教員情報

岩谷 素顕
イワヤ モトアキ
理工学部 材料機能工学科
准教授
Last Updated :2019/02/21

基本情報

プロフィール

    男性

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻, 准教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻, 准教授

学歴

  • 2003年03月, 名城大学大学院, 理工学研究科, 電気電子工学専攻博士後期課程, 修了
  • 2003年03月,  

現在所属している学会

  • 応用物理学会
  • SPIE Regular Member                 
  • Material Research Society Member        
  • 日本結晶成長学会

研究活動

研究分野

  • その他, 半導体工学・半導体デバイス・結晶工学
  • 電子デバイス・電子機器
  • 応用物性・結晶工学
  • 機能材料・デバイス

研究キーワード

  • 窒化物半導体
  • LED
  • 半導体レーザ
  • 太陽電池
  • 光デバイス

利用分野または製品

  • LED
  • 太陽光発電
  • 環境・エネルギー
  • 情報通信

教育研究への取り組み・抱負

    教育においては、電気・電子材料特に半導体材料に関する基礎的な知識を学生に教授するよう心掛けている。また、卒業研究や大学院の特別実験・特別演習においては、学生自身が物事を良く考え、自ら実践できるよう、環境を整えることに対して注意し、指導を行っている。また、研究活動に対しては、社会貢献を常に意識し、常に活動をしている。特に現在取り組んでいるのは、グリーン・イノベーションの一翼を担うような新機能デバイスの創生をめざし研究を推進している。

著書

  • Nitrides with Nonpolar Surfaces
    H. Amano, T. Kawashima, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, Weinheim, Germany
    2008年11月
    共著
    『Metalorganic vapor phase epitaxial growth of nonpolar Al(Ga,In)N films on lattice-mismatched substrates』
  • 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
    岩谷素顕、川島毅士、飯田大輔、千田亮太、上山智、天野浩、赤﨑勇
    CMC出版
    2009年
    『m面SiC基板上への非極性窒化物半導体の結晶成長』
  • MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム
    岩谷素顕
    サイエンスアンドテクノロジー
    2012年
    『GaNパワーデバイスの技術展開』

学術論文

  • Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity
    共著
    Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    Physica Status Solidi RRL
    7, 215, 217
    2013年
  • Analysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth
    共著
    Daisuke Iida, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Toru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    Physica Status Solidi RRL
    7, 211, 214
    2013年
  • Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    共著
    Hiroki Aoshima, Kenichiro Takeda, Kosuke Takehara, Shun Ito, Mikiko Mori, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    physica status solidi (c)
    9, 753
    2012年
  • Growth of GaN and AlGaN on (100) β-Ga2O3 substrates
    共著
    Shun Ito, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hiroki Aoshima, Kosuke Takehara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    physica status solidi (c)
    9, 519
    2012年
  • Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate
    共著
    T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka and Y. Mori
    physica status solidi (c)
    9, 875
    2012年
  • Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    共著
    Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    physica status solidi (c)
    9, 942
    2012年
  • Enhancement of two-dimensional electron gases in AlGaN-channel high-electron-mobility transistors with AlN barrier layers
    共著
    Shin Hashimoto, Katsushi Akita, Yoshiyuki Yamamoto, Masaki Ueno, Takao Nakamura, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
    physica status solidi (a)
    209, 501
    2012年
  • Properties of nitride-based photovoltaic cells under concentrated light illumination
    共著
    Shota Yamamoto, Mikiko Mori, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Tatsuo Nakao, Shinichiro Kondo, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    6, 145
    2012年
  • Epitaxial Indium Tin Oxide Film Deposited on Sapphire Substrate by Solid-Source Electron Cyclotron Resonance Plasma
    共著
    Satoru Kaneko, Hironori Torii, Masayasu Soga, Kensuke Akiyama, Motoaki Iwaya, Mamoru Yoshimoto, and Takao Amazawa
    Japanese Journal of Applied Physics
    51, 01AC02
    2012年
  • Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    共著
    Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Shun Ito, Hiroki Aoshima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Japanese Journal of Applied Physics
    51, 042101
    2012年
  • Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates
    共著
    Kouta Yagi, Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Kenichirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    51, 051001
    2012年
  • Correlation between Device Performance and Defects in GaInN-Based Solar Cells
    共著
    Mikiko Mori, Shinichiro Kondo, Shota Yamamoto, Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    5, 082301
    2012年
  • White light-emitting diode based on fluorescent SiC
    共著
    Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, Rositza Yakimova, and Mikael Syväjärvi
    Thin Solid Films
    522, 23, 25
    2012年
  • Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates
    共著
    Toru Sugiyama, Yosuke Kuwahara, Yasuhiro Isobe, Takahiro Fujii, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    4, 015701
    2011年
  • Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
    共著
    Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, Mikael Syväjärvi, and Rositza Yakimova
    Journal of Semiconductors
    32, 013004
    2011年
  • GaInN-Based Solar Cells Using Strained-Layer GaInN/GaInN Superlattice Active Layer on a Freestanding GaN Substrate
    共著
    Yousuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Yasuhiro Isobe, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    4, 021001
    2011年
  • High-Temperature Operation of Normally Off-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    共著
    Takayuki Sugiyama, Hiroshi Amano, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    50, 01AD03
    2011年
  • Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method
    共著
    Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, and Masanobu Azuma
    Applied Physics Express
    4, 045503
    2011年
  • Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells
    共著
    Kazuhito Ban, Jun-ichi Yamamoto, Kenichiro Takeda, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    4, 052101
    2011年
  • Growth of AlGaN/GaN heterostructure on vicinal m-plane free-standing GaN substrates prepared by the Na flux method
    共著
    Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka and Yusuke Mori
    physica status solidi (a)
    208, 1191, 1194
    2011年
  • Injection efficiency in AlGaN-based UV laser diodes
    共著
    Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    physica status solidi (c)
    8, 2384, 2386
    2011年
  • GaInN-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices
    共著
    Takahiro Fujii, Yousuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    physica status solidi (c)
    8, 2463, 2465
    2011年
  • Optimization of initial MOVPE growth of non-polar m- and a-plane GaN on Na flux grown LPE-GaN substrates
    共著
    Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    8, 2095, 2097
    2011年
  • Drain bias stress and memory effects in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    共著
    Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    8, 2424, 2426
    2011年
  • Development of high efficiency 255–355 nm AlGaN-based light-emitting diodes
    共著
    Cyril Pernot, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Myunghee Kim, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    physica status solidi (a)
    208, 1594, 1596
    2011年
  • Low leakage current in AlGaN/GaN HFETs with preflow of Mg source before growth of u-GaN buffer layer
    共著
    Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    physica status solidi (a)
    208, 1607, 1610
    2011年
  • AlGaN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistor
    共著
    Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    physica status solidi (a)
    208, 1614, 1616
    2011年
  • Growth of AlGaN/GaN heterostructure on vicinal m-plane free-standing GaN substrates prepared by the Na flux method
    共著
    Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka and Yusuke Mori
    physica status solidi (a)
    208, 1191, 1194
    2011年
  • AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Fe-Doped GaN Substrates with High Breakdown Voltage
    共著
    Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Japanese Journal of Applied Physics
    50, 084102
    2011年
  • Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate
    共著
    Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Shota Yamamoto, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    4, 101001
    2011年
  • AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates
    共著
    Myunghee Kim, Takehiko Fujita, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Cyril Pernot, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Applied Physics Express
    4, 092102
    2011年
  • その場観察X 線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長
    共著
    飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇
    日本結晶成長学会誌
    38, 227
    2011年
  • Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    共著
    Inazu, Tetsuhiko; Fukahori, Shinya; Pernot, Cyril; Kim, Myung Hee; Fujita, Takehiko; Nagasawa, Yosuke; Hirano, Akira; Ippommatsu, Masamichi; Iwaya, Motoaki; Takeuchi, Tetsuya; Kamiyama, Satoshi; Yamaguchi, Masahito; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu
    Japanese Journal of Applied Physics
    50, 122101
    2011年
  • 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術
    共著
    岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    OPTRONICS
    9月
    2011年
  • Improved Efficiency of 255–280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    共著
    Kengo Nagata, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    physica status solidi (a)
    207, 1393, 1396
    2010年06月
  • Misfit strain relaxation in m-plane epitaxy of InGaN on ZnO
    共著
    Z. H. Wu, K. W. Sun, Q. Y. Wei, A. M. Fischer, F. A. Ponce, Y. Kawai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Appl. Phys. Lett.
    96, 071909
    2010年
  • Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer
    共著
    T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano
    physica status solidi (c)
    7, 2101, 2103
    2010年
  • Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers
    共著
    Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoaki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 1916, 1918
    2010年
  • Realization of extreme light extraction efficiency for moth-eye LEDs on SiC substrate using high-reflection electrode
    共著
    Ryosuke Kawai, Toshiyuki Kondo, Atushi Suzuki, Fumiharu Teramae, Thukasa Kitano, Kenta Tamura, Hisashi Sakurai, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Mark Chen, Alex Li and Kidd Su
    physica status solidi (c)
    7, 2180, 2182
    2010年
  • Threshold voltage control using SiNx in normally off AlGaN/GaN HFET with p-GaN gate
    共著
    T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 1980, 1982
    2010年
  • Growth and characterization of GaN grown on moth-eye patterned sapphire substrates
    共著
    Akihiro Ishihara, Ryousuke Kawai, Thukasa Kitano, Atushi Suzuki, Toshiyuki Kondo, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 2056, 2058
    2010年
  • Nitride-based light-emitting solar cell
    共著
    Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 1807, 1809
    2010年
  • AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN substrates
    共著
    Yoshinori Oshimura, Kenichiro Takeda, Takayuki Sugiyama, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Akira Bandoh and Takashi Udagawa
    physica status solidi (c)
    7, 1974, 1976
    2010年
  • Defects in highly Mg-doped AlN
    共著
    Kentaro Nonaka, Toshiaki Asai, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    physica status solidi (a)
    207, 1299, 1301
    2010年
  • Improved Efficiency of 255–280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    共著
    Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    3, 061004
    2010年
  • Growth of GaInN by Raised-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Kensuke Nagata, Takafumi Makino, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    Applied Physics Express
    3, 075601
    2010年
  • Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Kenta Tamura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    312, 3131, 3135
    2010年
  • GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells
    共著
    Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 2382, 2385
    2010年
  • Temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    共著
    Takayuki Sugiyama, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 2419, 2422
    2010年
  • Atomic layer epitaxy of AlGaN
    共著
    Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 2368, 2370
    2010年
  • High efficiency violet to blue light emission in porous SiC produced by anodic method
    共著
    T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    7, 2459, 2462
    2010年
  • Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates
    共著
    Zhihao Wu, Kentaro Nonaka, Yohjiro Kawai, Toshiaki Asai, Fernando A. Ponce, Changqing Chen, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Applied Physics Express
    3, 111003
    2010年
  • Realization of Nitride-Based Solar Cell on Freestanding GaN Substrate
    共著
    Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Yasuharu Fujiyama, Tohru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    Applied Physics Express
    3, 111001
    2010年
  • High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
    共著
    H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, T. Ichikawa, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    physica status solidi (a)
    206, 1199, 1204
    2009年09月
  • Activation energy of Mg in a -plane Ga1-xInxN (0共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    246, 1188, 1190
    2009年09月
  • Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN
    共著
    R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki-61004
    Applied Physics Express
    2, 061004
    2009年07月
  • Relaxation and recovery processes of AlxGa1−xN grown on AlN underlying layer
    共著
    T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I.Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    311, 2850, 2852
    2009年05月
  • Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer
    共著
    H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    Journal of Crystal Growth
    311, 2860, 2863
    2009年05月
  • One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy
    共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    311, 2887, 2890
    2009年05月
  • Growth of thick GaInN on grooved (10-1-1) GaN/(10-1-2)4H-SiC
    共著
    T. Matsubara, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    311, 2926, 2928
    2009年05月
  • InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    311, 2929, 2932
    2009年05月
  • Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0 < x < 0.17)
    共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    246, 1188, 1190
    2009年03月
  • High-reflectivity Ag-based p-type ohmic contacts for blue light-emitting diodes
    共著
    R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    6, S830, S832
    2009年03月
  • High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure-field-effect transistor with a p-GaN gate
    共著
    M. Iwaya, S. Miura, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    6, S972, S975
    2009年03月
  • Realization of high-crystalline-quality and thick GaInN films
    共著
    R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    6, S502, S505
    2009年03月
  • Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    6, S486, S489
    2009年03月
  • Activation energy of Mg in Al0.25Ga0.75N and Al0.5Ga0.5N
    共著
    K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I0. Akasaki
    physica status solidi (c)
    6, S437, S439
    2009年03月
  • Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN
    共著
    A. M. Fischer, Z. Wu, K. Sun, Q. Wei, Y. Huang, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, H. Amano, and F. A. Ponce -41002
    Applied Physics Express
    2, 041002
    2009年01月
  • 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス
    共著
    岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    OPTRONICS
    9月, 136, 141
    2009年
  • AlN and AlGaN by MOVPE for UV light emitting devices
    共著
    H. Amano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Materials Science Forum
    590, 175, 210
    2008年12月
  • High hole concentration in Mg-doped α-plane Ga1−xInxN (0共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki-182108
    Applied Physics Letters
    93, 182108
    2008年09月
  • Control of stress and crystalline quality in GaInN films used for green emitters
    共著
    M. Iwaya, A. Miura, R. Senda, T. Nagai, T. Kawashima, D. Iida, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    310, 4920, 4922
    2008年08月
  • Control of p-type conduction in a-plane Ga1-xInxN (0共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    310, 4996, 4998
    2008年08月
  • InGaN growth on ZnO (0001) substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 3023, 3025
    2008年05月
  • All MOVPE grown nitride-based LED having sub mm underlying GaN
    共著
    Y. Tanaka, J. Ando, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 3073, 3075
    2008年05月
  • Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AlN by high-temperature MOVPE
    共著
    K. Nagamatsu, N. Okada, N. Kato, T. Sumii, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 3048, 3050
    2008年05月
  • Improvement in performance of m-plane GaInN light emitting diode grown on m-plane SiC by sidewall epitaxial lateral overgrowth
    共著
    T. Kawashima, T. Hayakawa, M. Hayashi, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Kasamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 2145, 2147
    2008年03月
  • Optimization of underlying layer and the device structure for group-III-nitride-based UV emitters on sapphire
    共著
    K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, F. Mori, H. Tsuzuki, Y. Yamashita, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bandoh
    physica status solidi (c)
    5, 2142, 2144
    2008年03月
  • High drain current and low on resistance normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with a p-type GaN gate contact
    共著
    T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 1906, 1909
    2008年03月
  • Nonpolar GaN layers grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth: optical evidences for a reduced stacking fault density
    共著
    P. P. Paskov, B. Monemar, D. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 1768, 1770
    2008年03月
  • Microstructure of threading dislocations caused by grain boundaries in AlN on sapphire substrates
    共著
    M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bando
    physica status solidi (c)
    5, 1582, 1584
    2008年03月
  • Improvement in crystalline quality of thick GaInN on m-plane 6H-SiC substrates using sidewall epitaxial lateral overgrowth
    共著
    T. Kawashima, T. Hayakawa, M. R. Senda, A. Miura, T. Kawashima, D. Iida, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    5, 3045, 3047
    2008年03月
  • Realization of low-dislocation-density, smooth surface, and thick GaInN films on m-plane GaN templates
    共著
    A. Miura, T. Nagai, R. Senda, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    310, 3308, 3312
    2008年02月
  • Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates
    共著
    M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    310, 2308, 2313
    2008年02月
  • High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN
    共著
    K. Nagamatsu, N. Okada, H. Sugimura, H. Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    310, 2326, 2329
    2008年02月
  • Growth of high-quality thick AlGaN by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    N. Kato, S. Sato, H. Sugimura, T. Sumii, N. Okada, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, and A. Bandoh
    physica status solidi (c)
    5, 1559, 1561
    2008年
  • Optical properties of GaN/AlGaN QW nanostructures with different well and barrier widths
    共著
    M Esmaeili, M Sabooni, H Haratizadeh, P P Paskov, B Monemar, P O Holz, S Kamiyama and M Iwaya-356218
    J. Phys.: Condens. Matter
    19, 356218
    2007年12月
  • Exciton localization behaviour in different well width undoped GaN/Al0.07Ga0.93N nanostructures
    共著
    M. Sabooni, M. Esmaeili, H. Haratizadeh, B. Monemar, P. Paskov, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    Opto-Electronics Review
    15, 163, 167
    2007年12月
  • Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, B. Monemar, Plamen P. Paskov, Per Olof Holtz, E. Valcheva, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    244, 4691
    2007年12月
  • Realization of High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Film on 6H-SiC Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth
    共著
    R. Senda, A. Miura, T. Hayakawa, T. Kawashima, D. Iida, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    46, L948, L950
    2007年11月
  • 無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用
    単著
    岩谷素顕
    応用物理
    76, 513, 516
    2007年10月
  • Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, and A. Bandoh
    Japanese Journal of Applied Physics
    46, 1458, 1462
    2007年10月
  • One-step lateral growth for reduction in defect density of a-plane GaN on r -sapphire substrate and its application in light emitters
    共著
    D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, T. Kawashima, T. Nagai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    204, 2005, 2009
    2007年09月
  • High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate
    共著
    K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, K. Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    physica status solidi (a)
    204, 1848, 1852
    2007年09月
  • Optical observation of discrete well width fluctuations in wide band gap III-nitride quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, B. Monemar, Plamen P. Paskov, Per Olof Holtz, E. Valcheva, P. Persson, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    244, 1727, 1734
    2007年09月
  • Fabrication of enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    共著
    T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    4, 2708, 2811
    2007年08月
  • Microstructure of a-plane AlN grown on r-plane sapphire and on patterned AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    N. Okada, M. Imura, T. Nagai, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    physica status solidi (c)
    4, 2528, 2531
    2007年08月
  • Mg-doped high-quality AlxGa1-xN (x=0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    M. Imura, N. Kato, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    physica status solidi (c)
    4, 2502, 2505
    2007年08月
  • Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE
    共著
    K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    4, 2272, 2276
    2007年08月
  • Dislocations in AlN Epilayers Grown on Sapphire Substrate by High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    Japanese Journal of Applied Physics
    46, 1458, 1462
    2007年07月
  • Reduction in defect density over whole area of (100) m -plane GaN using one-sidewall seeded epitaxial lateral overgrowth
    共著
    T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    244, 1848, 1852
    2007年07月
  • Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    46, L307, L310
    2007年06月
  • Photoluminescence study of MOCVD-grown GaN/AlGaN MQW nanostructures: influence of Al composition and Si doping
    共著
    M. Esmaeili, H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, P. Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki(025401)
    Nanotechnology
    18, 025401
    2007年05月
  • Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio
    共著
    M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bando
    Journal of Crystal Growth
    300, 136, 140
    2007年05月
  • Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE
    共著
    N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    300, 141, 144
    2007年05月
  • Control of threshold voltage of enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact
    共著
    T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    46, 115, 118
    2007年04月
  • Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification
    共著
    N. Okada N. Kato, S. Sato, T. Sumii, T. Nagai, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    298, 349, 353
    2007年02月
  • Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films
    共著
    T. Nagai, T. Kawashima, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    298, 288, 292
    2007年02月
  • Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al0.18Ga0.82N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates
    共著
    T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    298, 261, 264
    2007年02月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AlxGa1−xN (x>0.2) on sapphire and its application to UV-B-light-emitting devices
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    298, 265, 267
    2007年02月
  • High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    298, 215, 218
    2007年02月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers
    共著
    M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    Journal of Crystal Growth
    298, 257, 260
    2007年02月
  • Dependence of DAP Emission Properties on Impurity Concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC
    共著
    Satoshi Murata, Yoshihiro Nakamura, Tomohiko Maeda, Yoko Shibata, Mina Ikuta, Masaaki Sugiura, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Masahiro Yoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita
    Materials Science Forum
    556-557, 335, 338
    2007年
  • Microstructure of epitaxial lateral overgrown AlN on trench-patterned AlN template by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh-221901
    Applied Physics Letters
    89, 221901
    2006年12月
  • High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio
    共著
    M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    Japanese Journal of Applied Physics
    45, 8639, 8643
    2006年11月
  • High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact
    共著
    T. Fujii, N. Tsuyukuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    45, L1048, L1050
    2006年09月
  • Light extraction process in moth-eye structure
    共著
    H. Kasugai, K. Nagamatsu, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    physica status solidi (c)
    3, 2165, 2168
    2006年08月
  • Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    共著
    B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    3, 1888, 1891
    2006年08月
  • Growth of high-quality AlN at high growth rate by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    physica status solidi (c)
    3, 1617, 1619
    2006年08月
  • Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC substrates
    共著
    K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann and J. Christen
    physica status solidi (c)
    3, 1392, 1395
    2006年08月
  • X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN
    共著
    M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    243, 1524, 1528
    2006年08月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AlN layers on patterned sapphire substrates
    共著
    K. Nakano, M. Imura, G. Narita, T. Kitano, Y. Hirose, N. Fujimoto, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    203, 1632, 1635
    2006年08月
  • Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE
    共著
    M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    physica status solidi (a)
    203, 1626, 1631
    2006年08月
  • Improvement in light extraction efficiency in group III nitride-based light-emitting diodes using moth-eye structure
    共著
    M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Thin Solid Films
    515, 768, 770
    2006年07月
  • Anisotropically biaxial strain in a-plane AlGaN on GaN grown on r-plane sapphire
    共著
    M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    45, 2509, 2513
    2006年07月
  • Thermodynamic aspects of growth of AlGaN by high-temperature metal organic vapor phase epitaxy
    共著
    N. Okada, N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    Japanese Journal of Applied Physics
    45, 2502, 2504
    2006年07月
  • Optical signatures of dopants in GaN
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, A. Usui, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Materials Science in Semiconductor Processing
    9, 168, 174
    2006年07月
  • Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT
    共著
    V. Darakchieva, P. P. Paskov, M. Schubert, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    IEICE Trans. Electron.
    E89-C, 1064, 1067
    2006年07月
  • Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
    共著
    S. Kamiyama, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, T. Furusho, M. Yoshimoto, T. Kimoto, J. Suda, A. Henry, I. G. Ivanov, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Onuma and S. F. Chichibu(93108)
    Journal of Applied Physics,
    99, 093108
    2006年07月
  • A hydrogen-related shallow donor in GaN?
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Physica B: Condensed Matter
    376-377, 460, 463
    2006年04月
  • Dominant shallow acceptor enhanced by oxygen doping in GaN
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and S. Kimura
    Physica B: Condensed Matter
    376-377, 440, 443
    2006年04月
  • Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate
    共著
    M. Imura, A. Honshio, Y. Miyake, K. Nakano, N. Tsuchiya, M. Tsuda, Y. Okadome, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Physica B: Condensed Matter
    376-377, 491, 495
    2006年04月
  • Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact
    共著
    N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    45, L319, L321
    2006年03月
  • Optical signatures of dopants in GaN
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S. Figge, T. Paskova, D. Hommel, A. Usui, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Materials Science in Semiconductor Processing
    9, 168, 174
    2006年
  • Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
    共著
    S. Kamiyama, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, T. Furusho, M. Yoshimoto, T. Kimoto, J. Suda, A. Henry, I. G. Ivanov, J. P. Bergman, B. Monemar, T. Onuma and S. F. Chichibu
    Journal of Applied Physics
    99, 093108
    2006年
  • Control of p-Type Conduction in a-Plane GaN Grown on Sapphire r-Plane Substrate
    共著
    Y. Tsuchiya, Y. Okadome, A. Honshio, Y. Miyake, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    44, L1516, L1518
    2005年11月
  • UV laser diode with 350.9-nm-lasing wavelength grown by hetero-epitaxial-lateral overgrowth technology
    共著
    S. Kamiyama, K. Iida, T. Kawashima, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
    11, 1069, 1073
    2005年11月
  • High-Efficiency Nitride-Based Light-Emitting Diodes with Moth-Eye Structure
    共著
    H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, S. Mishima, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    Japanese Journal of Applied Physics
    44, 7414, 7417
    2005年09月
  • Flat (11-20) GaN Thin Film on Precisely Offset-Controlled (1-102) Sapphire Substrate
    共著
    M. Imura, A. Hoshino, K. Nakano, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    44, 7418, 7420
    2005年09月
  • Impact of H2-Preannealing of the Sapphire Substrate on the Crystallinity of Low-Temperature-Deposited AlN Buffer Layer
    共著
    M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    44, 3913, 3917
    2005年05月
  • 350.9 nm UV laser diode grown on sapphire substrate
    共著
    M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    2, 2828, 2831
    2005年02月
  • GaN growth on (30-38) 4H-SiC substrate for reduction of internal polarization
    共著
    S. Kamiyama, A. Honshio, T. Kitano, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, H. Shiomi
    physica status solidi (c)
    2, 2121, 2124
    2005年02月
  • Photoluminescence of GaN/AlN superlattices grown by MOCVD
    共著
    P. P. Paskov, J. P. Bergman, V. Darakchieva, T. Paskova, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    2, 2345, 2348
    2005年02月
  • Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
    共著
    K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    Japanese Journal of Applied Physics
    43, 7448, 7453
    2004年11月
  • High-quality Al0.12Ga0.88N film with low dislocation density grown on facet-controlled Al0.12Ga0.88N by MOVPE
    共著
    T. Kawashima, K. Iida, Y. Miyake, A. Honshio, H. Kasugai, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    272, 377, 380
    2004年11月
  • Laser diode of 350.9 nm wavelength grown on sapphire substrate by MOVPE
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    272, 270, 273
    2004年11月
  • Photoluminescence study of Si-doped GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells with different dopant position
    共著
    H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, B. E. Sernelius, P. O. Holtz, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Applied Physics Letters
    84, 110, 113
    2004年07月
  • Optical investigation of AlGaN/GaN quantum wells and superlattices
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haradizadeh, J. P. Bergman, E. Valcheva, V. Darakchieva, B. Arnaudov, T. Paskova, P. O. Holtz, G. Pozina, M.Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    201, 2251, 2258
    2004年07月
  • Defect and stress control of AlGaN for fabrication of high performance UV light emitters
    共著
    H. Amano, A. Miyazaki, K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, S. Sahonta and D. Cherns
    physica status solidi (a)
    201, 2679, 2685
    2004年07月
  • Radiative recombination processes in Al0.07Ga0.93N/GaN multiple quantum well structures, role of hole localization
    共著
    B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, J. P. Bergman, E. Valcheva, B. Arnaudov, A. Kasic, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    1, 2500, 2503
    2004年07月
  • AlGaN系紫外LED
    共著
    岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    レーザー研究
    32, 6, 387, 391
    2004年06月
  • 350.9 nm UV Laser Diode Grown on Low-Dislocation-Density AlGaN
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    43, L499, L500
    2004年03月
  • Time resolved photoluminescence study of Si modulation doped GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    241, 1124, 1133
    2004年02月
  • 高効率AlGaN系紫外発光素子
    共著
    岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    名城大学理工学部研究報告
    44, 25, 28
    2004年
  • 窒化物半導体による紫外発光デバイス
    共著
    上山智、岩谷素顕、天野浩、赤﨑勇
    未来材料
    8月, 2, 5
    2004年
  • Optical properties of undoped AlN/GaN superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    V. Darakchieva, P. P. Paskov, M. Schubert, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    0, 2614, 2617
    2003年12月
  • Influence of polarization fields and depletion fields on photoluminescence of AlGaN/GaN multiple quantum well structure
    共著
    B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S.Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    237, 353, 364
    2003年11月
  • Violet and UV light-emitting diode grown on ZrB2 substrate
    共著
    S. Kamiyama, S. Takanami, Y. Tomida, K. Iida, S. Fukui, M. Iwaya, H. Kinoshita, T. Matsuda, T. Yasuda, S. Otani, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    200, 67, 70
    2003年11月
  • Improvement of light extraction efficiency of UV-LED grown on low-dislocation-density AlGaN
    共著
    M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    200, 110, 113
    2003年11月
  • High-Power UV-Light-Emitting Diode on Sapphire
    共著
    M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    42, 400, 403
    2003年03月
  • Group III nitride-based UV light emitting devices
    共著
    H. Amano, S. Takanami, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    195, 491, 495
    2003年02月
  • Photoluminescence of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures: role of depletion fields and polarization fields
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    195, 523, 527
    2003年02月
  • UV-LED using p-type GaN/AlN supperlattice cladding layer
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, S. Takanami, A. Miyazaki, S.Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (c)
    0, 34, 38
    2003年01月
  • Direct observation of Ga-rich microdomains in crack-free AlGaN grown on patterned GaN/sapphire substrate
    共著
    T. Riemann, J. Christen, A. Kashner, A. Laades, H. Hoffmann, C. Tomsen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Applied Physics Letters
    80, 3093, 3095
    2002年11月
  • Photoluminescence in n-doped In0.1Ga0.9N/In0.01Ga0.99N multiple quantum wells
    共著
    B. Monemar, P.P.Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, V. Darakchieva, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    MRS Internet Journal Nitride Semiconductor reseach
    7, 7.1, 7.14
    2002年10月
  • Effect of n-type modulation doping on the photoluminesence of GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quntum wells
    共著
    H. Haratizadeh, P. P. Paskov. G. Pzina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    Applied Physics Letters
    80, 1373, 1375
    2002年09月
  • UV Light-Emitting Diode Fabricated on Hetero-ELO-Grown Al0.22Ga0.78N with Low Dislocation Density
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, S. Takanami, S. Terao, A. Miyazaki, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    192, 296, 300
    2002年08月
  • Influence of Depletion Fields on Photoluminescence of n-Doped InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, G. Pozina, J.P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    192, 21, 26
    2002年07月
  • In plane GaN/AlGaN heterostructure fabricated by selective mass transport planer technology
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, Y. Watanabe, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    Material Science and Engineering
    B93, 139, 142
    2002年06月
  • Relaxation of misfit-induced stress in nitride-based heterostructures
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, T. Sano, T. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    237-239, 947, 950
    2002年04月
  • Structural analysis of Si-doped AlGaN/GaN multi-quantum wells
    共著
    T. Nakamura, S. Mochizuki, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Aman, I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    237-239, 1129, 1132
    2002年04月
  • Suppression of composition separation during lateral growth of AlGaN and its application to UV-LED
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    237-239, 951, 955
    2002年04月
  • Optical Study of AlGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures Grown on Laterally Overgrown GaN Templates
    共著
    G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    190, 107, 111
    2002年03月
  • Photoluminescence of Excitons in InxGa1-xN/InyGa1-yN Multiple Quantum Wells
    共著
    B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, G. Pozina, T. Paskova, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    190, 161, 166
    2002年03月
  • (学内紀要論文)III族窒化物半導体結晶成長における応力と貫通転位の制御
    共著
    天野浩、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    名城大学総合研究所紀要
    7, 69, 73
    2002年03月
  • (学内紀要論文)窒化物半導体の低転位化技術と高効率紫外発光ダイオードへの応用
    共著
    上山智、天野浩、赤﨑勇: 岩谷素顕
    名城大学理工学部研究報告
    42, 1, 5
    2002年01月
  • High Efficiency UV Emitter Using High Quality GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Active Layer
    共著
    M. Iwaya, Terao, T. Ukai, S. Kaamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of Material Research Society Fall Meeting
    639, G12.3.1
    2002年
  • High-Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, S. Takanami, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    188, 117, 120
    2001年11月
  • Optical Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy with Employment of Mass-Transport Template
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, G. Pozina, T. Paskova, J. P. Bergman, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    228, 157, 160
    2001年11月
  • Demonstration of Flame Detection in Room Light Background by Solar-Blind AlGaN pin Photodiode
    共著
    A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    188, 1, 293, 296
    2001年11月
  • (特集記事)高効率紫外発光ダイオード
    共著
    上山智、岩谷素顕、寺尾真二、天野浩、赤﨑勇
    月刊ディスプレイ
    37104.0, 13, 17
    2001年08月
  • Photoresponse and Defect Levels of AlGaN/GaN Heterobipolar Phototransistor Grown on Low-Temperature AlN Interlayer
    共著
    R. Mouillet, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    40, L498, L501
    2001年05月
  • Photoluminesence of InGaN/GaN multiple qunatum well grown by mass transport
    共著
    G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    Journal of Crystal Growth
    230, 473, 476
    2001年03月
  • Fracture of AlxGa1-xN/GaN heterostructure –compositional and impurity dependence-
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    40, L195, L197
    2001年03月
  • Low-temperature-deposited AlGaN interlayer for improvement of AlGaN/GaN heterostructure
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, N. Yamada
    Journal of Crystal Growth
    223, Issues1-2, 83, 91
    2001年02月
  • Electrical Conductivity of Low-Temperature-Deposited Al0.1Ga0.9N Interlayer
    共著
    N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, N. Yamada
    Japanese Journal Applied Physics
    39, 6493, 6495
    2000年12月
  • (特集記事)単一横モード型GaN系半導体レーザ
    共著
    上山智, 佐藤敏幸、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑勇
    月刊オプトロニクス
    1月, 68, 73
    2000年10月
  • InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy with mass transport
    共著
    G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    Applied Physics Letters
    77, 1638, 1640
    2000年09月
  • Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes
    共著
    C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    39, L387, L389
    2000年05月
  • Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
    共著
    S. Nitta, T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano I. Akasaki
    Surface Review and Letters
    7, Nos.5&6, 561, 564
    2000年05月
  • High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    Res.5S1, W1.10.1, W1.10.6
    2000年04月
  • The role of the multi buffer layer technique on the structural quality of GaN
    共著
    M. Benemara, Z. L. Weber, J. H. Swider, J. Washburn, M. Iwaya, I. Akasaki, H. Amano
    MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    Res.5S1, W5.8.1, W5.8.6
    2000年04月
  • Theoretical analysis of optical transverse-mode control on GaN-based laser diodes
    共著
    T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    IEICE Transactions on Electronics
    E83-C, 4, 573, 578
    2000年04月
  • Realization of crack-free and high-quality thick AlxGa1-xN for UV optoelectronics using low temperature interlayer
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    Applied Surface Science
    159-160, 405, 413
    2000年03月
  • Nitride-based laser diodes using thick n-AlGaN layers
    共著
    T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. R. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, K. W. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Y. S. Kaneko, N. Yamada
    Journal of Electronic Materials
    29, 302, 305
    2000年03月
  • Performance of GaN-based semiconductor laser with spectral broadening due to compositional inhomogeneity in GaInN active layer
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    39, 390, 392
    2000年02月
  • Microscopic Investigation of Al0.43Ga0.57N on Sapphire
    共著
    T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    38, L1515, L1518
    1999年12月
  • Control of dislocations and stress in AlGaN on sapphire using low temperature interlayer
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Werzel, I. Akasaki
    physica status solidi (b)
    216, 683, 689
    1999年11月
  • Improvement of low-intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
    共著
    C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    physica status solidi (a)
    176, 147, 151
    1999年11月
  • Fabrication and characterization of GaN-based laser diode grown on thick n-AlGaN contact layer
    共著
    T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Ys. Kaneko, N. Yamada
    physica status solidi (a)
    176, 31, 34
    1999年11月
  • Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
    共著
    T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko, N. Yamada
    Applied Physics Letters
    75, 2960, 2962
    1999年11月
  • Low-Intensity Ultraviolet Photodetectors Based on AlGaN
    共著
    C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    38, L487, L489
    1999年05月
  • Growth of GaN on highly mismatched substrate and its application to novel devices
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, H. Kato, I. Akasaki
    Diamond and Related Materials
    8, 302, 304
    1999年05月
  • Improvement of Crystalline Quality of Group III Nitrides on Sapphire Using Low Temperature Interlayers
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
    Res.4S1, G10.1.1, G10.1.8
    1999年04月
  • Stress and defect control in GaN using low temperature interlayer
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, J. Figiel
    Japanese Journal of Applied Physics
    37, L1540, L1542
    1998年12月
  • Reduction of Etch pit density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN
    共著
    M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki
    Japanese Journal of Applied Physics
    37, L316, L318
    1998年03月
  • Structural Properties of Nitrides Grown By OMVPE on Sapphire Substrate
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    Proceeding of Material Research Society Fall Meeting
    482, 479, 488
    1998年

講演・口頭発表等

  • Structural Properties of Nitrides Grown By OMVPE on Sapphire Substrate
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    1997年12月
  • In situ observation of the crystallization process of the low temperature deposited buffer layer on sapphire
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, M. Katsuragawa, M. Iwaya and I. Akasaki
    International Workshop on Surface Morphology, Interfaces and Growth of the III-Nitrides
    1998年01月
  • Growth of GaN on highly mismatched substrate and its application to novel devices
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, H. Kato, I. Akasaki
    9th European conference on Diamond
    1998年09月
  • Improvement of Crystalline Quality of Group III Nitrides on Sapphire Using Low Temperature Interlayers
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    1998年12月
  • Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, H. Katoh, T. Takeuchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel and I. Akasaki
    The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    1999年03月
  • Improvement of low-intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
    共著
    C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    1999年07月
  • Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, T. Takeuchi, C. Werzel, I. Akasaki J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason and J. Figiel
    The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    1999年07月
  • Fabrication and characterization of GaN-based laser diode grown on thick n-AlGaN contact layer
    共著
    T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko and N. Yamada
    The Third International Conference on Nitride Semiconductors
    1999年07月
  • Single-mode nitride-based laser diodes using thick n-AlGaN
    共著
    T. Takeuchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, Yw. Kaneko, N. Yamada
    41st Electronic Material Conference
    1999年07月
  • Improvement of Far Field Pattern in Nitride Laser Diodes using Crack-free Thick n-AlGaN Cladding layer
    共著
    S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko and N. Yamada
    日本学術振興会「短波長光デバイス第162委員会」第16回研究会
    1999年07月
  • GaN-based semiconductor laser with stable single transverse-mode operation
    共著
    S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, T. Sato, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko and N. Yamada
    2nd Japan-Korea Joint Workshop on Short-Wavelength Semiconductor Optoelectronic Device and Materials
    1999年09月
  • Stress and defect control of interface between AlGaN and GaN using low temperature interlayer
    共著
    M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki
    Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
    1999年10月
  • Low-intensity UV photodetectors based on high quality AlGaN using low-temperature AlN interlayer
    共著
    M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano and C. Pernot
    Material Research Society Fall meeting
    1999年11月
  • Detailed feasibility study on flame detector suing AlGaN photosensors
    共著
    A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprobhm, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of the Photonics West (SPIE)
    2000年01月
  • Mass transport process of GaN and reduction of threading dislocations
    共著
    H. Amano, S. Nitta, M. Iwaya, R. Nakamura and I. Akasaki
    US-Japan Mesoscopic Phenomena on Surfaces
    2000年04月02日
  • Index guided GaN-based laser diode structure with inner stripe geometry
    共著
    S. Kamiyama, T. Ukai, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    Japanese-German Workshop on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization
    2000年03月
  • Performance Characterization of GaN/AlGaN Solar-Blind Ultraviolet Heterojunction Photodiode
    共著
    C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detechprohm, H. Amano, I. Akasaki
    The Fourth European GaN Workshop
    2000年07月
  • Photoluminescence of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown by Mass-transport
    共著
    G. Pozina, J. P. Gergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    The Fourth European GaN Workshop
    2000年07月
  • Luminescence of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown by Mass-Transport
    共著
    G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    The ECSCRM 2000
    2000年09月
  • High Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi Quantum Well Light Emitter on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    共著
    M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2000年09月
  • Solar-Blind AlGaN PIN Hetero Junction Photodiode
    共著
    A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2000年09月
  • Impurity Hardening in AlGaN by Si-Doping
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2000年09月
  • Mass Transport of GaN
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, S. Mochizuki, R. Nakamura, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2000年09月
  • Optical Property of an AlGaN/GaN Hetero-Bipolar-Phototransistor
    共著
    R. Mouillet, C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprom, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2000年09月
  • High efficiency UV emitter based on high-quality GaN/AlxGa1-xN multi-quantum wells
    共著
    M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2000年12月
  • Control of strain and defects in nitride MOVPE
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, R. Nakamura, S. Kamiyama, C. Wetzel and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2000年12月
  • Transverse mode control in GaN based laser diode
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Sato, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao and I. Akasaki
    Photonics West SPIE4283 Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX
    2001年01月
  • In-situ observation of fracture during growth of AlGaN on GaN
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    2001年03月
  • Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high efficiency UV-LED
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    2001年03月
  • Mass transport in nitride
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    2001年03月
  • Stress control of AlGaN/GaN heterostructure using low-temperature-deposited AlGaN interlayer
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Terao, T. Ukai, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    2001年03月
  • In plane GaN/AlGaN heterostructure fabricated by mass transport planer technology
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki
    European Material Research Society
    2001年06月
  • Direct imaging of micro-domains in crack-free AlGaN grown on patterned GaN/Sapphire substrates
    共著
    T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, TU Berlin, Hardenbergstr, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    European Material Research Society
    2001年06月
  • Microscopic optical properties of high quality InGaN MQWs grown on patterned GaN/LT-AlN/Sapphire substrates
    共著
    T. Riemann, J. Christen, A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, TU Berlin, Hardenbergstr, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    European Material Research Society
    2001年06月
  • Evidence for Absence of In Segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
    共著
    P.P. Paskov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    2001年07月
  • High efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, S. Takanami, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    2001年07月
  • Optical Characterization of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy With Employment of Mass-Transport Template
    共著
    J.P. Bergman, G. Pozina, B. Monemar, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    2001年07月
  • Optical characterization of InGaN/GaN MQW structures without In phase segregation
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, G.. Pozina, T. Paskova, J. P. Bergman, M. Iwaya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    2001年07月
  • The temperature dependence of the recombination processes for n-type modulation doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The Annual Physics Conference of Iran
    2001年08月
  • Demonstration of Flame Detection in Room Light Background by Solar-Blind AlGaN pin Photodiode
    共著
    A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki
    The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors
    2001年07月
  • Realization of Crack-Free, Low-Defect and Thick AlxGa1-xN for UV Emitters
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    2001年08月
  • Growth of GaN under Compressive Stress
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, T. Sano, T. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    2001年08月
  • Control of Stress and Defect in Nitrides
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, T. Detchprohm, S. Kamiyama, I. Akasaki
    The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    2001年08月
  • Structural Analysis of Si-doped AlGaN/GaN Multi Quantum Well
    共著
    T. Nakamura, S. Mochizuki, R. Nakamura, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The Thirteenth International Conference on Crystal Growth
    2001年08月
  • Present and Future Nitride Based Devices
    共著
    H.Amano, M.Iwaya, S.Nitta, S.Kamiyama and I.Akasaki
    Solid State Devices and Materials 2001
    2001年09月
  • Nitride-Based UV-Light Emitters
    共著
    H.Amano, M.Iwaya, S.Nitta, S.Kamiyama and I.Akasaki
    2001 Optical Society of America, Annual Meeting/ILS XVII
    2001年10月
  • Photoluminescence of excitons in In(x)Ga(1-x)N/In(y)Ga(1-y)N Multiple quantum wells
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, T. Paskova, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    2001年09月
  • Photoluminescence and electroluminescence characterization of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum well light emitting diodes
    共著
    J. P. Bergman, G. Pozina, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001
    2001年10月
  • Photoluminescence of excitons in n-type In0.11Ga0.89N/In0.01Ga0.99N multiple quantum wells
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, J. P. Bergman, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2001年11月12日
  • UV Light-Emitting Diode Fabricated on Hetero-ELO-Grown Al0.22Ga0.78N with Low Dislocation Density
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, S. Takanami, S. Terao, A. Miyazaki, H. Amano and I. Akasaki
    Forth International Symposium on Blue laser and Light Emitting Diodes
    2002年03月
  • Influence of depletion fields on photoluminescence of n-doped InGaN/GaN Multiple Quantum Well structures
    共著
    B. Monemar, P. P. Pakov, G. Pozina, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    Forth International Symposium on Blue laser and Light Emitting Diodes
    2002年03月
  • Group III Nitride-Based UV Light Emitting Devices
    共著
    H. Amano, S. Takanami, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasak
    Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    2002年05月
  • Photoluminescence of n-doped InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well structures, role of depletion fields and polarization fields
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    Physics of Light Matter Coupling in Nitrides
    2002年05月
  • The influence of Si-donor doping on the exciton localization in modulation-doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference
    2002年05月
  • Photoluminescence study of Si doped GaN/GaN/Al0.07Ga0.93N multi quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The NANO-7/ECOSS-21
    2002年06月
  • Optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, G. Pozina, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The Nanostructures, Physics and Technology 10, Nano 2002
    2002年06月
  • Characterization of AlN/GaN superlattice p-type cladding layer and UV light-emitting diode fabricated on low dislocation density AlGaN
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, S. Takanami, A. Miyazaki, Satoshi Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2002年07月
  • High-efficiency UV light-emitting diode
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2002年07月
  • Nitride-based UV light emitting devices
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, S. Kamiyama and I. Akasaki
    Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July, 2002
    2002年09月
  • Photoluminescence study of Si doped GaN/AlGaN multi quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, P. P. Paskov, G. Pozina, P. O. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    Int. Conf. on Physics of Semiconductors, July, 2002
    2002年09月
  • Phonon-assisted photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
    共著
    P. P. Paskov, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors, 304
    2002年07月
  • Optical study of AlGaN/GaN multiple quantum well structures grown on laterally overgrown GaN templates
    共著
    G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides
    2002年09月
  • Growth and properties of AlGaN for UV devices
    共著
    H. Amano, S. Takanami, Y. Tomida, M. Iwaya, S. Nitta, S. Kamiyama and I. Akasaki
    MRS Fall meeting
    2002年12月
  • Growth and fabrication of nitride-based LED on metallic substrate for application to high-power device and flexible display
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Nitta, Y. Tomida, K. Iida, T. Kawashima, S. Fukui, S. Kamiyama, I. Akasaki H. Kinoshita, T. Matsuda and S. Otani
    Proceeding of SPIE Int. Soc. Opt. Eng.
    2003年
  • Optical properties of InGaN/GaN and AlGaN/GaN multiple quantum well structures
    共著
    B. Monemar, P. Paskov. H. Haratizadeh, G. Pozina, J. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    Proceeding of SPIE Int. Soc. Opt. Eng.
    2003年
  • UV laser diode grown on low dislocation AlGaN using low-temperature AlN interlayer and lateral seeding epitaxy
    共著
    M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, S. Takanami, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Conference of Nitride Semiconductors
    2003年05月
  • Violet and UV light-emitting diode grown on ZrB2 substrate
    共著
    S. Kamiyama, S. Takanami, Y. Tomida, K. Iida, S. Fukui, M. Iwaya, H. Kinoshita, T. Matsuda, T. Yasuda, S. Otani, H. Amano and I. Akasaki
    International Conference of Nitride Semiconductors
    2003年05月
  • Improvement of light extraction efficiency of UV-LED grown on low-dislocation-density AlGaN
    共著
    M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Conference of Nitride Semiconductors
    2003年05月
  • Recent progress and future prospect of nitride light emitters
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス(LQE)12月研究会 (ISLC2004プレコンフェレンス)
    2003年12月
  • Substrate issue for achieving the high quality AlGaN films
    共著
    M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Symposium on Surface Physics 2004
    2003年12月
  • Optical investigation of AlGaN/GaN wells and superlattices
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, J. P. Bergman, E. Valcheva, V. Darakchieva, B. Arnaudov, T. Paskova, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The IC on Photo-Responsive Materials
    2004年01月
  • Critical issues for achieving high efficiency/high power nitride-based UV devices
    共著
    H. Amano, S. Kamiyama, M. Iwaya I. Akasaki, F. Ponce and D. Cherns
    The fifth International Symposium on Blue Laser and Light Emitting diodes
    2004年03月
  • Radiative recombination processes in Al0.07Ga0.93N/GaN multiple quantum well structures
    共著
    B. Monemar, H. Haratizadeh, P. P. Paskov, J P Bergman, E Valcheva, B. Arnaudov, A. Kasic, P. O. Holtz, G. Pozina, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    The fifth International Symposium on Blue Laser and Light Emitting diodes
    2004年03月
  • Laser diode of 350.9 nm grown on low-dislocation-density AlGaN by MOVPE
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, Y. Miyake, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 12th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    2004年05月
  • High-Quality Al0.12Ga0.88N Film with Low Dislocation Density Grown on Facet Controlled Al0.12Ga0.88N by MOVPE
    共著
    T. Kawashima, K. Iida, A. Miyazaki, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 12th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    2004年05月
  • Growth and fabrication of nitride-based UV devices on various substrate
    共著
    H. Amano, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    4th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructure
    2004年06月
  • Development of AlN-based semiconductor devices
    共著
    H. Amano, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    The 23rd Electronic Materials Symposium
    2004年06月
  • Impact of H2-preannealing of the sapphire substrate on the crystallization of low-temperature-deposited AlN buffer layer
    共著
    M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 23rd Electronic Materials Symposium
    2004年06月
  • Sublimation growth of AlN single crystals by seeded and spontaneous nucleation method
    共著
    K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    The 23rd Electronic Materials Symposium
    2004年06月
  • 350.9 nm UV Laser Diode Grown on Sapphire Substrate
    共著
    M. Iwaya, K. Iida, T. Kawashima, A. Miyazaki, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2004年07月
  • GaN Growth on (30-38) 4H-SiC Substrate for Reduction of Internal Polarization
    共著
    S. Kamiyama, A. Honshio, T. Kitano, M. Iwaya, H.Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2004年07月
  • Photoluminescence of GaN/AlN superlattices grown by MOVPE
    共著
    P. Paskov, P. Bergman, V. Darakchieva, T. Paskova, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2004年07月
  • UV Laser Diode with 350.9nm-Lasing Wavelength Grown on AlGaN Template
    共著
    S. Kamiyama, K. Iida, T. Kawashima, H. Kasugai, S. Mishima, A. Honshio, Y. Miyake, M. Iwaya
    International Semiconductor Laser Conference
    2004年09月
  • Defect and Stress Control of AlGaN and Fabrication of High Performance UV Light Emitters
    共著
    H. Amano, K. Iida, T. Kawashima, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    Inc. 2004 Joint International Meeting
    2004年10月
  • Moth-eye Light Emitting Diode
    共著
    H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Impact of H2-preannealing of Sapphire Substrate on Crystallization of Low-Temperature Deposited AlN Buffer Layer
    共著
    M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Nitride-Based Light Emitting Diodes Grown on Particular Substrates: ZrB2, (30-38) SiC and R-faced Sapphire
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Study on the Sublimation Growth of AlN Bulk Crystals
    共著
    B. Krishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi and T. Noro
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Electrical Properties of AlGaN/GaN Superlattices Grown by MOVPE for Application to High electron Mobility Transistor
    共著
    M. Tsuda, M. Jinbo, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Group III Nitrides Grown on 4H-SiC (30-38) Substrate by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    A. Honshio, T. Kitano, M. Imura, Y. Miyake, H. Kasugai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    Material Research Society Fall meeting
    2004年11月
  • Fabrication of UV devices on various plane substrates
    共著
    M. Iwaya, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, H. Kasugai, K. Balakrishnan, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The International Society for Optical Engineering
    2005年01月
  • Physics and Simulation of Group-III-Nitride-Based Moth-Eye LEDs
    共著
    M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The International Society for Optical Engineering
    2005年01月
  • Improvement of light extraction efficiency in group III nitride based LED by moth-eye structure
    共著
    M. Iwaya, H. Kasugai, T. Kawashima, K. Iida, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    13th International Congress on Thin Films and 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF 13/ACSIN 8)
    2005年06月
  • Moth Eye Structured High-Efficiency Nitride-Based Light-Emiting Diodes
    共著
    M. Iwaya, H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, S. Mishima, T. Kawashima, K. Iida, S. Kamiyama, H. Amano
    TWELFTH INTERNATIONAL CONFERENCE on COMPOSITES/NANO ENGINEERING (ICCE-12)
    2005年08月
  • A hydrogen-related shallow donor in GaN?
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, J P Bergman, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    2005年07月
  • Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrates
    共著
    M. Imura, A. Honshio, Y. Miyake, K. Nakano, M. Tsuda, K.Balakrishnan, N. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
    2005年07月
  • Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT
    共著
    Y. Hirose, A. Honshio, T. Kawashima, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005)
    2005年08月
  • Trend of substrate materials for nitride epitaxy
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    The 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005)
    2005年08月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AIN on sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    G. Narita, N. Fujimoto, Y. Hirose, T. Kitano, T. Kawashima, K. Iida, M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Thermodynamical aspects on growth of high-quality AlGaN by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Okada, N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Critical aspects of high temperature MOCVD growth of AlN epilayers on 6H-SiC and sapphire substrates
    共著
    K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, A. Bandoh, M. Imura, K. Nakano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T.Takagi, T. Noro, K. Shimono, T. Riemann and J. Christen
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • The dominant shallow 0.225 eV acceptor in GaN
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, T Paskova, J. P. Bergman, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Kimura, S. Figge and D. Hommel
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Control of nucleation and realization of high-quality and thick AlN on sapphire by high temperature MOVPE
    共著
    N. Fujimoto, T. Kitano, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • X-ray diffraction reciprocal lattice space mapping of a-plane AlGaN on GaN
    共著
    M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Radiative recombination mechanism in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    共著
    B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Moth-eye light-emitting diodes
    共著
    H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Microstructure of thick AlN epilayers grown on sapphire by high temperature MOVPE
    共著
    M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K.Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Microstructure of MOVPE grown AlN ELO layers
    共著
    K. Nakano, M. Imura, G.. Narita, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Tsuda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Cathodoluminescence micro-analysis of AlN MOVPE-grown on 6H-SiC substrate
    共著
    T. Riemann, J. Christen, K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • Microscopic luminescence properties of crack-free thick AlN ELO-grown on patterned sapphire substrate
    共著
    T. Riemann, J. Christen, N. Fujimoto, T. Kitano, G.. Narita, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
    2005年08月
  • 6H-SiC homoepitaxial growth and optical property of boron- and nitrogen-doped donor accepter pair (DAP) states on 1°-off substrate by closed-space sublimation method
    共著
    Y. Kawai, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, M. Yoshimoto, T. Furusho, H. Kinoshita, H. Shiomi
    11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    2005年09月
  • Recent Progress in Nitride-based UV Light Emitters
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    The 18th Annual Meeting of the IEEE Laser & Electron-Optics Society (LEOS 2005)
    2005年10月
  • Realization of high-crystallinity a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate for high-performance light-emitting device
    共著
    Y. Okadome, Y. Tsuchiya, H. Furukawa, K. Nagamatsu, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • Characterization of a-plane AlGaN/GaN heterostructure grown on r-plane sapphire substrate
    共著
    M. Iwaya, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, H. Furukawa, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • Normally Off-Mode AlGaN/GaN HFET with p-Type Gate Contact
    共著
    N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • Highly p-Type a-GaN Grown on r-Plane Sapphire Substrate
    共著
    Y. Tsuchiya, Y. Okadome, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • Thermalization and Recombination Kinetics of Excitons in thick AlN Epilayers
    共著
    T. Riemann, J. Christen, T. Schulze, A. Hoffmann, K. Balakrishnan, N. Fujimoto, T. Kitano, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • High-Speed and High-Quality Epitaxial Growth of 6H-SiC by Closed Sublimation Method
    共著
    T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Furusho, H. Kinoshita and M. Yoshimoto
    Materials Research Society Fall Meeting
    2005年11月
  • Simulation and fabrication of nitride-based moth-eye light-emitting diodes from UV to red region
    共著
    M. Nakashima, H. Kasugai, A. Deguchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    The International Society for Optical Engineering
    2006年01月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AlN on patterned AlN layers
    共著
    M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, G. Narita, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • Realization of high-crystalline-quality m-plane AlGaN films on m-plane SiC substrates by MOVPE
    共著
    T. Kawashima, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, Y. Miyake, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • Epitaxial lateral overgrowth of AlGaN on sapphire with a whole compositional range and their application to UV light emitting devices
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • Optimization of AlN growth by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • High-rate growth of AlGaN having high crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, N. Okada, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • Microstructure in nonpolar m-plane AlGaN films
    共著
    T. Nagai, T. Kawashima, K. Nakano, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 13th International Conference of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    2006年05月
  • Characterization of High Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN using V/III Ratio Modulation Method
    共著
    M. Imura, K. Nakano, T. Kitano, N. Fujimoto, N. Okada, K.Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A.Bandoh
    First International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2006年06月
  • Epitaxial Lateral Overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN by HT-MOVPE
    共著
    N. Okada, N. Kato, S.Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, K. Shimono, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    First International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2006年06月
  • Dependence of DAP Emission Properties on Impurity Concentrations in N-and-B-Doped 6H-SiC
    共著
    Satoshi Murata, Yoshihiro Nakamura, Tomohiko Maeda, Yoko Shibata, Mina Ikuta, Masaaki Sugiura, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, MasahiroYoshimoto, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita
    6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    2006年09月
  • One-Step Lateral Growth for Reduction of Total Defect Density in A-Plane GaN on R-Sapphire Substrate by MOVPE
    共著
    D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Growth of Low-Defect-Density M-Plane GaN in Entire Area on M-Plane 4H-SiC
    共著
    T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high crystalline quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire
    共著
    K. Iida, T. Kawashima, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Microstructure of a-plane AlN ELO layer grown by high-temperature MOVPE
    共著
    N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro and A. Bandoh
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    共著
    T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Photoluminescence evaluation of electron concentration in highly modulation doped GaN/AlGaN multiple quantum wells
    共著
    B. Arnaudov, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, B. Monemar, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Optical investigation of the well width fluctuations in MOCVD-grown GaN/Al0.07Ga0.93N multiple quantum wells
    共著
    H. Haratizadeh, B. Monemar, P. P. Paskov, P. O. Holtz, S. Kamiyama , M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Mg-Doped high quality AlxGa1-xN (x=0-1) grown by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi and A. Bandoh
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Void assisted dislocation reduction in AlN and AlGaN by high temperature MOVPE
    共著
    K. Balakrishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006
    2006年10月
  • Extremely large S/N ratio of UV detector based on AlGaN/GaN JH-FET with p-GaN gate contact
    共著
    S. Miura, T. Fujii, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall Meeting
    2006年11月
  • Low-dislocation-density a-plane GaN over whole wafer on r-sapphire using one-step lateral growth
    共著
    D. Iida, T. Nagai, T. Kawashima, A. Miura, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall Meeting
    2006年11月
  • High temperature MOVPE growth of AlxGa1-xN (x=0.2-1) layers. on sapphire and SiC substrates for the fabrication deep UV optical devices
    共著
    B. Krishnan, K. Iida, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall Meeting
    2006年11月
  • High performance enhancement-mode AlGaN/GaN junction heterostructure filed effect transistors with p-type GaN gate contact
    共著
    M. Iwaya, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    Material Research Society Fall Meeting
    2006年11月
  • Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV-light-emitting diodes
    共著
    K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, K. Nagamatsu, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    SPIE Photonic West
    2007年01月
  • Comparative study of the crystalline quality and performance of the nitride-based light-emitting diodes with c-plane, a-plane, and m-plane heterostructures
    共著
    T. Kawashima, T. Nagai, D. Iida, A. Miura, Y. Tsuchiya, Y. Okadome, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    SPIE Photonic West
    2007年01月
  • Key issues for achieving high-efficiency nonpolar nitride based light emitting diodes
    共著
    H Amano, T Kawashima, D Iida, M Iwaya, S Kamiyama, I Akasaki
    The 1st International Conference on Display LEDs In association with The 5th International Workshop on Industrial Technologies for Optoelectronic Semiconductors
    2007年01月
  • High temperature growth of AlN and AlGaN for UV/DUV devices
    共著
    H. Amano, M. Imura , K. Balakrishnan, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Noro, T. Takagi and Akira Bandoh
    The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    2007年03月
  • High temperature metalorganic vapor phase epitaxial growth of AlN and AlGaN for fabrication of high performance UV/DUV emitters
    共著
    Krishnan Balakrishnan, Kazuyoshi Iida, Hirotaka Watanabe, Hiroshi Amano, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    17th International Vacuum Congress (IVC-17), 13 International Conference on Surface Science (ICSS-13)
    2007年07月
  • Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices
    共著
    Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Fumiaki Mori, Kazuyoshi Iida, Masataka Imura, Balakrishnan Krishnan, Akira Bandoh, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    2007年08月
  • High temperature MOVPE growth– a novel approach to grow high quality AlN layers
    共著
    Balakrishnan Krishnan, Masataka Imura, Syuya Satoh, Hiroki Sugimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    2007年08月
  • Microstructure of AlN grown on SiC by high-temperature metalorganic vapor phase epitaxy and epitaxial lateral overgrowth
    共著
    Masataka Imura, Narihito Okada, Balakrishnan Krishnan, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Bandoh Akira
    The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy
    2007年08月
  • Microstructure of Threading Dislocations Caused by Grain Boundaries in AlN on Sapphire Substrate
    共著
    Masataka Imura, Hiroki Sugimura, Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tadashi Noro, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Extremely Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by High Temperature MOVPE
    共著
    Balakrishnan Krishnan, Hiroki Sugimura, Akira Bandoh, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • High Drain Current and Low Loss Normally-Off Mode AlGaN/GaN Junction HFETs with p-Type GaN Gate
    共著
    Takahiro Fujii, Shogo Nakamura, Katsutoshi Mizuno, Ryota Nega, Mototaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Critical Issue in Growing High Quality Thick AlGaN by High-Temperature MOVPE
    共著
    Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Shuuya Sato, Hiroki Sugimura, Narihito Okada, Masataka Imura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Growth and Properties of Non-Polar Nitrides on Various Substrates
    共著
    Hiroshi Amano, Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Sidewall Epitaxial Lateral Overgrowth of Nonpolar GaN by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Internal Quantum Effi ciency of AlxGa1-xN (0共著
    Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bando, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Nonpolar GaN Layers Grown by Sidewall Epitaxial Lateral Overgrowth: Optical Evidences for a Reduced Stacking Fault Density
    共著
    Plamen Paskov, Bo Monemar, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Stimulated Emission from Nonpolar and Polar AlN
    共著
    Narihito Okada, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bando, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • Fabrication of GaInN MQW LED with Low Defect Density on m-Plane SiC Substrate
    共著
    Takeshi Kawashima, Takeshi Hayakawa, Masako Hayashi, Tetsuya Nagai, Daisuke Iida, Aya Miura, Yoshinao Kasamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire
    共著
    Kazuyoshi Iida, Fumiaki Mori, Hirotaka Watanabe, Kenichiro Takeda, Kentaro Nagamatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Hisaaki Maruyama, Takashi Takagi, Akira Bandoh
    The 7th International Conference of Nitride Semiconductors
    2007年09月
  • InGaN growth on ZnO (0001) substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    2007年10月
  • Growth of thick GaInN on patterned m-plane 6H-SiC substrates
    共著
    Ryota Senda, Takeshi Kawashima, Daisuke Iida, Aya Miura, Tetsuya Nagai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    2007年10月
  • Effect of sapphire mis-orientation on the growth of AlN by high temperature MOVPE
    共著
    Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Akira Bando, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    2007年10月
  • All MOVPE grown nitride-based blue LED having sub mm thick GaN underlayer
    共著
    Yuki Tanaka, Jun Ando, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
    2007年10月
  • Nitride-Based UV Lasers
    共著
    H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, K. Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007)
    2007年10月
  • Thick InGaN growth on several crystal planes of ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    SPIE Photonic West
    2008年01月
  • Photoluminescence study of near-surface GaN/AlN superlattices
    共著
    Plamen P. Paskov, Bo Monemar, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    SPIE Photonic West
    2008年01月
  • Growth of Thick InGaN with the Aim of Realizing Bright Green LEDs and LD
    共著
    Hiroshi Amano, Yojiro Kawai, Aya Miura, Ryota Senda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    Display & Solid State Lighting Conference & Exhibition (DSSL), The 2nd International Conference on Display and Solid State Lighting (DSSL 2008)
    2008年01月
  • Control of the stress and crystalline quality in GaInN films used for green emitters
    共著
    Motoaki Iwaya, Aya Miura, Ryota Senda, Tetsuya Nagai, Takeshi Kawashima, Daisuke Iida, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    2008年06月
  • Control of p-type conduction in a-plane GaInN grown on r-plane sapphire substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Masako Hayashi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    2008年06月
  • InGaN Growth on Non-Polar Plane of ZnO Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    2008 Electronic Materials Conference
    2008年06月
  • Relaxation process of AlxGa1-xN grown on high-crystalline-quality AlN
    共著
    Toshiaki Asai, Kensuke Nagata, Toshiaki Mori, Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2008年07月
  • Novel UV devices on high quality AlGaN using grooved template
    共著
    Hirotoshi Tsuzuki, Fumiaki Mori, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2008年07月
  • A-plane GaN using one-sidewall epitaxial lateral overgrowth technique by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2008年07月
  • Growth of thick GaInN on grooved (10-1-1) GaN/(10-1-2) 4H-SiC
    共著
    Tetsuya Matsubara, Ryota Senda, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2008年07月
  • InGaN growth with various indium composition on m-plane of ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    Yohjiro Kawai, Shinya Ohsuka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    Second International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2008年07月
  • Optimization of electrode configuration in large GaInN light-emitting diodes
    共著
    W. Ochiai, R. Kawai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    35th International Symposium on Compound Semiconductors
    2008年09月
  • Microstructure in AlxGa1-xN grown on AlN
    共著
    T. Mori, T. Asai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • Activation energy of Mg in AlGaN
    共著
    Kentaro Nagamatsu, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • Activation energy of Mg in a-plane Ga1-xInxN (0共著
    D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
    共著
    H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • High-reflectivity Ag-based ohmic contacts for blue light-emitting diodes
    共著
    R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • Realization of high crystalline quality and thick GaInN films
    共著
    R. Senda, T. Matsubara, A. Miura, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure -field-effect transistor with a p-GaN gate
    共著
    M. Iwaya, S. Miura, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • High-performance normally-off-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact
    共著
    R. Nega, K. Mizuno, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Workshop on Nitride semiconductors 2008 (IWN2008)
    2008年10月
  • Fabrication technique for Moth-Eye structure using low-energy electron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate
    共著
    T. Seko, S. Mabuchi, F. Teramae, A. Suzuki, Y. Kaneko, K.Ryosuke, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    2009年01月
  • Optical properties of a- and m-plane GaN grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth
    共著
    Plamen P. Paskov, Bo Monemar, Daisuke Iida, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    2009年01月
  • Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high-performance ultraviolet laser diodes
    共著
    H. Amano, K. Nagamatsu, K. Takeda, T. Mori, H. Tsuzuki, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    2009年01月
  • Growth of low-dislocation-density AlGaN for the realization of high-performance ultraviolet laser diodes
    共著
    H. Amano, H. Tsuzuki, T. Mori, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    The 3rd Int'I Conference on Display & Solid State Lighting
    2009年01月
  • Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes
    共著
    H. Amano, K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    Semiconducting and Insulating Materials Conference
    2009年06月
  • Growth and conductivity control of high-quality-thick GaInN for the realization of high-efficiency photovoltaic cells
    共著
    H. Amano, Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, Y. Morita, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    The 2nd Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM 2009)
    2009年08月
  • Temperature Dependence of Normally Off Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Gate
    共著
    T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    2009年08月
  • Atomic Layer Epitaxy of AlGaN
    共著
    K. Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M.Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    2009年08月
  • High Efficiency Blue-Violet Light Emission in Porous SiC Produced by Anodic Method
    共著
    T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    2009年08月
  • GaInN/GaN p-i-n Light-Emitting Solar Cells
    共著
    Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    2009年08月
  • Strain control in GaInN/GaN multiple quantum wells for high-performance green-light emitters
    共著
    Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Tetsuya Matsubara, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    E-MRS Fall Meeting
    2009年09月
  • High-performance group-III-nitride-based light-emitting solar cells (LESCs)
    共著
    Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, D. Iida, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The International Conference on Advanced Materials (ICAM)
    2009年09月
  • Growth and Characterization of GaN Grown on Moth-Eye Patterned Sapphire Substrates
    共著
    A. Ishihara, H. Sakurai, R. Kawai, T. Kitano, A. Suzuki, T. Kondo, M. Iwaya, H. Amano1, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Growth of GaInN Films by High Pressure MOVPE System at 200kPa
    共著
    Daisuke Iida, Kentaro Nagamatsu, Kensuke Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama1, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Defects in Highly Mg-Doped AlN
    共著
    K. Nonaka, T. Asai, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Internal Quantum Efficiency of GaN/AlGaN Multi Quantum Wells on Different Dislocation Density Underlying Layer
    共著
    Kenichiro Takeda, Fumiaki Mori, Yuji Ogiso, Tomoki Ichikawa, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • High Pressure MOVPE System with High-Speed Switching Valves for the Realization of High-Quality AlGaNat Low Temperatures
    共著
    Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Toshiaki Asai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer
    共著
    T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Light-Emitting Diodes with GaInN/GaN Multi-Quantum Wells Grown on (1011) Plane Thick GaInN Template
    共著
    T. Matsubara, R. Kawai, K. Tamura, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient
    共著
    K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S.Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Threshold Voltage Control using SiNx in Normally Off AlGaN/GaN HFET with p-GaN Gate
    共著
    T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Nitride-based Light-emitting Solar Cell
    共著
    Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN Substrates
    共著
    Y. Oshimura, K. Takeda, T. Sugiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh, T. Udagawa
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Realization of Extreme Light Extraction Efficiency for Moth-eye LEDs on SiC substrate using High-reflection Electrode
    共著
    R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li, K. Su
    8th International Conference on Nitride Semiconductors
    2009年10月
  • Reduction in operating voltage of UV laser diode
    共著
    Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Yuji Ogiso, Kengo Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    SPIE Photonic West
    2010年01月
  • Growth of GaInN films by raised pressure MOVPE at 200kPa
    共著
    Daisuke Iida, Kensuke Nagata, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki
    ISPlasma2010
    2010年03月
  • High Temperature Operation of Normally Off AlGaN /GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    共著
    T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    ISPlasma2010
    2010年03月
  • Ga0.89In0.11N/GaN Double Heterojunction p-i-n Solar Cells
    共著
    Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    ISPlasma2010
    2010年03月
  • AlGaN Growth on (100) QUOTE -Ga2O3 by Metal-Organic Vaper Pahse Epitaxy
    共著
    Y. Kawai, S. Itoh, K.Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    ISPlasma2010
    2010年03月
  • Strain relaxation of AlGaN grown on AlN templates by misfit dislocation generation
    共著
    Z. H. Wu, K. Nonaka, Y. Kawai, T. Asai, F. A. Ponce, C. Q. Chen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    2010年05月
  • Role of stacking faults in misfit strain relaxation in m-plane InGaN quantum wells
    共著
    A. M. Fischer, Z. H. Wu, F. A. Ponce, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, and H. Amano
    The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2011)
    2010年05月
  • Optical waveguide layers in UV laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer
    共著
    Kenichiro Takeda, Tomoki Ichikawa, Kengo Nagata, Daisuke Sawato, Yuji Ogiso, YoshinoriOshimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa, Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    The 37th International Conference of Compound Semiconductors
    2010年05月
  • Recent development and future prospects of the fabrication of GaInN-based solar cells
    共著
    H. Amano, T. Sugiyama, Y .Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    The 37th International Conference of Compound Semiconductors
    2010年05月
  • Homoepitaxial growth of m-plane GaN film on miscut GaN substrates grown by Na flux method
    共著
    Y. Isobe, D. Iida, T. Sakakibara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2010年07月
  • Fabrication of nitride-based solar cells on freestanding GaN substrate
    共著
    Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2010年07月
  • Microstructure of Thick AlGaN Epilayers Using Mg-doped AlN Underlying Layer
    共著
    K. Nonaka, T. Asai, K. Ban, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and Z. H. Wu
    The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2010年07月
  • Reduction in threshold current density of UV laser diode
    共著
    Kengo Nagata, Kentaro Nonaka, Tomoki Ichikawa, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2010年07月
  • Atomic Layer Epitaxy of AlN and AlGaN and Raised Pressure MOVPE for the Growth of High In-content GaInN
    共著
    Hiroshi Amano, Masahito Yamaguchi, Yoshio Honda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    2010年08月
  • Transmission-electron-microscope characterization of AlGaN/GaN heterostructure on miscut GaN substrate grown by Na flux method
    共著
    Tatsuyuki Sakakibara, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imada, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori
    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    2010年08月
  • Selective formation of porous SiC by anodic method
    共著
    Takuya Yokoi, Fumiharu Teramae, Shinichi Ezaki, Takuya Nishimura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    2010年08月
  • Optimization of Initial Growth of the Nonpolar m-plane and a-plane GaN Grown on LPE-GaN Substrates by Na Flux Method
    共著
    Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Compensation Effect of Mg-doped a- and c-plane GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    共著
    Daisuke Iida, Kenta Tamura, Kentaro Nonaka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Microstructure of GaInN/GaInN Superlattice on GaN Substrate
    共著
    Toru Sugiyama, Yousuke Kuwabara, Yasuhiro Isobe, Takahiro Fujii, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Transparent Electrode for UV Light-Emitting-Diodes
    共著
    Kosuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hisashi Sakurai, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Injection Efficiency in AlGaN-based UV Laser Diode
    共著
    Kengo Nagata, Kenichiro Takeda, Yoshinori Oshimura, Kosuke Takehara, Hiroki Aoshima, Shun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, and Hirofumi Kan
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Development of High Efficiency 255-350 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    共著
    Cyril Pernot, Myunghee Kim, Shinya Fukahori, Tetsuhiko Inazu, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Drain Bias Stress and Memory Effect in AlGaN/GaN Heterostructure Field-effect Transistor with p-GaN Gate
    共著
    Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yoshinori Oshimura, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • GaInN/AlGaN Heterostructure Field-effect Transistors
    共著
    Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Akira Bandoh, and Takashi Udagawa
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Realization of Extremely Low Leakage Current in AlGaN/GaN HFETs by Pulsed Injection of Mg Source before Growth of Undoped GaN Buffer Layer
    共著
    Yoshinori Oshimura, Takayuki Sugiyama, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • High-InN-molar-fraction Nitride-based Solar Cells using GaInN/GaInN Superlattice
    共著
    Takahiro Fujii, Yosuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    2010年09月
  • Realization of high-conversion-efficiency GaInN based solar cells
    共著
    M. Iwaya, Y. Kuwahara, T. Fujii, Y. Fujiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    SPIE Photonic West
    2011年01月
  • Fabrication of high effi ciency LED using moth-eye structure
    共著
    H. Sakurai, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    SPIE Photonic West
    2011年01月
  • Growth of High Quality AlGaInN over the Whole Compositional Range by High Temperature and Raised Pressure MOVPE System
    共著
    H. Amano, G.J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nonaka, K.Nagata, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    Institute of Physics, Microscopy of Semiconducting Materials 2011
    2011年04月
  • IQE and EQE of the nitride-based UV/DUV LEDs
    共著
    H. Amano, G. J. Park, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Ban, K. Nagata, K. Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    CLEO 2011
    2011年05月
  • High temperature MOVPE of AlGaN for UV/DUV devices and increased pressure MOVPE of InGaN for green/yellow devices
    共著
    Hiroshi Amano, Toshiya Ohata, Seiya Sakakura, Takayuki Sugiyama, Tomoyuki Tanikawa, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Naoya Miyoshi, Mamoru Imade, Yusuke Mori, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    E-MRS ICAM IUMRS 2011 Spring Meeting
    2011年05月
  • Internal quantum efficiency of nitride-basedlight emitting devices
    共著
    H. Amano, T. Tabata, G. J. Park, T. Murase, T. Sugiyama, T. Tanikawa, Y. Kawai, Y. Honda, M. Yamaguchi, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    2011年05月
  • Fabrication of the High Efficiency GaInN Based Solar Cells
    共著
    Motaoki Iwaya, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Yoshiki Morita, Tatsuya Nakao, Syota Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI), School of Information and Communication Technology
    2011年06月
  • Freestanding highly crystalline single crystal AlN substrates grown by a novel closed sublimation method
    共著
    Motoaki Iwaya, Masayasu Yamakawa, Kazuki Murata, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, and Masanobu Azuma
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Growth of GaN and AlGaN on -Ga2O3 (100) substrate
    共著
    Syun Ito, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Hiroki Aoshima, Kosuke Takehara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Al-based high reflectance p-type electrode for UV-LEDs
    共著
    Kousuke Takehara, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Syun Ito, Hiroki Aoshima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Nonpolar a-plane AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor grown on freestanding GaN substrate
    共著
    Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Two-dimensional electron gases in AlGaN channel high electron mobility transistors with AlN barrier layers
    共著
    S. Hashimoto, K. Akita, Y. Yamamoto, K. Takeda, M. Iwaya, Y. Honda, and H. Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Growth of AlInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    共著
    A. Mishima, T. Makino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, S. Sakakura, T. Tanikawa, Y. Honda, and H. Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Dependence of Internal Quantum Efficiency on Emission Wavelength in Nitride-Based LEDs
    共著
    S. Yamaguchi, D. Iida, T. Kitano, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Improvement of light extraction efficiency of nitride-based blue LEDs on moth-eye patterned sapphire substrate
    共著
    Toshiyuki Kondo, Akihiro Ishihara, Tsukasa Kitano, Shuji Yamaguchi, Atsushi Suzuki, Kazuki Teshima, Satoru Maeda, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrates
    共著
    Takayuki Sugiyama, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano, Yasuhiro Isobe, Yuki Yasue, Yoshinori Oshimura, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Mamoru Imade, Yasuo Kitaoka, and Yusuke Mori
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • GaInN channel HFET with high InN molar fraction
    共著
    Hiromichi Ikki, Yasuhiro Isobe, Tatsuyuki Sakakibara, Kazuya Ikeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Fabrication and characterization of nonpolar a-plane nitride-based solar cells
    共著
    Tatsuro Nakao, Yasuharu Fujiyama, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Syota Yamamoto, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Relationship between the crystalline quality and characteristics in nitride-based solar cells
    共著
    Takahiro Fujii, Yosuke Kuwahara, Daisuke Iida, Yasuharu Fujiyama, Yoshiki Morita, Toru Sugiyama, Yasuhiro Isobe, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Internal quantum efficiency of whole-composition-range AlGaN multiquantum wells
    共著
    Junichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Kenichiro Takde, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Development of Deep UV-Light Source Based on High Power AlGaN LEDs
    共著
    C. Pernot, T. Inazu, S. Fukahori, M. H. Kim, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Yamaguchi. Y. Honda, and H. Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    共著
    Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Tatsuyuki Sakakibara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    共著
    Hiroki Aoshima, Mikiko Mori, Kenichiro Takeda, Kengo Nagata, Kousuke Takehara, Syun Ito, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Metalorganic Vapor Epitaxy growth of nitrides analyzed using a novel in situ X-ray diffraction system
    共著
    Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    2011年07月
  • Improvement of the light extraction efficiency in the GaN based LED by moth-eye structure
    共著
    Motoaki Iwaya, Toshiyuki Kondo, Akihiro Ishihara, Tsukasa Kitano, Koichi Naniwae, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The 11th International Meeting on Information Display
    2011年10月
  • Concentrating properties of nitride-based solar cells
    共著
    Mikiko Mori, Shota Yamamoto, Yosuke Kuwahara, Takahiro Fujii, Tatsuro Nakao, Shinichiro Kondo, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    2012 SPIE Photonics west
    2012年01月
  • Optimization of electrode structure in GaInN based solar cells
    共著
    Shota Yamamoto, Mikiko Mori, Tatsuro Nakao, Shinichiro Kondo, Yosuke Kuwahara, Yoshiki Morita, Takahiro Fujii, Toru Sugiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Hiroshi Amano
    2012 SPIE Photonics west
    2012年01月
  • Understanding the relationship between IQE and defects in nitride-based LEDs
    共著
    Motoaki Iwaya and Hiroshi Amano
    2012 SPIE Photonics west
    2012年01月
  • Observation of GaInN strain relaxation using in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth
    共著
    M. Iwaya, D. Iida, D. Tanaka, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    5th LED and solid state lighting conference
    2012年02月
  • Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions
    共著
    Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    2012年05月
  • In-Situ Real-Time X-Ray Diffraction Study during Ga1-xInxN/GaN Heterostructure Growth by MOVPE for Understanding Strain Relaxation Mechanism
    共著
    Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Daiki Tanaka, Toru Sugiyama, Mihoko Sowa, Yasunari Kondo, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    2012年05月
  • Microstructure of AlGaN on Low-Dislocation Density AlN Underlying Layer Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth
    共著
    Kimiyasu Ide, Junichi Yamamoto, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    2012年05月
  • Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications
    共著
    Kouta Yagi, Mitsuru Kaga, Kouji Yamashita, Kenichirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeichi, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI)
    2012年05月
  • Observation of GaInN strain relaxation by in situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapour phase epitaxy growth
    共著
    M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, Y. Kondo, H. Matsubara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2012年07月
  • Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement
    共著
    Y. Kondo, D. Iida, T. Sugiyama, M. Sowa, H. Matsubara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S.Kamiyama, and I. Akasaki
    4th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2012年07月
  • Strain Relaxation Mechanism in GaInN/GaN Heterostructure Characterized by in situ X-ray Diffraction Monitoring During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth
    共著
    Motoaki Iwaya, Yasunari Kondo, Hiroyuki Matsubara, Mihoko Sowa, Toru Sugiyama, Daisuke Iida, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    39th International Symposium on Compound Semiconductors
    2012年08月
  • Realization of high efficiency nitride-based solar cells
    共著
    Motoaki Iwaya, Mikiko Mori, Shinichiro Kondo, Shota Yamamoto, Tatsuro Nakao, Takahiro Fujii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Optimization of crystalline quality of GaN using low temperature buffer layer by in situ X-ray diffraction monitoring
    共著
    Daiki Tanaka, Daisuke Iida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures
    共著
    Toshiki Yasuda, Kouta Yagi, Tomoyuki Suzuki, Tsubasa Nakashima, Masahiro Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Fabrication of AlInN/GaInN MIS heterostructure field-effect transistors
    共著
    Kazuya Ikeda, Yasuhiro Isobe, Hiromichi Ikki, Kimiyasu Ide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • High sensitivity extremely nitride-based heterofield-effect-transistor-type photosensors
    共著
    Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by in situ X-ray diffraction measurement
    共著
    Yasunari Kondo, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Hiroyuki Matsubara, Mihoko Sowa, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Strain relaxation mechanism in GaInN/GaN heterostructure characterized by in situ XRD monitoring during growth and ex situ measurements
    共著
    Hiroyuki Matsubara, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Yasunari Kondo, Mihoko Sowa, Shinya Umeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Fabrication and characterization of AlGaInN quantum wells
    共著
    Tomoyuki Suzuki, Mitsuru Kaga, Koichi Naniwae, Tsukasa Kitano, Kesuke Hirano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Study on efficiency component estimation by electroluminescence and photoluminescence intensities
    共著
    Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Nonpolar a-plane AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor grown on freestanding GaN substrate
    共著
    Masataka Mizuno, Yasuhiro Isobe, Kazuya Ikeda, Mami Isiguro, Motoaki Iwaya, Tetuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Combination of ITO and SiO2/AlN dielectric multilayer reflective electrodes for UV light-emitting diodes
    共著
    Tsubasa Nakashima, Kenichirou Takeda, Yuko Matsubara, Motoaki Iwaya, Tetyuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two active regions with Mg-doped intermediate layers
    共著
    Kenjo Matsui, Koji Yamashita, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tomoyuki Suzuki, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Concentrating properties of nitride-based solar cells using different electrodes
    共著
    Mikiko Mori, Shota Yamamoto, Shinichiro Kondo, Tatsuro Nakao, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes
    共著
    Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouji Yamashita, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Microstructure analysis of AlGaN on AlN underlying layers with different threading dislocation densities
    共著
    Kimiyasu Ide, Yuko Matsubara, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn
    共著
    Shinya Umeda, Takahiro Kato, Tsukasa Kitano, Toshiyuki Kondo, Hiroyuki Matsubara, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based LEDs with tunnel junctions
    共著
    Yuka Kuwano, Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • Carrier profiling technique for DUV LEDs
    共著
    Yuta Furusawa, Inazu Tetsuhiko, Shinya Fukahori, Cyril Pernot, Myonghee Kim, Takehiko Fujita, Yosuke Nagasawa, Akira Hirano, Masamichi Ippommatsu, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Yoshio Honda, Masashi Yamaguchi, Hiroshi Amano, and Isamu Akasaki
    The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
    2012年10月
  • High-sensitivity HFET type photosensors with a p-GaInN gate
    共著
    Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    SPIE Photonic west 2013
    2013年02月
  • Influence of growth interruption on performance of nitride-based blue LED
    共著
    Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Naoki Sone, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    SPIE Photonic west 2013
    2013年02月
  • Introduction of the Moth-eye patterned sapphire substrate technology for cost effective high-performance LED
    共著
    Koichi Naniwae, Midori Mori, Toshiyuki Kondo, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki
    SPIE Photonic west 2013
    2013年02月
  • Fabrication of moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS) and influence of height of corns on the performance of blue LEDs on MPSS
    共著
    Takayoshi Tsuchiya, Shinya Umeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Toshiyuki Kondo, Tsukasa Kitano, Midori Mori, Atsushi Suzuki, Fumiharu Teramae, Hitoshi Sekine
    SPIE Photonic west 2013
    2013年02月
  • Performance of nitride-based light emitting diodes using an Indium-zinc-oxide transparent electrode with moth-eye structure
    共著
    Shugo Mizutani, Satoshi Nakashima, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, Toshiyuki Kondo, Fumiharu Teramae, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Midori Mori, Masahito Matsubara
    SPIE Photonic west 2013
    2013年02月
  • 低温バッファー層挿入によるGaNエッチピット密度の低減
    共著
    岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第45回春季応用物理学関係関連講演会
    1998年03月
  • 多段バッファー層上GaNの成長機構と特性
    共著
    岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、鹿嶋孝之、桂川真樹、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    1998年09月
  • GaN上の高品質AlNの成長
    共著
    林 伸亮、竹内哲也、岩谷素顕、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    1998年09月
  • 歪制御したGaN/AlGaN量子井戸の成長および光学的特性
    共著
    竹内哲也、林 伸亮、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    第59回秋季応用物理学関係関連講演会
    1998年09月
  • 受光型火炎センサの研究 (応答速度、最小検出能力の改善)
    共著
    平野 光、Cyril Pernot、岩谷 素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    第36回燃焼シンポジウム
    1998年09月
  • 中間低温層によるAlxGa1-xN混晶の高品質化
    共著
    岩谷素顕、林 伸亮、鵜飼 勉、中村 亮、竹内哲也、鹿嶋孝之、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第46回春季応用物理学関係関連講演会
    1999年03月
  • AlyGa1-yN中間低温層を用いたAlxGa1-xNの厚膜成長
    共著
    林 伸亮、岩谷素顕、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第46回春季応用物理学関係関連講演会
    1999年03月
  • 中間低温堆積層を介して成長させたAlxGa1-xNのTEM評価
    共著
    鹿嶋孝之、細野篤史、桂川真樹、加藤久喜、岩谷素顕、林 伸亮、竹内哲也、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇
    第46回春季応用物理学関係関連講演会
    1999年03月
  • III族窒化物半導体レーザーにおける光閉じ込めの改善
    共著
    竹内哲也、T. Detchprohm、岩谷素顕、林 伸亮、山口栄雄、C. Wetzel、天野 浩、赤﨑 勇、金子 和、Y. Chen、山田範秀
    第46回春季応用物理学関係関連講演会
    1999年09月
  • AlGaN紫外線フォトディテクターの評価
    共著
    Cyril Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    第46回春季応用物理学関係関連講演会
    1999年09月
  • 低温中間層を介して成長したGaNおよびAlGaNの歪制御
    共著
    岩谷素顕、林 伸亮、鹿嶋孝之、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    1999年09月
  • 低温堆積中間層の熱処理による動的電子顕微鏡観察
    共著
    鹿嶋孝之、中村 亮、加藤久喜、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    1999年09月
  • AlxGa1-xN/GaNにおけるクラック発生機構の原子レベルでの解析
    共著
    中村 亮、鹿嶋孝之、加藤久喜、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    1999年09月
  • アルカリ水溶液を用いたAlxGa1-xNの光電気化学エッチング特性
    共著
    矢野雅大、Theeradetch Detchprohm、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
    平成11年度電気関係学会東海支部連合大会
    1999年09月
  • FIBによるGaN系分布反射型レーザダイオードの作製検討
    共著
    加藤久喜、磯村公夫、岩谷素顕、天野浩、赤崎勇
    平成11年度電気関係学会東海支部連合大会
    1999年09月
  • サファイア上AlGaNの電子顕微鏡観察-低温堆積中間層の効果
    共著
    鹿嶋孝之、中村 亮、岩谷素顕、加藤久喜、山口栄雄,天野 浩、赤﨑 勇
    応用電子物性分科会
    1999年11月
  • AlGaNフォトコンダクタによる火炎センサの研究
    共著
    ペルノ シリル、平野光、岩谷素顕、T. デートプロム、天野浩、赤崎勇
    第37回燃焼シンポジウム
    1999年12月
  • III族窒化物のマストランスポート特性(2)
    共著
    新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、苅谷道彦、鹿嶋孝之、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • 低温中間層上のAlxGa1-xNの微細構造
    共著
    中村 亮、鹿嶋孝之、望月信吾、岩谷素顕、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • AlxGa1-xN/GaNヘテロ構造における応力緩和過程の成長中その場観察
    共著
    寺尾真二、岩谷素顕、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • ソーラーブラインドGaN/AlGaNヘテロフォトダイオードの研究
    共著
    C. Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • AlGaNフォトトランジスタの受光特性
    共著
    R. Mouillet、C. Pernot、平野 光、岩谷素顕、T. Detechprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • 埋め込み再成長型GaN系半導体レーザ構造における自然放出スペクトルの評価
    共著
    鵜飼 勉、岩谷素顕、佐藤敏幸、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第47回春季応用物理学関係関連講演会
    2000年03月
  • III族窒化物のマストランスポート特性(3)
    共著
    新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、斎藤真一、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    2000年09月
  • AlxGa1-xN/GaNヘテロ構造の臨界膜厚の不純物濃度依存性
    共著
    寺尾真二、岩谷素顕、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    2000年09月
  • AlxGa1-xNの貫通転位密度の低減
    共著
    中村 亮、岩谷素顕、望月信吾、中村哲也、鵜飼 勉、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    2000年09月
  • 低転位AlGaN上に作製したGaN/AlxGa1-xN MQWの発光特性
    共著
    岩谷素顕、中村 亮、寺尾真二、鵜飼 勉、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第60回秋季応用物理学関係関連講演会
    2000年09月
  • GaN/AlGaN多重量子井戸におけるV状欠陥の形成機構
    共著
    中村哲也、中村亮、望月信吾、岩谷素顕、天野浩、赤﨑 勇
    平成12年度電気関係学会東海支部連合大会
    2000年09月
  • 低転位AlGaN上に作製した高効率UV-LED
    共著
    岩谷素顕、寺尾真二、鵜飼 勉、中村 亮、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第48回応用物理学関係関連講演会
    2001年03月
  • AlGaN PINフォトダイオードによる火炎センサの実証
    共著
    平野 光、C. Pernot、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    第48回応用物理学関係関連講演会
    2001年03月
  • GaN/AlGaNへテロバイポーラフォトトランジスタによる紫外微弱光検出
    共著
    平野 光、R. Mouillet、岩谷素顕、T. Detchprohm、天野 浩、赤﨑 勇
    第48回応用物理学関係関連講演会
    2001年03月
  • 圧縮状況下でのGaNの成長機構
    共著
    寺尾真二、岩谷素顕、佐野智昭、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第48回応用物理学関係関連講演会
    2001年03月
  • III族窒化物のマストランスポート特性(4)
    共著
    新田州吾、湯川洋平、小嵜正芳、渡辺康弘、岩谷素顕、山口栄雄、天野 浩、赤﨑 勇
    第48回応用物理学関係関連講演会
    2001年03月
  • GaN系紫外発光ダイオードの作製および評価
    共著
    上山 智、岩谷素顕、寺尾真二、天野 浩、赤﨑 勇
    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第24回研究会
    2001年04月
  • AlGaN横方向成長機構
    共著
    佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、中村哲也、望月信吾、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第62回応用物理学関係関連講演会
    2001年09月
  • UV-LEDの特性評価
    共著
    高浪俊、富田仁人、中村哲也、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第62回応用物理学関係関連講演会
    2001年09月
  • AlGaN横方向成長機構(2)
    共著
    佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、中村哲也、望月信吾、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第49回応用物理学関係関連講演会
    2002年03月
  • ファセット上に成長した低転位AlGaN
    共著
    岩谷素顕、寺尾真二、高浪俊、宮崎敦嗣、佐野智昭、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第49回応用物理学関係関連講演会
    2002年03月
  • AlGaN PINフォトダイオードの温度特性
    共著
    山本美和、平野光、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第49回応用物理学関係関連講演会
    2002年03月
  • 低転位AlGaN上に作製した深紫外LED
    共著
    高浪俊、宮崎敦嗣、寺尾真二、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第49回応用物理学関係関連講演会
    2002年03月
  • AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用
    共著
    岩谷素顕、佐野智昭、寺尾真二、望月信吾、佐野重和、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会技術研究報告
    2002年05月
  • 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一
    共著
    佐野智昭、岩谷素顕、寺尾真二、望月信吾、中村哲也、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会技術研究報告
    2002年05月
  • 紫外LEDの発光特性評価
    共著
    高浪 俊、宮崎敦嗣、寺尾真二、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会技術研究報告
    2002年05月
  • AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用
    共著
    岩谷素顕、高浪 俊、宮崎敦嗣、佐野智昭、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会技術研究報告
    2002年06月
  • AlGaN PINダイオードによる炎センサとその温度特性
    共著
    平野 光、山本美和、西田克彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会技術研究報告
    2002年06月
  • AlN/GaN超格子クラッド層の最適化
    共著
    宮崎敦嗣,川島毅士,高浪 俊,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    第63回応用物理学関係関連講演会
    2002年09月
  • 光取り出し効率の改善による紫外LEDの高出力化
    共著
    高浪 俊,川島毅士,宮崎敦嗣,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    第63回応用物理学関係関連講演会
    2002年09月
  • 低転位AlGaNに作製した高効率紫外LED
    共著
    飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    レーザー学会第23回年次大会
    2003年01月30日
  • 高品質AlGaNのMOVPE成長
    共著
    川島毅士, 宮崎敦嗣,飯田一喜,岩谷素顕,上山智, 天野浩, 赤﨑勇
    レーザー学会第23回年次大会
    2003年01月30日
  • 高品質AlGaNのMOVPE成長
    共著
    川島毅士、宮崎敦嗣、飯田一喜、井村将隆、佐野智昭、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第50回応用物理学会関係連合講演会
    2003年03月28日
  • 導電性ZrB2基板を用いた高品質GaN成長
    共著
    福井伸次、富田仁人、新田州吾、飯田一喜、高浪 俊、川島毅士、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、大谷茂樹、松田俊哉、木下博之
    第50回応用物理学会関係連合講演会
    2003年03月29日
  • 導電性ZrB2基板上に作製した紫外発光ダイオード
    共著
    岩谷素顕、飯田一喜、川島毅士、福井伸次、宮崎敦嗣、高浪 俊、富田仁人、新田州吾、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、大谷茂樹、松田俊哉、木下博之
    第50回応用物理学会関係連合講演会
    2003年03月29日
  • 低転位AlGaNに作製した紫外LD
    共著
    飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第50回応用物理学会関係連合講演会
    2003年03月30日
  • 低転位AlGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫レーザダイオード
    共著
    飯田 一喜、高浪 俊、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    2003年05月15日
  • MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価
    共著
    下野健二、神保正弘、渡辺康弘、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    2003年05月15日
  • 高品質AlGaNのMOVPE成長
    共著
    川島毅士、宮崎敦嗣、飯田一喜、井村将隆、佐野智昭、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    電子情報通信学会(ED/CPM/SDM合同研究会)
    2003年05月15日
  • MOVPE法による各種基板上へのInN膜の成長及び評価
    共著
    下野健二、神保正弘、渡辺康弘、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第64回応用物理学会 学術講演会公演予稿集, No.1, P308
    2003年08月31日
  • ナイトライド紫外発光デバイスにおける超格子クラッド層の最適化
    共著
    宮﨑敦嗣、川島毅士、飯田一喜、井村将隆、岩谷素顕、上山 智、天野 宏、赤﨑 勇
    第64回応用物理学会 学術講演会公演予稿集, No.1, P308
    2003年09月01日
  • 低転位AlGaNの結晶性評価
    共著
    川島毅士,飯田一喜,宮崎敦嗣,井村将隆,岩谷素顕,上山智,天野浩,赤﨑勇
    第64回応用物理学会学術講演会('03秋)
    2003年08月30日
  • 低転位AlGaNを用いた紫外発光素子
    共著
    飯田 一喜、川島 毅士、宮﨑 敦嗣、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(ED/CPM/LQE合同研究会)
    2003年10月02日
  • AlGaN系紫外発光ダイオード
    共著
    上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    日本学術振興会125委員会「本委員会第181回研究会」
    2003年10月03日
  • AlGaN/GaN超格子の電気的特性評価
    共著
    神保正宏、窪田平和、広瀬貴利、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • サファイア基板のH2アニールと低温AlNバッファ層特性の関係
    共著
    津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • (30-38)面4H-SiC基板上に作製したIII族窒化物半導体(1)-大気圧成長-
    共著
    北野 司、本塩 彰、井村将隆、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 4H-SiC(30-38)基板上に作製したIII族窒化物半導体(2)-成長圧力依存性-
    共著
    本塩 彰、北野 司、井村将隆、宮崎敦嗣、川島毅士、飯田一喜、三宅泰人、春日井秀紀、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 4H-SiC(30-38)基板上に作製したIII族窒化物半導体(3)-転位の挙動-
    共著
    井村将隆、北野 司、本塩 彰、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 昇華法による6H-SiC(0001)面基板上へのAlN成長
    共著
    仲野靖考、成田 剛、坂野真男、Balakrishnan Krishnan、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡志
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 昇華法を用いた自然核発生によるAlN単結晶の成長
    共著
    坂野真男、仲野靖考、成田 剛、Balakrishnan Krishnan、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡志
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 高AlNモル分率n-AlGaNへのオーミック電極形成
    共著
    春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • 窒化物半導体受光素子のパッシベーションの暗電流削減効果
    共著
    山下浩司、平野 光、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • AlGaN系紫外レーザダイオード
    共著
    飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、宮崎敦嗣、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第51回応用物理学関係連合講演会
    2004年03月
  • AlGaN系紫外発光素子
    共著
    岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    日本学術振興会162委員会「第38回研究会」
    2004年07月29日
  • AlGaN/GaN HEMTの相互コンダクタンスに及ぼすオーミック接触抵抗の影響
    共著
    広瀬貴利、本塩 彰、神保正宏、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • 昇華法により作製したAlN結晶の微細構造観察
    共著
    仲野靖孝、成田 剛、坂野真男、井村将隆、バラクリッシュナン・クリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、野呂匡史
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • A面サファイア基板のH2アニール
    共著
    津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • サファイアR面オフ基板上へ作製したIII族窒化物半導体
    共著
    本塩 彰、三宅泰人、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • R面サファイア基板上に作製したIII族窒化物半導体の微細構造観察
    共著
    井村将隆、本塩 彰、仲野靖孝、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • 低転位AlGaNの微細構造観察
    共著
    井村将隆、川島毅士、仲野靖孝、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、デビット・チャーン
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長
    共著
    三宅泰人、本塩 彰、北野 司、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • Moth Eye発光ダイオード
    共著
    春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、岩谷谷顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、木下博之、塩見 弘
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • サファイアR面上の紫色発光ダイオード
    共著
    飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第55回応用物理学会学術講演会
    2004年09月
  • サファイアR面オフ基板上へ作製したIII族窒化物半導体
    共著
    本塩 彰、三宅泰人、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2004年10月
  • 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長
    共著
    三宅泰人、本塩 彰、北野 司、春日井秀紀、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2004年10月
  • Moth Eye発光ダイオード
    共著
    春日井秀紀、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2004年10月
  • サファイアR面上に作製した紫色LED
    共著
    飯田一喜、春日井秀紀、三島俊介、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2004年10月
  • 紫外発光素子に向けたIII族窒化物半導体の結晶成長および今後の課題
    共著
    岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    日本学術振興会 第145委員会 第102回研究会
    2005年03月10日
  • AlGaN/GaN HEMTの相互コンダクタンスとシート抵抗に関する考察
    共著
    広瀬貴利、本塩 彰、川島毅士、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 顕微ラマン分光法によるナイトライドLEDの微細領域での温度分布解析
    共著
    三島俊介、本塩 彰、三宅泰人、飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、若山雅文
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 昇華法による4H-SiC (30\overline{3}8) 面上へのAlN単結晶成長
    共著
    土屋法隆、成田 剛、仲野靖孝、坂野真男、井村将隆、クリッシュナンバラクリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • MOVPE法によるサファイアR面上GaNの高速成長
    共著
    古川寛子、岡留由真、土屋陽祐、本塩 彰、広瀬貴利、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
    共著
    岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、川島毅士、井村将隆、仲野靖孝、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩赤崎 勇
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • MOVPE法による厚膜AlN成長
    共著
    藤元直樹、北野 司、成田 剛、布施賢幸、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • MOVPE法による厚膜AlNの微細構造観察
    共著
    井村将隆、仲野靖孝、北野 司、布施賢幸、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、高木 俊、バラクリッシュナン クリッシュナン、野呂 匡、坂東 章
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • サファイア溝基板上AlNのELO
    共著
    成田 剛、藤元直樹、広瀬貴利、北野 司、川島毅士、飯田一喜、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、バラクリシュナンクリシュナン、赤﨑 勇
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • MOVPE-ELOによるサファイア溝基板上低転位AlNの微細構造観察
    共著
    仲野靖孝、井村将隆、成田 剛、北野 司、藤元直樹、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、バラクリッシュナン クリッシュナン
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • ZrB2バッファ層を用いたSi(111)基板へのIII族窒化物のエピタキシャル成長
    共著
    櫻井靖彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、J. Tolle、J. Kouvetakis、I.S.T. Tsong
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 高Al組成AlGaNの伝導性
    共著
    川島毅士、岡留由真、土屋陽祐、三宅泰人、本塩 彰、飯田一喜、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 遠赤外線輻射材コーティングによるハイパワーLEDシステムの放熱特性の改善
    共著
    稲田 シュンコ アルバーノ、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、岩田美佐男
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 近接昇華法によるSiC高速エピ成長
    共著
    前田智彦、土屋陽祐、中村佳博、河合洋二郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明、塩見 弘
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • 近接昇華法による2°off基板上SiCエピ膜表面モフォロジーの改善
    共著
    河合洋次郎、中村佳博、前田智彦、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、古庄智明、木下博之、塩見 弘
    第52回応用物理学関係連合大会
    2005年03月
  • MOVPE法による厚膜AlN成長
    共著
    藤元 直樹、北野 司、成田 剛、井村 将隆、Krishnan、Balakrishnan、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野 健二、野呂 匡志、高木 俊、坂東 章
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • サファイア溝基板上AlNのELO成長
    共著
    成田 剛、藤元 直樹、広瀬 貴利、北野 司、川島 毅士、飯田 一喜、 津田 道信、クリシュナン・バラクリシュナン、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • MOVPE-ELOによるサファイア溝基板上低転位AlNの微細構造
    共著
    仲野靖孝、井村将隆、成田 剛、北野 司、藤元 直樹、クリッシュナン・バラクリッシュナン、津田 道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価
    共著
    岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、川島毅士、井村将隆、仲野 靖孝、本塩 彰、津田 道信、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長
    共著
    古川 寛子、岡留 由真、土屋 陽祐、本塩 彰、津田 道信、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • 顕微ラマン分光法によるナイトライドLED の微細領域での温度分布解析
    共著
    三島俊介、浅井利浩、春日井秀紀、本塩 彰、三宅泰人、飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、若山雅文
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年05月
  • III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
    共著
    天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    応用電子物性分科会「白色デバイスの開発動向」
    2005年07月21日
  • p型GaNゲートを用いたノーマリーオフ形AlGaN/GaN HFET
    共著
    露口士夫、広瀬貴利、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析
    共著
    三島俊介、永松健太郎、本塩 彰、三宅泰人、浅井利浩、飯田一喜、川島 毅、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • R面サファイア基板上A面GaNの一軸性歪み
    共著
    岩谷素顕、古川寛子、本塩 彰、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • R面サファイア基板上A面AlGaN/GaNヘテロ構造の解析
    共著
    岩谷素顕、古川寛子、本塩 彰、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • サファイアR面基板上GaNの電気的特性評価
    共著
    土屋陽祐、岡留由真、古川寛子、三宅泰人、本塩 彰、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 「講演奨励賞受賞記念講演」高温MOVPE法によるAlNの低転位化メカニズム
    共著
    井村将隆、仲野靖孝、岡田成仁、北野 司、成田 剛、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、バラクリッシュナン クリシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 高温MOVPE法による高品質AlN成長
    共著
    藤元直樹、北野 司、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 高温MOVPE法AlGaNの熱力学的解析
    共著
    北野 司、藤元直樹、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 高温MOVPE法によるAlGaN/AlN超格子の製作と評価
    共著
    岡田成仁、井村将隆、仲野靖孝、北野 司、成田 剛、藤元直樹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、バラクリッシュナン クリシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性
    共著
    永松謙太郎、岡留由真、古川寛子、土屋陽祐、浅井利浩、三島俊介、本塩 彰、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • Moth Eye構造作製によるナイトライド発光ダイオードの高効率化
    共著
    春日井秀紀、岩谷素顕、天野 浩、赤崎 勇、木下博之、塩見 弘
    第66回応用物理学会学術講演会
    2005年09月
  • 昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長
    共著
    土屋法隆、クリッシュナン バラクリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、下野健二、野呂匡志、高木 俊、古庄智明
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同研究会)
    2005年10月
  • 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC蛍光層の光学特性
    共著
    前田智彦、中村佳博、生田美奈、柴田陽子、村田諭是、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、尾沼猛儀、秩父重英、古庄智明、木下博之
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおけるDAP発光特性の不純物濃度依存性
    共著
    村田諭是、中村佳博、前田智彦、柴田陽子、生田美奈、杉浦正明、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • MOVPE法によるc面サファイア基板上GaNの高速厚膜成長
    共著
    田中勇貴、古川寛子、津田道信、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • 高温MOVPE法によるAlGaNの高速成長
    共著
    加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、北野 司、成田 剛、岡田成仁、井村将隆、クリシュナンバラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章、下野健二、野呂匡志、高木 俊
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化
    共著
    飯田一喜、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • 高温MOVPE法によるAlNの低転位化メカニズム
    共著
    井村将隆、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、岡田成仁、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、クリシュナン・バラクリッシュナン、下野健二、高木 俊、野呂匡志、坂東 章
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • r面サファイア基板上a面GaInN/GaNヘテロ構造の解析
    共著
    三浦 彩,飯田大輔,本塩 彰,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • m面Al0.18Ga0.82Nの横方向成長
    共著
    川島毅士,飯田大輔,三浦 彩,岡留由真,土屋陽祐,三宅泰人,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇,本塩 彰
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • 窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおける光学特性の熱処理効果
    共著
    柴田陽子、中村佳博、前田智彦、村田諭是、生田美奈、杉浦正明、新田州吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉本昌広、木下博之、古庄智明
    第53回応用物理学関係連合講演会
    2006年03月
  • ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETsのAlGaN膜厚及びAlNモル分率依存性
    共著
    藤井隆弘、露口士夫、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • p型GaNゲートAlGaN/GaN 接合型高性能フォトHFETの作製
    共著
    三浦秀一、藤井隆弘、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • 高温MOVPE法によるAlN結晶の欠陥制御およびその微細構造観察
    共著
    井村将隆、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、岡田成仁、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、クリシュナン・バラクリッシュナン、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • HT-MOVPEによるr面サファイア基板上a-AlNの成長およびELOによる低転位化
    共著
    岡田成仁、加藤尚文、佐藤周夜、住井隆文、藤元直樹、井村将隆、バラクリシュナンリッシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • a面GaNの横方向成長による全面高品質化
    共著
    飯田大輔、三浦 彩、岡留由真、土屋陽祐、川島毅士、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • m面GaNの横方向成長によるウェハ全面低転位化
    共著
    川島毅士、飯田大輔、三浦 彩、永井哲也、岡留由真、土屋陽祐、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(II)
    共著
    飯田一喜、川島毅士、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • 紫外発光素子の開発
    共著
    天野 浩、バラクリシュナン クリシュナン、岩谷素顕、上山 智、野呂匡志、高木 俊、坂東 章
    第67回応用物理学会学術講演会
    2006年08月
  • 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価
    共著
    渡邉浩崇、飯田一喜、竹田健一郎、クリシュナン バラクリシュナン、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、坂東 章
    電子情報通信学会(LQE,ED,CPM合同)研究会
    2006年10月
  • 無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用”
    共著
    岩谷素顕、川島毅士、飯田大輔、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    応用物理学会関西支部セミナー「結晶成長とデバイス応用」
    2007年03月12日
  • p型GaNゲートを用いた高出力低損失normally-off型AlGaN/GaN HFETs
    共著
    藤井隆弘,露口士夫,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • p型GaNゲートを用いた低オン抵抗ノーマリーオフ型 AlGaN/GaN Junction HFETs
    共著
    根賀亮平,藤井隆弘,中村彰吾,露口士夫,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • 6H-SiC基板上AlN, AlxGa1-xNの高温MOVPE法成長のTEM観察
    共著
    杉村弘樹,クリシュナンバラクリシュナン,永井哲也,井村将隆,坂東 章,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • 高温MOVPEによる様々な面方位のAlNおよびAlGaNの成長
    共著
    岡田成仁,加藤尚文,佐藤周夜,住井隆文,藤元直樹,井村将隆,クリシュナンバラクリッシュナン,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,丸山久明,野呂匡志,高木 俊,坂東 章
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • III族窒化物半導体LED用高反射率電極の検討
    共著
    鈴木敦志,浅井利浩,落合 渉,熊谷光恭,古閑隆一,大野 聡,新田州吾,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • GaInN系近紫外LEDの大型化におけるp電極幅の検討
    共著
    落合 渉,大野 聡,鈴木敦志,熊谷光恭,古閑隆一,浅井利浩,新田州吾,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,岩谷素顕
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • 無極性a面、m面GaNのV/III比変化による横方向成長レート依存性
    共著
    川島毅士,千田亮太,飯田大輔,三浦 彩,永井哲也,岡留由真,土屋陽祐,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • 低欠陥化m面GaN上の紫色LEDの作製
    共著
    川島毅士,千田亮太,早川武雅,林 雅子,笠松由直,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,三浦 彩,永井哲也,岡留由真,土屋陽祐
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III)
    共著
    飯田一喜,渡邉浩嵩,竹田健一郎,住井隆文,永井哲也,永松謙太郎,岡田成仁,クリシュナンバラクリシュナン,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,坂東 章
    第54回応用物理学関係連合講演会
    2007年03月
  • p型GaNゲートを用いたnormally-off型AlGaN/GaN HFETsの構造最適化
    共著
    水野克俊,藤井隆弘,中村省吾,根賀亮平,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • c面、a面、m面GaN上厚膜GaInNの成長
    共著
    三浦 彩,千田亮太,飯田大輔,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • 無極性面GaN溝基板上に成長させた厚膜GaInN
    共著
    千田亮太,三浦 彩,川島毅士,飯田大輔,永井哲也,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • 無極性a面GaN上LEDにおけるn電極の低接触比抵抗化の検討
    共著
    林 雅子,早川武雅,飯田大輔,笠松由直,三浦 彩,川島毅士,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC におけるDAP発光の温度特性評価
    共著
    村田諭是,柴田陽子,生田美奈,杉浦正明,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • 窒素およびホウ素をドープした6H-SiC のアニール効果
    共著
    柴田陽子,村田諭是,生田美奈,杉浦正明,林 啓二,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,新田州吾,木下博之
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • 紫外発光素子への期待とIII族窒化物半導体を用いた紫外発光素子の高性能化
    共著
    天野 浩,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    第68回応用物理学会学術講演会
    2007年09月
  • p型GaNゲートノーマリーオフAlGaN/GaN JHFETのSiNxによる閾値電圧制御
    共著
    杉山貴之、根賀亮平、水野克俊、藤井隆弘、中村彰吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • m 面GaN 溝基板上に成長させた厚膜GaInNの構造評価
    共著
    千田亮太, 永井 哲也, 平岩徹行, 三浦彩, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤﨑勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • 溝加工(10-1-1)GaN /(10-1-2)4H-SiC 基板上のGaInN 厚膜成長
    共著
    松原哲也、平岩徹、千田亮太、三浦彩、飯田大輔、川島毅士、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • 大型青色LED における熱抵抗の光出力への影響に関する検討
    共著
    落合 渉、河合良介、鈴木敦志、熊谷光恭、古閑隆一、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤﨑 勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • 高温MOVPEを用いたAlN周期溝上AlGaN中の転位密度のAlNモル分率依存性
    共著
    浅井俊晶、住井隆文、加藤尚文、森俊晶、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/サファイア基板上の高効率UV LED
    共著
    都築宏俊、森史明、市川友紀、竹田健一郎、渡邊浩崇、飯田一喜、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、坂東章
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • AlGaN 中のMg の活性化エネルギー
    共著
    永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第55回応用物理学関係連合講演会
    2008年03月
  • 周期溝下地結晶を用いたAl0.5Ga0.5Nの低転位化
    共著
    竹田健一郎、森 史明、小木曽裕二、森 俊晶、浅井俊晶、永松謙太郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • 非極性a面GaInNのMgドーピング
    共著
    飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • (10-1-2)4H-SiC上GaN(10-1-1)上に作製したLED 特性
    共著
    松原哲也,河合良介,千田亮太,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • GaN基板上LEDおよび剥離膜上LEDの電流分布の解析
    共著
    早川武雅,千田亮太,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • APC合金を用いた青色LEDへの高反射率電極の検討
    共著
    河合良介、森 俊晶、落合 渉、鈴木敦志、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤崎 勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • ELOを用いた高温MOVPE成長AlN/Sapphire基板上のUV-LD特性評価
    共著
    都築宏俊、森 史明、竹田健一郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅 博文
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • NおよびAlをドープした6H-SiCの光学特性評価
    共著
    三好晃平、上山 智、天野 浩、岩谷素顕、赤崎 勇
    第69回応用物理学会学術講演会
    2008年09月
  • Feドープ半絶縁性GaN自立基板を用いたAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
    共著
    押村吉徳,竹田健一郎,杉山貴之,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • 陽極酸化法を用いたポーラスSiC の作製と光学評価
    共著
    西村拓哉,三好晃平,金子由基雄,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤崎 勇
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • MOVPE法による新しいマスク材料を用いたAlNの選択成長
    共著
    小木曽裕二,竹田健一郎,森 史明,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,坂東 章
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II)
    共著
    永松謙太郎,浅井俊晶,竹田健一郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • 活性化アニールによるp型Al0.17Ga0.83Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価
    共著
    永田賢吾,竹田健一郎,永松謙太郎,都築宏俊,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • 電子線投影露光法を用いて作製したMoth-eye構造のSiC基板上青色LEDへの応用
    共著
    河合良介,瀬古知世,馬渕 翔,寺前文晴,鈴木敦志,金子由基夫,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤崎 勇
    第56回応用物理学関係連合講演会
    2009年03月
  • 持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割
    共著
    天野 浩、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    2009年05月
  • Feドープ半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTのデバイス特性と不純物解析
    共著
    押村 吉徳,竹田 健一郎, 杉山 貴之, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇
    日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    2009年05月
  • p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性
    共著
    杉山貴之、飯田大輔、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    電子情報通信学会 電子デバイス(ED)研究会
    2009年07月
  • p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN JHFETの温度依存性
    共著
    杉山貴之,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • サファイア基板上Moth-eye構造の作製技術とLEDへの応用
    共著
    近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,手嶋一城,前田 悟,上山 智,金子由基夫,岩谷素顕,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • Moth-eye加工サファイア基板上へのGaN結晶成長に関する研究
    共著
    石原章弘,葉山 桂,北野 司,鈴木敦志,近藤俊行,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 電子ビーム転写露光法によって形成したナノ構造上へのIII族窒化物半導体の結晶成長
    共著
    葉山 桂,北野 司,鈴木敦志,近藤俊行,石原章弘,野中健太郎,上山 智,岩谷素顕,天野 浩,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 加圧MOVPEによる高速バルブスイッチング技術を用いたAlGaNの高品質化
    共著
    永松謙太郎,竹田健一郎,飯田大輔,永田賢昌,浅井俊晶,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • AlGaNの原子層エピタキシャル成長
    共著
    永松謙太郎,竹田健一郎,飯田大輔,永田賢昌,浅井俊晶,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 高圧MOVPE法を用いたGaInN成長
    共著
    永田賢昌,飯田大輔,永松謙太郎,松原哲也,竹田健一郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • Mg-doped AlN下地層によるAlGaNの低転位化の機構
    共著
    浅井俊晶,野中健太朗,伴 和仁,永田賢昌,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • Mg-doped AlN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察
    共著
    野中健太朗,浅井俊晶,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • MOVPE法によるGaInN活性層を用いた p-i-n発光太陽電池の層構造検討
    共著
    藤山泰治,桑原洋介,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 窒化物半導体を用いた発光太陽電池の作製と評価
    共著
    桑原洋介,藤山泰治,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • c面および非極性a面p-GaNのMg濃度最適化
    共著
    田村健太,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 高反射電極を用いたSiC 基板上青色LED のmoth-eye 構造の最適化
    共著
    河合良介,近藤俊行,鈴木敦志,寺前文晴,北野 司,田村健太,岩谷素顕,天野 浩,上山 智,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 酸素雰囲気中でのp 型AlGaN の活性化による高出力AlGaN/GaN 紫外LED
    共著
    永田賢吾,竹田健一郎,市川友紀,永松謙太郎,岩谷素顕,上山 智,天野 浩,赤﨑 勇
    第70回応用物理学会学術講演会
    2009年09月
  • 高品質厚膜GaInN結晶の作製とそのデバイス応用
    単著
    岩谷素顕
    第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    2009年11月
  • 加圧MOVPE法によるGaInNにおけるInN組成の圧力依存性
    共著
    永田賢昌,飯田大輔,永松謙太郎,松原哲也,竹田健一郎,岩谷素顕,上山智,天野浩,赤﨑勇
    第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    2009年11月
  • GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析
    共著
    永田賢昌、飯田大輔、永松謙太郎、松原哲也、竹田健一郎、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    2009年11月
  • UVレーザダイオードの動作電圧の低減
    共著
    市川友紀、竹田健一郎、小木曽裕二、永田賢吾、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅 博文
    電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    2009年11月
  • 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化
    共著
    電子情報通信学会 電子デバイス研究会(ED)・電子部品・材料研究会(CPM)・レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)合同研究会
    2009年11月
  • 昇華法による柱状AlN上への層状AlNの成長
    共著
    山川 雅康、村田 一喜、永田 賢昌、天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤﨑 勇、東 正信
    第57回応用物理学関係連合講演会
    2010年03月
  • Moth-eye構造のITO電極への応用
    共著
    櫻井 悠、近藤俊行、寺前文晴、 鈴木敦志、北野 司、河合良介。岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤﨑 勇
    第57回応用物理学関係連合講演会
    2010年03月
  • 窒化物半導体を用いた太陽電池の評価
    共著
    桑原 洋介、藤山 泰治、森田義己、藤井崇裕、杉山 徹、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    第57回応用物理学関係連合講演会
    2010年03月
  • 非極性・半極性窒化物半導体の結晶成長技術
    共著
    岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤﨑 勇
    第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    2010年05月
  • MgドープAlN下地層を用いた高品質厚膜AlGaNの微細構造観察
    共著
    野中健太朗、浅井俊晶、伴和仁、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、Zhihao Wu
    第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    2010年05月
  • UVレーザダイオードの閾値電流密度の低減
    共著
    永田賢吾、 野中健太朗、 市川友紀、 竹田健一郎、 岩谷素顕、 上山智、 天野浩、 赤﨑勇、吉田治正、桑原正和、山下陽滋、菅博文
    第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    2010年05月
  • GaN基板を用いた窒化物太陽電池の特性評価
    共著
    桑原洋介、藤山泰治、森田義己、藤井崇裕、杉山徹、岩谷素顕、上山 智、天野 浩、赤崎勇
    第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    2010年05月
  • Naフラックス法により作製したm面GaN基板上へのm面GaNのMOVPE成長の基板オフ角依存性
    共著
    磯部康裕、飯田大輔、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、今出完、北岡康夫、森勇介
    第2回窒化物半導体結晶成長講演会
    2010年05月
  • GaInNチャネルヘテロ接合電界効果トランジスタの検討
    共著
    一木宏充,磯部康裕,飯田大輔,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩,坂東 章,宇田川隆
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • GaN基板上AlGaN/GaN HFETのドレインリーク電流の低減
    共著
    押村吉徳,杉山貴之,竹田健一郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • GaInN/GaInN超格子構造を用いた窒化物半導体太陽電池の高性能化
    共著
    藤井崇裕,桑原洋介,飯田大輔,杉山 徹,磯部康裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • 酸化ジルコニウムを用いたサファイア基板上LEDの作製
    共著
    田村健太,飯田大輔,山口修司,近藤俊行,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • 電極および基板界面にMoth-eye構造を形成した高効率LEDの作製
    共著
    櫻井 悠,近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,森みどり,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • GaN基板上に作製したGaInN/GaInN超格子構造の微細構造
    共著
    杉山 徹,磯部康裕,桑原洋介,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • Naフラックス法により作製した非極性面LPE-GaN基板上へのMOVPE法によるGaNの初期成長
    共著
    磯部康裕,飯田大輔,榊原辰幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩,今出 完,北岡康夫,森 勇介
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • 紫外発光素子用透明電極の検討
    共著
    深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,稲津哲彦,長澤陽祐,平野 光,一本松正道,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • ELO AlGaN下地層上に作製した紫外レーザダイオードの特性評価
    共著
    竹田健一郎,永田賢吾,竹原孝祐,青島宏樹,伊藤 駿,押村吉徳,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,天野 浩,赤崎 勇,吉田治正,桑原正和,山下陽滋,菅 博文
    第71回応用物理学会学術講演会
    2010年09月
  • 昇華法による単結晶AlN の高速成長
    共著
    山川 雅康,村田 一喜,岩谷 素顕,上山 智,竹内 哲也,赤﨑 勇,天野 浩,東 正信
    窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    2010年11月
  • Mg ドープAlN 下地層を用いた低転位AlGaN の転位挙動
    共著
    野中 健太朗,浅井 俊晶,伴 和仁,山本 準一,岩谷 素顕,竹内 哲也, 上山 智,赤﨑 勇, 天野 浩,Z. H. Wu
    窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    2010年11月
  • GaInN/GaInN 超格子構造を用いた窒化物太陽電池の特性評価
    共著
    桑原 洋介,藤井 崇裕,杉山 徹,飯田 大輔,磯部 康裕,岩谷 素顕,竹内 哲也,上山 智,赤﨑 勇,天野 浩
    窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
    2010年11月
  • 高組成AlGaN量子井戸構造の光学的特性
    共著
    伴 和仁、竹田 健一郎、 山本 準一、 岩谷 素顕、 竹内 哲也、 上山 智、 赤﨑 勇、 天野 浩
    応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    2010年12月17日
  • Na-Flux法で作製したa面LPE-GaN基板上HFETのデバイス特性
    共著
    安江 友樹、磯部 康裕、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇、杉山 貴之、天野 浩、今出 完、北岡 康夫、森 勇介
    応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    2010年12月17日
  • 窒化物半導体太陽電池の電極構造検討
    共著
    森田 義己、 桑原 洋介、藤井 崇裕、山本 翔太、岩谷 素顕、 竹内 哲也、 上山 智、 赤﨑 勇、 天野 浩
    応用物理学会結晶工学分科会主催2010年・年末講演会
    2010年12月17日
  • 高InNモル分率GaInN-channel AlGaN/GaInN/GaN HFETの特性
    共著
    一木宏充、磯部康裕、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • GaInNチャネルHFETのバリア層の検討
    共著
    池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 非極性面GaN基板を用いたAlGaN/GaN HFET
    共著
    磯部康裕、一木宏充、榊原辰幸、安江友樹、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩、今出 完、北岡康夫、森 勇介
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTエピ
    共著
    橋本 信、秋田勝史、山本喜之、矢船憲成、作野圭一、徳田博邦、葛原正明、竹田健一郎、岩谷素顕、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 紫外発光素子用反射電極の検討
    共著
    竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • AlGaN UV-LEDの光取り出し効率の改善
    共著
    稲津哲彦、深堀真也、シリル ペルノ、金 明姫、藤田武彦、長澤陽祐、平野 光、一本松正道、岩谷素顕、天野 浩、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • レーザリフトオフ法による薄膜紫外LED
    共著
    青島宏樹、竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、伊藤 駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 窒化物系LEDの内部量子効率の発光波長依存性に関する検討
    共著
    山口修司、飯田大輔、北野 司、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 近紫外LEDのデバイス構造の最適化
    共著
    北野 司、鈴木敦志、小池正好、山口修司、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 窒化物半導体トンネル接合のシミュレーションと成長
    共著
    加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 窒化物半導体トンネル接合を用いたLEDの作製と評価
    共著
    山下浩司、加賀 充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 350nm帯紫外LED及びLD構造の注入効率向上
    共著
    竹田健一郎、永田賢吾、竹原孝祐、青島宏樹、野中健太朗、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • AlGaN量子井戸構造の光学的特性
    共著
    山本準一、伴 和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池
    共著
    中尾達郎、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 窒化物半導体を用いた太陽電池の特性評価
    共著
    藤井崇裕、桑原洋介、飯田大輔、杉山 徹、磯部康裕、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 窒化物太陽電池の電極構造検討
    共著
    山本翔太、森田義己、桑原洋介、藤井崇裕、杉山 徹、中尾達郎、岩谷素顕、天野 浩、上山 智、赤崎 勇、竹内哲也
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
    共著
    伊藤 駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • 加圧MOVPE法を用いたAlInNの結晶成長
    共著
    三嶋 晃、牧野貴文、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、坂倉誠也、谷川智之、天野 浩
    第58回 応用物理学関係連合講演会
    2011年03月
  • B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
    共著
    伊藤 駿、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、竹原孝祐、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長
    共著
    田中大樹、飯田大輔、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製
    共著
    矢木康太、加賀 充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • Ⅲ族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討
    共著
    山下浩司、加賀 充、矢木康太、鈴木敦志、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • 窒化物半導体トンネル接合の作製
    共著
    加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善
    共著
    竹原孝祐、竹田健一郎、永田賢吾、青島宏樹、伊藤 駿、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • AlGaN量子井戸構造の内部量子効率
    共著
    山本準一、伴 和仁、竹田健一郎、井手公康、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製
    共著
    中尾達郎、桑原洋介、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET~
    共著
    杉山貴之、本田善央、山口雅史、天野 浩、磯部康裕、押村吉徳、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智・赤﨑 勇、今出 完、北岡康夫、森 勇介
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
    共著
    池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    電子情報通信学会 CPM/ED/SDM 合同研究会
    2011年05月
  • 非極性面GaN 上に作製した窒化物太陽電池
    共著
    中尾達郎、桑原洋介、藤山泰治、藤井崇裕、杉山 徹、山本翔太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • 窒化物太陽電池の電極構造検討
    共著
    山本翔太、森田義己、桑原洋介、藤井崇裕、杉山 徹、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • AlInN 系GaInN チャネルHFET の検討
    共著
    池田和弥、磯部康裕、一木宏充、堀尾尚史、榊原辰幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • 加圧MOVPE 法を用いたAlInN の結晶成長
    共著
    三嶋 晃、牧野貴文、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、 赤﨑 勇、坂倉誠也、谷川智之、本田善央、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • X 線その場観察を用いたMOVPE 法による窒化物半導体の結晶成長
    共著
    田中大樹、飯田大輔、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • 窒化物半導体トンネル接合の検討
    共著
    加賀 充、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • クラックフリーAlN/GaN 多層膜反射鏡の作製
    共著
    矢木康太、加賀 充、山下浩司、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、天野 浩
    第3回 窒化物半導体結晶成長講演会
    2011年06月
  • 紫外領域LEDの現状とその可能性
    単著
    岩谷素顕
    第25回日本レーザー医学会東海地方会(特別講演)
    2011年07月24日
  • GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
    共著
    池田和弥,磯部康裕,一木宏充,堀尾尚史,榊原辰幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 非極性a 面及びc 面GaN 基板上AlGaN/GaN HFETsにおける電流コラプス評価
    共著
    杉山貴之,本田善央,山口雅史,天野 浩,磯部康裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,今出 完,北岡康夫,森 勇介
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化
    共著
    矢木康太,加賀 充,山下浩司,竹田健一郎,谷川智之,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • AlNテンプレートとELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    共著
    井手公康,山本準一,野中健太朗,榊原辰幸,杉山 徹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング
    共著
    加賀 充,山下浩司,矢木康太,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • X線その場観察を用いたMOVPE法による窒化物半導体の結晶成長
    共著
    田中大樹,飯田大輔,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • MOVPE選択成長法による窒化物ナノコラム結晶成長
    共著
    加藤嵩裕,大田一成,北野 司,近藤俊行,飯田大輔,井手公康,上山 智,岩谷素顕,竹内哲也,赤崎 勇
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 窒化物太陽電池の電極構造検討
    共著
    山本翔太,森田義己,桑原洋介,藤井崇裕,杉山 徹,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 窒化物半導体太陽電池の集光特性
    共著
    森美貴子,山本翔太,桑原洋介,藤井崇裕,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池II
    共著
    中尾達郎,桑原洋介,藤山泰治,藤井崇裕,山本翔太,飯田大輔,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,天野 浩,赤崎 勇
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • サファイア基板上モスアイ構造による青色LEDの光取り出し効率向上
    共著
    近藤俊行,山口修司,前田 悟,難波江宏一,竹内哲也,岩谷素顕,北野 司,上山 智,赤崎 勇
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 紫外発光素子用高反射電極の構造検討
    共著
    竹原孝祐,竹田健一郎,青島宏樹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • 殺菌制菌用の高効率長寿命DUV-LEDの要素技術開発
    共著
    古沢優太,稲津哲彦,深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,長澤陽祐,平野 光,本田善央,岩谷素顕,一本松正道,山口雅史,天野 浩,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第72回応用物理学会学術講演会
    2011年08月
  • GaN系デバイス用基板としてのサファイアに対する期待
    単著
    岩谷素顕
    第41回結晶成長国内会議
    2011年11月04日
  • その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体のMOVPE成長
    共著
    飯田 大輔、岩谷 素顕、竹内 哲也 、上山 智 、赤﨑 勇
    第41回結晶成長国内会議
    2011年11月04日
  • 窒化物半導体太陽電池の集光特性
    共著
    森 美貴子、山本翔太、桑原洋介、藤井崇裕、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    電子情報通信学会 ED、CPM、LQE合同研究会
    2011年11月
  • ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    共著
    井手公康、山本準一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑勇、天野 浩
    電子情報通信学会 ED、CPM、LQE合同研究会
    2011年11月
  • GaInN系ヘテロ接合電界効果トランジスターに関する研究
    共著
    池田和弥,磯部康裕,一木宏充,石黒真未,水野正隆,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤﨑 勇,天野 浩
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入
    共著
    加賀 充,山下浩司,森田隆敏,桑野侑香,矢木康太,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討
    共著
    桑野侑香,山下浩司,加賀 充,矢木康太,森田隆敏,松井健城,竹内哲也,岩谷素顕,上山 智,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • ITO透明電極による窒化物半導体太陽電池の高性能化
    共著
    山本翔太,藤井崇裕1,森美貴子1,近藤真一郎1,中尾達郎1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山 智1,赤崎 勇1,3,天野 浩
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 集光下での窒化物半導体太陽電池の特性評価
    共著
    森美貴子,山本翔太,桑原洋介,藤井嵩裕,杉山 徹,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • DBR応用のためのAlN/GaN多層膜積層構造の検討
    共著
    矢木康太,加賀 充,山下浩司,竹田健一郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
    共著
    井手公康,山本準一,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討
    共著
    梅田慎也,北野 司,近藤俊行,大田一成,加藤嵩裕,松原大幸,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • その場観察X線回折測定技術によるサファイア基板上GaNの結晶成長制御
    共著
    田中大樹,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • AlGaInN量子井戸の発光特性に関する検討
    共著
    鈴木智行,加賀 充,北野 司,難波江宏一,平野敬祐,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • GaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察
    共著
    松原大幸,飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚の組成依存性
    共著
    近藤保成,飯田大輔,杉山 徹,曽和美保子,松原大幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 殺菌用260nm DUV-LEDのC-V測定
    共著
    古沢優太,稲津哲彦,深堀真也,シリル ペルノ,金 明姫,藤田武彦,長澤陽祐,一本松正道,岩谷素顕,山口雅史,平野 光,竹内哲也,上山 智,本田善央,天野 浩,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • IZO(インジウム-亜鉛酸化物)を用いた窒化物半導体LED
    共著
    水谷脩吾,中島聡志,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,松原雅人,近藤俊行,寺前文晴,鈴木敦志,北野 司,森みどり
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御
    共著
    松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • MOVPE成長中におけるX線その場観察測定を用いたGaInNの緩和過程の観察
    共著
    飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,松原大幸,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第59回応用物理学会講演会
    2012年03月
  • 窒化物半導体太陽電池の現状とその将来展望
    共著
    岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会シンポジウム「高効率ナノエピタキシャル太陽電池の最先端」
    2012年04月
  • 膜厚変化に伴うGaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察
    共著
    松原大幸、飯田大輔、 杉山 徹、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討
    共著
    桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • 埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討
    共著
    梅田慎也、加藤嵩裕、北野司、近藤俊行、松原大幸、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • GaInN量子井戸へのAl添加によるAlGaInN量子井戸の作製と評価
    共著
    鈴木智行、 加賀充、北野司、難波江宏一、平野敬祐、竹内哲也、上山智、岩谷素、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚
    共著
    近藤保成、飯田大輔、杉山徹、曽和美保子、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • 中間層を用いた窒化物半導体二波長発光ダイオードにおけるキャリア注入の検討
    共著
    松井健城、山下浩司、加賀充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • Ⅲ族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合
    共著
    森田隆敏、加賀充、桑野侑香、山下浩司、松井健城、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • p型GaInNを用いた高感度なFET型光センサーに関する研究
    共著
    石黒真未、池田和弥、水野正隆、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • 非極性面上Ⅲ族窒化物半導体電界効果トランジスタに関する研究
    共著
    水野正隆、池田和弥、石黒真未、松原大幸、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、天野浩、赤﨑勇
    第4回 窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012)
    2012年04月
  • 基板・半導体層のナノ加工と半導体デバイスへの応用
    単著
    岩谷素顕
    日本機械学会 情報・知能・精密機器部門 分科会 第1回 「窒化物半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究会」発会記念 特別講演会
    2012年05月30日
  • 窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開
    共著
    天野浩、本田善央、山口雅史、今出完、森勇介、岩谷素顕
    応用物理学会 第137回結晶工学分科会研究会「窒化物半導体光デバイスの最前線-基板・エピ成長と評価技術-」
    2012年06月15日
  • 非極性AlGaN/GaN HFETのAlGaNバリアのAlNモル分率およびSi濃度依存性
    共著
    水野正隆,磯部康裕,池田和弥,石黒真未,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討
    共著
    安田俊輝,矢木康太,鈴木智行,中嶋 翼,渡邉雅大,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • GaInN/GaNヘテロ接合におけるミスフィット転位の観察
    共著
    松原大幸,飯田大輔,杉山 徹,近藤保成,曽和美保子,梅田慎也,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • AlGaN/AlNにおける下地AlN転位密度依存性
    共著
    井手公康,松原由布子,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • ITOとSiO2/AlN誘電体多層膜を組み合わせた電極による350nm紫外LEDの高効率化
    共著
    中嶋 翼,竹田健一郎,新里紘史,岩谷素顕,上山 智,竹内哲也,赤崎 勇,天野 浩
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • 窒化物半導体を用いた高感度なHFET型光センサー
    共著
    石黒真未,池田和弥,水野正隆,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • 窒化物半導体太陽電池の集光特性における電極構造の最適化
    共著
    森美貴子,山本翔太,近藤真一郎,中尾達郎,岩谷素顕,竹内哲也,上山 智,赤崎 勇,天野 浩
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検討
    共著
    松井健城,山下浩司,加賀 充,森田隆敏,鈴木智行,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED
    共著
    森田隆敏,加賀 充,桑野侑香,松井健城,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • 100チャンネル10μm径マイクロLEDアレイの作製
    共著
    渡邉雅大,山下浩司,加賀 充,鈴木智行,森田隆敏,竹内哲也,上山 智,岩谷素顕,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • ELとPLを組み合わせたLED効率成分の導出方法の検討
    共著
    青山和樹,鈴木敦志,北野 司,上山 智,竹内哲也,岩谷素顕,赤崎 勇
    第73回応用物理学会講演会
    2012年09月
  • 窒化物半導体太陽電池の高効率化
    共著
    岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、天野浩
    第42回結晶成長国内会議
    2012年11月
  • ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
    共著
    森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑勇
    電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    2012年11月
  • サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用
    共著
    土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、近藤俊行、北野 司、森 みどり、鈴木敦志、難波江宏一、関根 均、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
    電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    2012年11月
  • n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化
    共著
    桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑勇
    電子情報通信学会ED、CPM、LQE合同研究会
    2012年11月
  • GaInN トンネル接合素子の低抵抗化
    共著
    森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • GaN 低温成長におけるSb 添加の効果
    共著
    鈴木智行、笹島浩希、松原由布子、加賀 充、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • LED 構造上GaN トンネル接合の低抵抗化
    共著
    南川大智、加賀 充、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 非対称 AlN/GaN 多層膜反射鏡の設計と作製
    共著
    萩原康大、矢木康太、安田俊輝、竹田健一郎、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • ナノELO によるm 面GaInN 厚膜の検討
    共著
    小﨑桂矢、近藤真一郎、土屋貴義、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • MOVPE 法によるAlInN 高速成長の影響
    共著
    小塚祐吾、鈴木智行、森田隆敏、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • MOVPE により作製したGaInN/GaN 超格子構造のその場観察X 線回折法による評価
    共著
    山本泰司、飯田大輔、近藤保成、曽和美保子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤崎 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 表面プラズモンカップリングを利用したGaInN/GaN 量子井戸の評価
    共著
    飯田大輔、Yuntian Chen、Yiyu Ou、Ahmed Fadil、Oleksii Kopylov、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智、赤﨑 勇、Haiyan Ou
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 窒化物半導体HFET 型光センサー構造の最適化
    共著
    石黒真未、池田和弥、水野正隆、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤崎 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • GaInN 超格子構造最適化による窒化物半導体太陽電池の高性能化
    共著
    黒川泰視、近藤真一郎、山本翔太、森美貴子、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智。赤﨑 勇、天野 浩
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 350nm 紫外LED の光取り出し効率の向上
    共著
    中嶋 翼、竹田健一郎、新里紘史、岩谷素顕、上山 智、竹内哲也、赤﨑 勇、天野 浩
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • モスアイ加工サファイア基板によるLED の光取り出し効率の改善
    共著
    土屋貴義、梅田慎也、曽和美保子、河合俊介、近藤俊行、北野 司、森みどり、鈴木敦志、赤﨑 勇、関根 均、難波江宏一、岩谷素顕、竹内哲也、上山 智
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 電子ブロック層上活性層による電子オーバーフローの直接観測
    共著
    林 健人、松井健城、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 横方向p 型活性化における雰囲気ガス依存性
    共著
    桑野侑香、加賀 充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月
  • 窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性
    共著
    松井健城、山下浩司、加賀 充、森田隆敏、鈴木智行、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
    第60 回応用物理学会春季学術講演会
    2013年03月

その他の研究業績

  • Structural properties of nitrides grown by OMVPE on sapphire substrate
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel, I. Akasaki
    Materials Research Society Symposium Proceedings
    482, 479, 488
    1998年04月
  • Defect and stress control in group III nitrides using low temperature interlayers
    共著
    H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, H. Katoh, T. Takeuchi, T. Detchprohm, S. Yamaguchi, C. Wetzel, I. Akasaki
    Proceedings of The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    7, 337, 342
    1999年03月
  • Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
    共著
    S. Nitta, S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of The Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    7, 331, 335
    1999年03月
  • High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detechprom, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, C. Pernot
    Materials Research Society Symposium Proceedings
    595, W1.10
    2000年03月
  • High efficiency GaN/AlxGa1-xN multi quantum well light emitter on low-dislocation density AlxGa1-xN
    共著
    M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    833, 836
    2000年09月
  • Solar-blind AlGaN pin hetero junction photodiode
    共著
    A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    911, 914
    2000年09月
  • Effect of impurity doping on the mechanical properties of AlxGa1-xN ternary Alloy
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    640, 643
    2000年09月
  • Dynamical process of mass transport in GaN
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, S. Mochizuki, R. Nakamura, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    328, 330
    2000年09月
  • Optical property of an AlGaN/GaN hetero-bipolar-Phototransistor
    共著
    R. Mouillet, C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
    973, 976
    2000年09月
  • Transverse mode control in GaN based laser diode
    共著
    H. Amano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Sato, M. Iwaya, S. Nitta, S. Terao, I. Akasaki
    Proceedings of The International Society for Optical Engineering, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices IX
    4283, 67, 77
    2001年01月
  • In-situ observation of fracture during growth of AlGaN on GaN
    共著
    S. Terao, M. Iwaya, R.Nakamura,S.kamiyama,H.Amano,I,Akasaki
    Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    12, 109, 112
    2001年03月
  • Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high efficiency UV-LED
    共著
    M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    12, 77, 80
    2001年03月
  • Mass transport in nitride
    共著
    S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    12, 113, 116
    2001年03月
  • Stress control of AlGaN/GaN heterostructure using low-temperature-deposited AlGaN interlayer
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Terao, T. Ukai, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki
    Proceedings of The Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics
    12, 85, 90
    2001年03月
  • High efficiency UV emitter using high quality GaN/AlxGa1-xN multi-quantum well active layer
    共著
    M. Iwaya, Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    639, G12.3.1, G12.3.6
    2001年03月
  • 屈折率導波型GaN系半導体レーザ構造の提案と作製
    共著
    上山智、鵜飼勉、岩谷素顕、天野浩、赤﨑勇
    名城大学総合研究所紀要
    6, 7, 13
    2001年03月
  • MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上に成長させたGaNの微細構造・光学的特性
    共著
    井村将隆、佐野智昭、新田州吾、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇、岩橋友也、森下昌紀、川村史郎、吉村政志、森勇介、佐々木孝友
    電子情報通信学会技術報告
    103, 341, 35, 39
    2003年10月
  • AlGaN系紫外発光ダイオード
    共著
    岩谷素顕、上山智、天野浩、赤﨑勇
    「本委員会第181委員会」研究会資料
    日本学術振興会125委員会
    1, 4
    2003年10月
  • Oxgen related shallow acceptor in GaN
    共著
    B. Monemar, P. P. Paskov, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Kimura
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E5.10
    2005年03月
  • Moth-eye Light Emitting Diodes
    共著
    H. Kasugai, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, H. Shiomi
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E1.9.1
    2005年03月
  • Impact of H2-preannealing of Sapphire Substrate on Crystallization of Low-Temperature Deposited AlN Buffer Layer
    共著
    M. Tsuda, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E8.30.1
    2005年03月
  • Nitride-based light emitting diodes grown on particular substrate: ZrB2, (30-38) 4H-SiC and r-face sapphire
    共著
    S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E10.6.1
    2005年03月
  • Sublimation growth of AlN bulk crystals by sedded and spontaneous nucleation methods
    共著
    K. Balakrishnan, M. Banno, K. Nakano, G. Narita, N. Tsuchiya, M. Imura, M. Iwaya, S. Kamiyama, K. Shimono, T. Noro, T. Takagi, H. Amano, I. Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E11.3.1
    2005年03月
  • Group III nitrides grown on 4H-SiC (30-38) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    共著
    A. Honshio, T. Kitano, M. Imura, Y. Miyake, H. Kasugai, K. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    Material Research Society Symposium Proceedings
    831, E11.31.1
    2005年03月
  • Normally off-mode AlGaN GaN heterostructure field effect transistor using p-type gate contact
    共著
    N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi
    Material Research Society Symposium Proceedings
    892, 0892-FF-15-03.1
    2006年03月
  • Characterization of a-plane AlGaN/GaN heterostructure grown on r-plane sapphire substrate
    共著
    M. Iwaya, Y. Okadome, Y. Tsuchiya, D. Iida, A. Miura, H. Furukawa, A. Honshio, Y. Miyake, S. Kamiyama, H. Amano, I.Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    892, 0892-FF07-08-EE-08-08.1
    2006年03月
  • Highly doped p-type a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate
    共著
    Y. Tsuchiya, Y. Okadome, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    Material Research Society Symposium Proceedings
    892, 0892-FF17-06.1
    2006年03月


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