and Light Emitting Diodes
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : UV Light-Emitting Diode Fabricated on Hetero-ELO-Grown Al0.22Ga0.78N with Low Dislocation Density
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, S. Takanami, S. Terao, A. Miyazaki, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Forth International Symposium on Blue laser and Light Emitting Diodes
    開催年月日 : 2002年03月
  • タイトル : Photoluminescence of excitons in n-type In0.11Ga0.89N/In0.01Ga0.99N multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2001年11月12日
  • タイトル : Photoluminescence and electroluminescence characterization of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum well light emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : J. P. Bergman, G. Pozina, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001
    開催年月日 : 2001年10月
  • タイトル : Photoluminescence of excitons in In(x)Ga(1-x)N/In(y)Ga(1-y)N Multiple quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, T. Paskova, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    開催年月日 : 2001年09月
  • タイトル : Nitride-Based UV-Light Emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : H.Amano, M.Iwaya, S.Nitta, S.Kamiyama and I.Akasaki
    会議名 : 2001 Optical Society of America, Annual Meeting/ILS XVII
    開催年月日 : 2001年10月
  • タイトル : Present and Future Nitride Based Devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H.Amano, M.Iwaya, S.Nitta, S.Kamiyama and I.Akasaki
    会議名 : Solid State Devices and Materials 2001
    開催年月日 : 2001年09月
  • タイトル : Structural Analysis of Si-doped AlGaN/GaN Multi Quantum Well
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Nakamura, S. Mochizuki, R. Nakamura, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    開催年月日 : 2001年08月
  • タイトル : Control of Stress and Defect in Nitrides
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, T. Detchprohm, S. Kamiyama, I. Akasaki
    会議名 : The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    開催年月日 : 2001年08月
  • タイトル : Growth of GaN under Compressive Stress
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Terao, M. Iwaya, T. Sano, T. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    開催年月日 : 2001年08月
  • タイトル : Realization of Crack-Free, Low-Defect and Thick AlxGa1-xN for UV Emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    開催年月日 : 2001年08月
  • タイトル : Demonstration of Flame Detection in Room Light Background by Solar-Blind AlGaN pin Photodiode
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2001年07月
  • タイトル : The temperature dependence of the recombination processes for n-type modulation doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The Annual Physics Conference of Iran
    開催年月日 : 2001年08月
  • タイトル : Optical characterization of InGaN/GaN MQW structures without In phase segregation
    担当区分 : 共著
    講演者 : B. Monemar, P. P. Paskov, G.. Pozina, T. Paskova, J. P. Bergman, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2001年07月
  • タイトル : Optical Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy With Employment of Mass-Transport Template
    担当区分 : 共著
    講演者 : J.P. Bergman, G. Pozina, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2001年07月
  • タイトル : High efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, S. Takanami, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2001年07月
  • タイトル : Evidence for Absence of In Segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : P.P. Paskov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2001年07月
  • タイトル : Microscopic optical properties of high quality InGaN MQWs grown on patterned GaN/LT-AlN/Sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, TU Berlin, Hardenbergstr, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : European Material Research Society
    開催年月日 : 2001年06月
  • タイトル : Direct imaging of micro-domains in crack-free AlGaN grown on patterned GaN/Sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, TU Berlin, Hardenbergstr, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : European Material Research Society
    開催年月日 : 2001年06月
  • タイトル : In plane GaN/AlGaN heterostructure fabricated by mass transport planer technology
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : European Material Research Society
    開催年月日 : 2001年06月
  • タイトル : Stress control of AlGaN/GaN heterostructure using low-temperature-deposited AlGaN interlayer
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Terao, T. Ukai, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : Mass transport in nitride
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high efficiency UV-LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : In-situ observation of fracture during growth of AlGaN on GaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    開催年月日 : 2001年03月
  • タイトル : Transverse mode control in GaN based laser diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Sato, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao and I. Akasaki
    会議名 : Photonics West SPIE4283 Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX
    開催年月日 : 2001年01月
  • タイトル : Control of strain and defects in nitride MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, R. Nakamura, S. Kamiyama, C. Wetzel and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2000年12月
  • タイトル : High efficiency UV emitter based on high-quality GaN/AlxGa1-xN multi-quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 2000年12月
  • タイトル : Optical Property of an AlGaN/GaN Hetero-Bipolar-Phototransistor
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Mouillet, C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprom, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : Mass Transport of GaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, S. Mochizuki, R. Nakamura, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : Impurity Hardening in AlGaN by Si-Doping
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : Solar-Blind AlGaN PIN Hetero Junction Photodiode
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : High Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi Quantum Well Light Emitter on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : Luminescence of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown by Mass-Transport
    担当区分 : 共著
    講演者 : G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The ECSCRM 2000
    開催年月日 : 2000年09月
  • タイトル : Photoluminescence of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown by Mass-transport
    担当区分 : 共著
    講演者 : G. Pozina, J. P. Gergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The Fourth European GaN Workshop
    開催年月日 : 2000年07月
  • タイトル : Performance Characterization of GaN/AlGaN Solar-Blind Ultraviolet Heterojunction Photodiode
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detechprohm, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The Fourth European GaN Workshop
    開催年月日 : 2000年07月
  • タイトル : Index guided GaN-based laser diode structure with inner stripe geometry
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, T. Ukai, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : Japanese-German Workshop on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization
    開催年月日 : 2000年03月
  • タイトル : Mass transport process of GaN and reduction of threading dislocations
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, S. Nitta, M. Iwaya, R. Nakamura and I. Akasaki
    会議名 : US-Japan Mesoscopic Phenomena on Surfaces
    開催年月日 : 2000年04月02日
  • タイトル : Detailed feasibility study on flame detector suing AlGaN photosensors
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprobhm, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : Proceedings of the Photonics West (SPIE)
    開催年月日 : 2000年01月
  • タイトル : Low-intensity UV photodetectors based on high quality AlGaN using low-temperature AlN interlayer
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano and C. Pernot
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 1999年11月
  • タイトル : Stress and defect control of interface between AlGaN and GaN using low temperature interlayer
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    開催年月日 : 1999年10月
  • タイトル : GaN-based semiconductor laser with stable single transverse-mode operation
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, T. Sato, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko and N. Yamada
    会議名 : 2nd Japan-Korea Joint Workshop on Short-Wavelength Semiconductor Optoelectronic Device and Materials
    開催年月日 : 1999年09月
  • タイトル : Improvement of Far Field Pattern in Nitride Laser Diodes using Crack-free Thick n-AlGaN Cladding layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko and N. Yamada
    会議名 : 日本学術振興会「短波長光デバイス第162委員会」第16回研究会
    開催年月日 : 1999年07月
  • タイトル : Single-mode nitride-based laser diodes using thick n-AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, Yw. Kaneko, N. Yamada
    会議名 : 41st Electronic Material Conference
    開催年月日 : 1999年07月
  • タイトル : Fabrication and characterization of GaN-based laser diode grown on thick n-AlGaN contact layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko and N. Yamada
    会議名 : The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 1999年07月
  • タイトル : Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, T. Takeuchi, C. Werzel, I. Akasaki J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason and J. Figiel
    会議名 : The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 1999年07月
  • タイトル : Improvement of low-intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 1999年07月
  • タイトル : Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, H. Katoh, T. Takeuchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel and I. Akasaki
    会議名 : The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    開催年月日 : 1999年03月
  • タイトル : Improvement of Crystalline Quality of Group III Nitrides on Sapphire Using Low Temperature Interlayers
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 1998年12月
  • タイトル : Growth of GaN on highly mismatched substrate and its application to novel devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, M. Iwaya, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, H. Kato, I. Akasaki
    会議名 : 9th European conference on Diamond
    開催年月日 : 1998年09月
  • タイトル : In situ observation of the crystallization process of the low temperature deposited buffer layer on sapphire
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, M. Katsuragawa, M. Iwaya and I. Akasaki
    会議名 : International Workshop on Surface Morphology, Interfaces and Growth of the III-Nitrides
    開催年月日 : 1998年01月
  • タイトル : Structural Properties of Nitrides Grown By OMVPE on Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    会議名 : Material Research Society Fall meeting
    開催年月日 : 1997年12月

その他の研究業績

  • タイトル : Highly doped p-type a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Tsuchiya, Y. Okadome, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [892][0892-FF17-06.1]-
    出版年月 : 2006年03月
  • タイトル : Characterization of a-plane AlGaN/GaN heterostructure grown on r-plane sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, D. Iida, A. Miura, H. Furukawa, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano, I.Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [892][0892-FF07-08-EE-08-08.1]-
    出版年月 : 2006年03月
  • タイトル : Normally off-mode AlGaN GaN heterostructure field effect transistor using p-type gate contact
    担当区分 : 共著
    著者 : N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [892][0892-FF-15-03.1]-
    出版年月 : 2006年03月
  • タイトル : Group III nitrides grown on 4H-SiC (30-38) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : A. Honshio, T. Kitano, M. Imura, Y. Miyake, H. Kasugai, K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E11.31.1]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : Sublimation growth of AlN bulk crystals by sedded and spontaneous nucleation methods
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Balakrishnan, M. Banno, K. Nakano, G. Narita, N. Tsuchiya, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E11.3.1]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : Nitride-based light emitting diodes grown on particular substrate: ZrB2, (30-38) 4H-SiC and r-face sapphire
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E10.6.1]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : Impact of H2-preannealing of Sapphire Substrate on Crystallization of Low-Temperature Deposited AlN Buffer Layer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E8.30.1]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : Moth-eye Light Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, H. Shiomi
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E1.9.1]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : Oxgen related shallow acceptor in GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : B. Monemar, P. P. Paskov, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Kimura
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [831][E5.10]-
    出版年月 : 2005年03月
  • タイトル : AlGaN系紫外発光ダイオード
    担当区分 : 共著
    著者 : 岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : 「本委員会第181委員会」研究会資料
    出版社 : 日本学術振興会125委員会
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [1]-[4]
    出版年月 : 2003年10月
  • タイトル : MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上に成長させたGaNの微細構造・光学的特性
    担当区分 : 共著
    著者 : 井村将隆、佐野智昭、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、岩橋友也、森下昌紀、川村史郎、吉村政志、森勇介、佐々木孝友
    誌名 : 電子情報通信学会技術報告
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [103]([341]):[35]-[39]
    出版年月 : 2003年10月
  • タイトル : 屈折率導波型GaN系半導体レーザ構造の提案と作製
    担当区分 : 共著
    著者 : 上山智、鵜飼勉、岩谷素顕、天野浩、赤﨑勇
    誌名 : 名城大学総合研究所紀要
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([6]):[7]-[13]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : High efficiency UV emitter using high quality GaN/AlxGa1-xN multi-quantum well active layer
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Material Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [639][G12.3.1]-[G12.3.6]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Stress control of AlGaN/GaN heterostructure using low-temperature-deposited AlGaN interlayer
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Terao, T. Ukai, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([12]):[85]-[90]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Mass transport in nitride
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([12]):[113]-[116]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high efficiency UV-LED
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([12]):[77]-[80]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : In-situ observation of fracture during growth of AlGaN on GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Terao, M. Iwaya, R.Nakamura,S.kamiyama,H.Amano,I,Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([12]):[109]-[112]
    出版年月 : 2001年03月
  • タイトル : Transverse mode control in GaN based laser diode
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Sato, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The International Society for Optical Engineering, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [4283][67]-[77]
    出版年月 : 2001年01月
  • タイトル : Optical property of an AlGaN/GaN hetero-bipolar-Phototransistor
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Mouillet, C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [973]-[976]
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : Dynamical process of mass transport in GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, S. Mochizuki, R. Nakamura, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [328]-[330]
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : Effect of impurity doping on the mechanical properties of AlxGa1-xN ternary Alloy
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [640]-[643]
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : Solar-blind AlGaN pin hetero junction photodiode
    担当区分 : 共著
    著者 : A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [911]-[914]
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : High efficiency GaN/AlxGa1-xN multi quantum well light emitter on low-dislocation density AlxGa1-xN
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [833]-[836]
    出版年月 : 2000年09月
  • タイトル : High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detechprom, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, C. Pernot
    誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [595][W1.10]-
    出版年月 : 2000年03月
  • タイトル : Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Nitta, S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([7]):[331]-[335]
    出版年月 : 1999年03月
  • タイトル : Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, H. Katoh, T. Takeuchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    誌名 : Proceedings of The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] ([7]):[337]-[342]
    出版年月 : 1999年03月
  • タイトル : Structural properties of nitrides grown by OMVPE on sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] [482][479]-[488]
    出版年月 : 1998年04月


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