教員情報

成塚 重弥
ナリツカ シゲヤ
理工学部 材料機能工学科
教授
Last Updated :2019/02/21

基本情報

プロフィール

    男性

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻, 教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻, 教授

学歴

  • 1996年03月, 東京大学大学院, 工学系研究科, 電子工学専攻博士課程, 修了
  • 1996年03月,  

現在所属している学会

  • 応用物理学会
  • 日本物理学会
  • 日本結晶成長学会
  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

研究活動

研究分野

  • 応用物性・結晶工学, 結晶成長工学
  • 電子デバイス・電子機器, 電子デバイス工学

教育研究への取り組み・抱負

    授業は知識の習得ばかりでなく、学生が考える力を習得できるよう心がけている。研究活動は、結晶成長をキーワードに、未来を切り拓く【光電子集積回路(OEIC)の要素技術】の開発、マイクロチャンネルエピタキシーを用いたGaNの無転位化、グラフェンの配線材料への応用などをおこなっている。未知へ挑戦する研究活動を通し、学生が研究力を身につけることを目指す。企業の中央研究所、国の大型プロジェクトの経験を学生の教育に反映したい。

著書

  • Growth of Crystals for Modern Technology
    I.Sunagawa,M.Hosaka,Young Kuk-Lee,H.Komatsu,T.Nishinaga, S.Naritsuka, S.Ohishi, R.C.Fang et al.
    William Andrew/ Springer社
    2003年02月
    共著
    pp.55-92
  • 表面科学の基礎と応用
    成塚重弥 他
    (株)エヌ・ティー・エス
    2004年06月22日
    共著
  • 固体電子物性
    オーム社
    2009年10月01日
    共著
    pp.18-41
  • アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-18「結晶成長の基礎」
    成塚 重弥
    培風館
    1997年
    共著
  • 結晶成長学辞典
    成塚 重弥
    共立出版
    2001年
    共著
  • 薄膜ハンドブック(第2版)
    日本学術振興会 薄膜第131委員会編
    2008年
    共著
  • Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC”, (Research Progress in Materials Science
    Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
    NOVA Science Publishers
    2009年
    共著
    pp.131-148
  • Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC
    Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    In Tech 社
    2011年07月
    共著
    pp.29-46

学術論文

  • Selective growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using aluminium oxide mask
    共著
    Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Junpei Yamada, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    Jpn. J. Appl. Phys.
    53, 11s, 11RC06-1, 11RC06-4.
    2014年
  • Selective growth of (001) GaAs using a patterned graphene mask
    共著
    Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth, (in Press)
    401, 9, 563, 566
    2014年
  • Behavior of defects in a-plane GaN films grown by low-angle-incidence microchannel epitaxy (LAIMCE)
    共著
    Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki, and Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth, (in Press)
    2014年
  • Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by the Alcohol Gas Source Method under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence
    共著
    Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, and Shigyea Naritsuka
    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.
    38, 4, 585
    2013年
  • Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalysts by Alcohol Gas Source Method
    共著
    Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
    2012 MRS Fall Meeting Proceedings, Manuscript ID MRSF13-1659-SS04-02.R1
    2013年
  • Formation of Carbon Nanotube/n-type 5H-SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC and Its Electric Properties
    共著
    Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi, and Takahiro Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    52, 06GD01
    2013年
  • Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
    Jpn. J. Appl. Phys.
    52, 06GD02
    2013年
  • Study on Surface Modifikation of GaN by Atmospheric Microplasma
    共著
    K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka
    IEEE Transactions on Industry Applications
    2013年
  • Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure
    共著
    Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    J. Res. Inst. Meijo Univ.
    12, 99
    2013年
  • Study of Thermal Crystallization of Ni Catalysis for Graphene CVD
    共著
    Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    J. Res. Inst. Meijo Univ.
    12, 43
    2013年
  • Effect of Supply Direction of Precursors on a-Plane GaN Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
    共著
    Shota Uchiyama, Chia-Hung Lin, Yohei Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    Jpn. J. Appl. Phys.
    52, 09JE04
    2013年
  • Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    J. Crystal. Growth
    378, 303, 306
    2013年
  • Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama
    physica status solidi ©
    10, 392, 395
    2013年
  • Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy of a-Plane GaN Grown by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    Applied Physics Express
    5, 045501-1, 045501-3
    2012年
  • Direct Growth of Carbon Nanotubes on ZnO(000-0) Substrate Surface using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Takayasu Iokawa, Tomoyuki Tsutsui, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 01AH04-1, 01AH04-4
    2012年
  • Near-edge X-ray absorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubes grown by the surface decomposition of SiC
    共著
    Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, Toshiaki Ohta
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 055102-1, 055102-3
    2012年
  • Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on SiO1/Si substrates at very low pressures by the alcohol gas source method using a Pt catalyst
    共著
    Yoshihiro Mizutani, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    Diamond & Relat. Mater.
    26, 78, 82
    2012年
  • Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    352, 214, 217
    2012年
  • Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method
    共著
    Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 06FD23-1, 06FD23-4
    2012年
  • Surface modification of GaN substrate by atmospheric pressure microplasma
    共著
    Kazuo Shimizu, Yuta Noma, Marius Blajan, Shigeya Naritsuka
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 08HB05-1, 08HB05-5
    2012年
  • Band alignment of a carbon nanotube/n-type 5H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy
    共著
    Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi
    Appl. Phys. Lett.
    101, 092106-1, 092106-4
    2012年
  • X-ray photoemission spectroscopy study of GaAs (110)B substrate naitridation using an RF-radical source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi and Takahiro Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 048004-1, 048004-2
    2012年
  • XPS study of Low Temperature Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    51, 015602-1, 015602-4
    2012年
  • Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method
    共著
    Takahiro Maruyama, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Sumio Iijima
    Materials Express
    1, 267, 272
    2011年
  • Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC: STM and NEXAFS study
    共著
    Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Kenta Amemiya
    Diamond & Related Materials
    20, 1325, 328
    2011年
  • XPS study of nitridation mechanism of GaAs (001) surface by RF-radical source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
    physica status solidi (c)
    8, 291, 293
    2011年
  • Effect of mask material on selective growth of GaN by RF-MBE
    共著
    Yuki Nagae, Takenori Iwatsuki, Yuya Shirai, Yuki Osawa, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    J. Cryst. Growth
    324, 88, 92
    2011年
  • Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    318, 450, 453
    2011年
  • Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    318, 446, 449
    2011年
  • SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al1Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    318, 1101, 1104
    2011年
  • Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate
    共著
    Yung-Sheng Chang, Shegeya Naritsuka, Tatau Nishinaga
    J. Cryst. Growth
    312, 629, 634
    2010年
  • Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC (000-1)
    共著
    K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, S. Naritsuka
    J. Nanotechnol. Nanosci.
    10, 4054, 4059
    2010年
  • Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
    共著
    Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    J. Nanotechnol. Nanosci.
    10, 3929, 3933
    2010年
  • Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum
    共著
    T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    J. Nanotechnol. Nanosci.
    10, 4095, 4101
    2010年
  • Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    J. Cryst. Growth
    311, 2992, 2995
    2009年
  • Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (000) GaAs substrate
    共著
    Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    J. Cryst. Growth
    311, 1778, 1782
    2009年
  • Improvement of Carbon Nanotube Films on SiC Formed by Surface Decomposition by Hydrogen Perooxide Purification
    共著
    Takahiro Maruyama, Fumiya Nakamura and Shigeya Naritsuka
    Materials Reserch Society Proceedings
    1204
    2009年
  • Enhancement of Single-walled Carbon Nanotube Formation using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method
    共著
    Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, Kuninori Sato and Shigeya Naritsuka
    Materials Reserch Society Proceedings
    1142
    2009年
  • マイクロチャネルエピタキシーによるSi基板上GaAsの結晶成長
    単著
    成塚重弥
    応用物理
    78, 422, 426
    2009年
  • Low temperature growth of carbon nanotubes on Si substrates in high vacuum
    共著
    Kenji Tanioku, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    Diamond Relat. Mater.
    17, 589, 593
    2008年
  • Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (000) GaAs substrates
    共著
    S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
    J. Cryst. Growth
    310, 1571, 1575
    2008年
  • Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth
    共著
    S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
    J. Cryst. Growth
    310, 1642, 1646
    2008年
  • Effects of Ambient Oxygen on Initial Stage of Carbon Nanotube Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-0)
    共著
    Takahiro Maruyama, Naomi Fujita, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
    1057, II05-26
    2008年
  • Low Temperature Synthesis of Carbon Nanotube on Si substrate Using Alcohol Gas Source in High Vacuum
    共著
    Takahiro Maruyama, Kenji Tanioku, Shigeya Naritsuka
    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
    1057, II14-03
    2008年
  • Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(110) by droplet epitaxy
    共著
    H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama and S. Naritsuka
    Phys. Stat. sol.(c)
    4, 2322, 2325
    2007年
  • GaAs/ c-GaN/ GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique
    共著
    Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    Phys. Stat. sol.(c)
    4, 2326, 2329
    2007年
  • STM and XPS studies of early stages of carbon nanotube growth by surface decomposition of 6H-SiC(000-0) under various oxygen pressures
    共著
    T. Maruyama, H. Bang, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka, M. Kusunoki
    Diamond & Related Materials
    16, 1078, 1081
    2007年
  • Fabrication of GaN dot structure by droplet epitaxy using NH2
    共著
    T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto, S. Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    301-302, 486, 489
    2007年
  • Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (110)B GaAs substrate
    共著
    S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, K. Saitoh, T. Suzuki, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    J. Cryst. Growth
    301-302, 42, 46
    2007年
  • In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (110) Si substrates
    共著
    S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    J. Cryst. Growth
    300, 1, 118, 122
    2007年
  • Study of lateral growth of AlGaAs microchannel epitaxy
    共著
    Atsushi Hattori, Shigeya Naritsuka, Kei Tsuge and Takahiro Maruyama
    Journal of Research Institute of Meijo University
    6, 97, 104
    2007年
  • Characterization of Small-Diameter Nanotubes and Carbon Nanocaps on SiC(000-0) Using Raman Spectroscopy
    共著
    T. Maruyama, T. Shiraiwa, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    Jpn. J. Appl. Phys.
    45, 7231, 7233
    2006年
  • Observation of Nanosized Caps Structures on 6H-SiC(0000) Substrates by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy
    共著
    H. Bang, Y. Ito, Y. Kawamura, E. Hosoda, C. Yoshida, T. Maruyama, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    Jpn. J. Appl. Phys.
    45, 372, 374
    2006年
  • STM Observation of Formation Process of Carbon Nanotube from 6H-SiC (000-0)
    共著
    T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, K. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    Materials Reserch Society Symposium Proceedings
    901, E
    2006年
  • Fabrication of nitrided mask on GaAs surface and its machinability in STM lithography
    共著
    Y. Yamamoto, S. Matsuoka, T. Kondo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    Materials Reserch Society Symposium Proceedings
    891, 157, 162
    2006年
  • Precise control of growth of DBR by MBE using in-situ reflectance monitoring system
    共著
    M. Mizutani, F. Teramae, O. Kobayashi, S. Naritsuka and T. Maruyama
    phys. stat. sol., (c)
    3, 659, 662
    2006年
  • Precise control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structural Growth Using Molecular Beam Epitaxy In Situ Reflectance Monitor
    共著
    M. Mizutani, F. Teramae, K. Takeuchi, T. Murase, S. Naritsuka and T. Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    45, 4B, 3552, 3555
    2006年
  • Scanning-tunneling-microscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-0)
    共著
    T. Maruyama, H. Bang, Y. Kawamura, N. Fujita, K. Tanioku, T. Shiraiwa, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    Chem. Phys. Lett.
    423, 317, 320
    2006年
  • Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy
    共著
    T. Kondo, K. Saito, Y. Yamamoto, T. Maruyama and S. Naritsuka
    phys. stat. sol. (c)
    3, 1700, 1703
    2006年
  • Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(110) by LPE
    共著
    T. Maruyama, K. Matsuda and N. Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    275, e2115, e2160
    2005年
  • Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate
    共著
    K. Saitoh, T. Suzuki, T. maruyama and S. Naritsuka
    J. Cryst. Growth
    277, 51, 56
    2005年
  • New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation
    共著
    S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda and T.Nishinaga
    Jpn. J. Appl. Phys.
    44, 1669, 1672
    2005年
  • Structurul Properties of Eu Doped GaN and Its Realtion with Luminescence Properties
    共著
    H. Bang, T. Maruyama, S. Naritsuka and K. Akimoto
    Materials Research Society Symposium Proceedings
    831, 197, 201
    2005年
  • Lithography of nanometer-size pattern in surface oxide of GaAs using ultrahigh-vacuum scanning tunnel microscope
    共著
    H. Uemura, Y. Ito, Y. Kawamura, T. Maruyama and S.Naritsuka
    Journal of Research Institute of Meijo University
    4, 133, 139
    2005年
  • Beam induced lateral epitaxy of GaAs on a GaAs/Si template
    共著
    S. Naritsuka, K. Saitoh, T. Kondo, T. Maruyama
    Materials Research Society Symposium Proceedings
    829, 461, 466
    2005年
  • Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, T. Suzuki, K. Saitoh, T. Maruyama and T. Nishinaga
    J. Crystal Growth
    276, 64, 71
    2004年
  • Simulation of Three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates
    共著
    S. Naritsuka, M. Okada and and T. Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    43, 3289, 3292
    2004年
  • ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長
    共著
    成塚重弥, 斎藤弘智, 鈴木喬, 近藤俊行, 丸山隆浩 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    31, 3, 241, 242
    2004年
  • GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製
    共著
    山本陽, BAN H, 丸山隆浩, 成塚重弥 (名城大), 斎藤弘智, 近藤俊行 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    31, 3, 227
    2004年
  • LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製
    共著
    松田圭司, 丸山隆浩, 成塚重弥 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    31, 3, 226
    2004年
  • 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価
    共著
    水谷充宏, 寺前文晴, 成塚重弥, 丸山隆浩 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    31, 3, 143
    2004年
  • Numerical model for Oxygen incorporation in AlGaAs layer grown by molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, O. Kobayashi and T. Maruyama
    Jpn. J. Appl. Phys.
    42, L1041, L1043
    2003年
  • Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, O. Kobayashi, K. Mitsuda and T. Nishinaga
    J. Crystal Growth
    254, 310, 315
    2003年
  • Beam induced lateral epitaxy: a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy
    共著
    T. Suzuki, S. Naritsuka, T. Maruyama and T. Nishinaga
    Cryst. Res. Technol.
    38, 614, 618
    2003年
  • Crystallization mechanism of amorphous GaAs buffer layers on Si (001)
    共著
    S. Naritsuka, Y. Matsunaga and T. Nishinaga
    J. Research Institute of Meijo University
    2, 1, 8
    2003年
  • ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長
    共著
    丸山隆浩, 松田圭司, 宰川法息, 成塚重弥 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    30, 3, 14
    2003年
  • MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム
    共著
    成塚重弥, 小林理, 光田和弘, 丸山隆浩, 西永頌 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    29, 2, 22
    2002年
  • リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー 入射角の効果
    共著
    鈴木喬, 丸山隆浩, 成塚重弥, 西永頌 (名城大 理工)
    日本結晶成長学会誌
    29, 2, 21
    2002年
  • Start of 2D nucleation by accumulation of Ga adatoms GaAs (111)B facet
    共著
    D. Kishimoto, T. Nishinaga, S. Naritsuka and H. Sakaki
    J. Crystal Growth
    240, 52, 56
    2002年
  • Room-temperature pulsed oscillation of an AlGaAs-based multi-quantum-well laser fabricated on a GaAs microchannel epitaxy (MCE) layer on Si
    共著
    S. Naritsuka, Y. Mochizuki, K. Motodohi, S. Ohya, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Asakawa, W. D. Huang, and T. Nishinaga
    J. Research Institute of Meijo University
    1, 77, 82
    2002年
  • A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy
    共著
    Y. Matusnaga, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    J. Crystal Growth
    237-239, 1460, 1465
    2002年
  • Microchannel epitaxy of GaAs from parallel and nonparallel seeds
    共著
    W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    Jpn. J. Appl. Phys.
    40, 5373, 5376
    2001年
  • AlSb Compositional Nonuniformity Induced by the Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of AlxGa1-xSb
    共著
    W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    Jpn. J. Appl. Phys.
    40, 4648, 4651
    2001年
  • Intersarface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J.Crystal Growth
    222, 14, 19
    2001年
  • Comparative ground experiment of GaSb : Te melt growth to the space experiment by Chinese recoverable satellite
    共著
    W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    J. Jpn. Soc. Microgravity
    18, 26, 28
    2001年
  • Ab initio calculation on the dissociative reaction of As4 molecules
    共著
    K.Toyoda, Y.S.Hiraoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    159-160, 360, 367
    2001年
  • 2D-nucleation of (111)B micro-facet studied by microprobe-RHEED in GaAs MBE for mesa-structure fabrication
    共著
    D.Kishimoto, T.Ogura, A.Yamashiki, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda and H.Sakaki
    J. Crystal Growth
    216, 1, 5
    2000年
  • Vertical Bridgman growth of AlxGa1-xSb single crystals
    共著
    W.D.Huang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    213, 207, 213
    2000年
  • (111)B growth elimination in GaAs MBE of (001)-(111)B mesa structure by suppressing 2D-nucleation
    共著
    D.Kishimoto, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda, Y.Nakamura and H.Sakaki
    J. Crystal Growth
    212, 373, 378
    2000年
  • Coalescence in microchannel epitaxy of InP
    共著
    Z.Yan, Y.Hmaoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    212, 1, 10
    2000年
  • Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
    共著
    S.Naritsuka, T.Nishinaga, M.Tachikawa and H.Mori
    J. Crystal Growth
    211, 395, 399
    2000年
  • Two-dimensional numerical calculation of solute diffusion in microchannel epitaxy of InP
    共著
    Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    209, 1, 7
    2000年
  • Interface supersaturetion in microchannel epitaxy of InP
    共著
    Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    203, 25, 30
    1999年
  • Two-dimensional nucleation at stacking fault during InP microchannel epitaxy
    共著
    S.Naritsuka, Z.Yan and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    198-199, 1082
    1999年
  • Liquid-phase epitaxy(LPE)microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    203, 459
    1999年
  • Interface supersaturation dependence of step velociey in liquid-phase epitaxy of InP
    共著
    Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    198-199, 1077
    1999年
  • 3-dimensional calculation of residual stress in InP layers grown by microchannel epitaxy on Si substrates
    共著
    S.Naritsuka, I.Handa and T.Nishinaga
    Jpn. J. Appl. Phys.
    37, 5885
    1998年
  • Step sources in microchannel epitaxy of InP
    共著
    Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    192, 11
    1998年
  • Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
    共著
    Y.S.Chang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Crystal Growth
    192, 18
    1998年
  • Spatially resolves photoluminescence of laterally overgrown InP on InP-coated Si substrates
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Cryst. Growth
    174, 622, 629
    1997年
  • Crystallization process of amorphous GaAs buffer-layers in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si(001)substrates
    共著
    Y.Matsunaga, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Cryst. Growth
    174, 635, 640
    1997年
  • The epitaxial growth of high quality GaAs on Si by MBE/LPE hybrid method
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Cryst. Growth
    174, 630, 634
    1997年
  • Epitaxial Lateral Overgrowth of Wide Dislocation-free GaAs on Si Substrates
    共著
    Y. S. Chang, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    Proceedings Electrochemical Society
    196, 200
    1997年
  • Microchannel Epitaxy of GaAs on Si (001) Substrates using SiO2 Shadow Mask
    共著
    Y. Matsunaga, K. Toyoda, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    Proceedings Electrochemical Society
    184, 188
    1997年
  • Interface Supersaturetion in Epitaxyal Lateral Overgrowth
    共著
    Z. Yan, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    Proceedings Electrochemical Society
    161, 165
    1997年
  • Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricatd on GaAs Laterally Grown on Si Substrate
    共著
    S. Naritsuka, Y. S. Chang, K. Tachibana and T. Nishinaga
    Proceedings Electrochemical Society
    86, 90
    1997年
  • InP Layer Grown on(001)Silicon Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    Jpn. J. Appl. Phys.
    34, L1432, L1435
    1995年
  • Epitaxial lateral overgrowth of InP by liquid phase epitaxy
    共著
    S.Naritsuka and T.Nishinaga
    J. Cryst. Growth
    146, 314, 318
    1995年
  • Electrical Properties and Deep Levels of InAlAs Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    共著
    S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
    J. Crystal Growth
    131, 186, 192
    1993年
  • Influence of V/III Molar Ratio on Deep Traps in Metalorganic Chemical Vapor Deposition Grown InAlAs Layers
    共著
    S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
    Jpn. J. Appl. Phys.
    32, L925, L927
    1993年
  • Barrier height lowering of schottky contacts on AlInAs layers grown by metal-organic chemicalvapor deposition
    共著
    S.Fujita, S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai and Y.Ashizawa
    J. Appl. Phys
    73, 1284, 1287
    1993年
  • Photoluminescence Studies on InGaAlP Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    共著
    S.Naritsuka, Y.Nishikawa, H.Sugawara, M.Ishikawa and Y.Kokubun
    J. Electronic Materials
    20, 687, 690
    1991年
  • MOCVD Growth of InGaAlP Using Ethyldimethylindium as an In Source and Application to Visible-resion Lasers
    共著
    Y.Nishikawa, S.Naritsuka, M.Ishikawa, M.Suzuki and Y.Kokubun
    J. Crystal Growth
    104, 245, 249
    1990年
  • Interface Study on GaAs-on-Si by Transmission Electron Microscopy
    共著
    C.Nozaki, S.Naritsuka, Y.Kokubun and S.Yasuami
    Jpn. J. Appl. Phys.
    27, L293, L295
    1988年
  • Effects of Well Number, Cavity Length, and Facet Reflectivity on the Reduction of Threshold Current of GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Lasers
    共著
    A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, N.Sugiyama, Y.Kokubun and M.Nakamura
    IEEE J. Quantum Electron
    24, 635, 640
    1988年
  • Electron Traps in AlGaAs grown by Molecular-beam epitaxy
    共著
    K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Kanamoto, M.Mihara and M.Ishii
    J. Appl. Phys.
    61, 5062, 5069
    1987年
  • Characteristics of molecular-beam epitaxially grown pair-groove-substrate gallium arsenide/aluminum gallium arsenide
    共著
    T.Yuasa, M.Mannoh, T.Yamada, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
    Jpn. J. Appl. Phys.
    62, 764, 770
    1987年
  • Photoluminescence of the 78meV Acceptor in GaAs Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
    共著
    M.Mihara, M.Mannoh, K.Shinozaki, S.Naritsuka and M.Ishii
    Jpn. J. Appl. Phys.
    25, L611, L613
    1986年
  • Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type AlGaAs
    共著
    T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
    Physical Review
    B33, 1222, 1232
    1986年
  • Submilliampere Lasing of Zn-Diffuzed Mesa Buried-Hetero AlGaAs/GaAs Multiquantum-well Lasers at 77K
    共著
    A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, Y.Kokubun and M.Nakamura
    Electronics Letters
    22, 1117, 1118
    1986年
  • Effects of Arsenic Sorce on Electron Trap Concentrations in MBE-Grown AlGaAs
    共著
    S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
    Jpn. J. Appl. Phys.
    24, 1324, 1326
    1985年
  • Observation of plasmons coupled with optical phnons in n-AlGaAs by Raman scattering
    共著
    T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, M.Mihara, Y.Nomura and M.Ishii
    Appl. Phys. Lett
    46, 176, 178
    1985年
  • Pair-groovesubstrate GaAs/AlGaAs multiquantum well lasers by molecular beam epitaxy
    共著
    M.Mannoh, T.Yuasa, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
    Appl. Phys. Lett.
    47, 728, 731
    1985年
  • Effects of Growth Conditions on Electron Trap Concentrations in Si-Doped AlGaAs Grown by MBE
    共著
    S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
    Jpn. J. Appl. Phys.
    23, L112, L114
    1984年
  • Effect of Group V/III Flux Ratio on Lightly Si-Doped AlGaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
    共著
    Y.Nomura, M.Mannoh, M.Mihara, S.Naritsuka, K.Yamanaka, T.Yuasa and M.Ishii
    J. Electrochemical Society
    131, 2630, 2633
    1984年
  • Influence of growh conditions and alloy composition on deep electron traps of n-AlGaAs grown by MBE
    共著
    K.Yamanaka, S.Naritsuka, M.Mannoh, T.Yuasa, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
    J. Vac. Sci. Technol
    B2, 229, 232
    1984年
  • Defect-related emissions in photoluminescence spectra of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
    共著
    M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
    J. Appl. Phys
    55, 3765, 3768
    1984年
  • Composition dependence of photoluminescence of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
    共著
    M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
    J. Appl. Phys
    55, 3760, 3764
    1984年
  • Composite-type rubidium-86 optical-pumping light source
    共著
    N.Kuramochi, S.Naritsuka and N.Oura
    Optics Letters
    6, 73, 75
    1981年

講演・口頭発表等

  • Selective growth of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using Al2O2 mask
    共著
    H. Takakura, M. Tomita, D. Kambayashi, M. Iwakawa, Y. Misuno, J. Yamada, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    2014年03月02日
  • Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Hot-Filament Assisted Chemical Vapor Deposition
    共著
    Y. Swaki, Y. Nakashima, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    2014年03月02日
  • Study on Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Gas Source Method Using Ethanol in High Vacuum
    共著
    H. Kondo, R. Ghosh, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    2014年03月02日
  • Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalyst by Alcohol Gas Source Method
    共著
    Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
    2013年12月01日
  • Carbon Nanotube/n-type SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC: Growth and Electric Property
    共著
    T. Yajima, S. Naritsuka, T. Maruyama
    2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
    2013年12月01日
  • Selective growth of (0 0 1) GaAs using patterned graphene mask
    共著
    Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    2013年08月11日
  • c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure
    共著
    Shigeya Naritsuka, Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    2013年08月11日
  • Behavior of Defects in a-Plane GaN Films Grown by Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy (LAIMCE)
    共著
    Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki and Shigeya Naritsuka
    17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    2013年08月11日
  • Selective growth of (000) GaAs with graphene mask
    共著
    Yujiro Hirota and Shigeya Naritsuka
    14th Interanational Summer School on Crystal Growth
    2012年08月04日
  • Low temperature synthesis and growth mechanism of single-walled carbon nanotubes from Pt catalyst in the alcohol gas source method
    共著
    Hiroki Kondo,Naoya Fukuoka ,Shigeya Naritsuka ,Takahiro Maruyama
    The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT12)
    2013年06月24日
  • Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution
    共著
    D. Kanbayashi, T. Hishida, M. Tomita, H. Takakura, T. Maruyama and S. Naritsuka
    24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    2013年05月19日
  • SWNT Growth from Pt Catalyst at Very Low Pressures by the Alcohol Gas Source Method
    共著
    Takahiro Maruyama, Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka
    2011 MRS Fall Meeting & Exhibit
    2012年11月25日
  • Low Temperature SWNT Growth from Pt Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    2012年10月30日
  • Electric Property of CNT/n-type 5H-SiC Heterojunctions formed by Surface Decomposition of SiC
    共著
    T. Yajima, S. Sakakibara, S. Naritsuka and T. Maruyama
    25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    2012年10月30日
  • Effect of supply direction of precursors on a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    S. Uchiyama, C.H. Lin, Y. Suzuki, T. Maruyama and S. Naritsuka
    International Workshop on Nitride Semiconductors
    2012年10月14日
  • Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    2012年09月23日
  • Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    2010年07月16日
  • Low angle incidence microchannel epitaxy of a-plane GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy --- Optimization of [NH3] / [TMG] ratio ---
    共著
    Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama and Takahiro Maruyama
    53rd Annual Electronic Materials Conference
    2012年06月20日
  • Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method
    共著
    N. Fukuoka, Y. Mizutani, T. Maruyama and S. Naritsuka
    23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011)
    2011年
  • Microchannel epitaxy of GaN by NH3-based MOMBE
    共著
    Shigeya Naritsuka
    Seminar on Molecular Beam Epitaxy (MBE) of GaAs and GaN
    2011年
  • Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy with [1-100]-direction microchannel
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy & 15th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (ACCGE18 & OMVPE15)
    2011年07月31日
  • Lateral growth of GaN with Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
    共著
    Shigeya Naritsuka, Yuki Nagae, Takenori Takatsuki, Yuya Shirai and Takahiro Maruyama
    15th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XVI)
    2011年06月19日
  • In-situ NEXAFS study of Initial Growth Process of Carbon Nanotube by Surface Decompositon of SiC
    共著
    Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
    12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    2011年07月10日
  • Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Pressure from Pt catalyst using Alcohol Gas Source Method
    共著
    Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka and Sumio Iijima
    12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    2011年07月10日
  • [NH3]/ [TMG] flow ratio dependence of micro-channel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    C. H. Lin*, R. Abe, S. Uchiyama, Y. Uete, T. Maruyama and S. Naritsuka
    4th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
    2011年05月22日
  • Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC
    共著
    T. Maruyama, S. Sakakibara, H. Ito, S. Naritsuka, K. Amemiya
    2011年05月16日
  • Effect of growth temperature on surface morphology of selectively grown GaN layers by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    C. H. Lin, R. Abe, S. Uchiyama, Y. Uete, T. Maruyama and S. Naritsuka
    15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop
    2011年03月20日
  • Growth mechanism of selective growth of GaN by RF-MBE
    共著
    Yuki Nagae, Yuki Osawa, Takenori IWATSUKI, Yuya SHIRAI, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    2011年03月06日
  • Electric Property of CNT/SiC Interface formed by Surface Decomposition of SiC
    共著
    Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Eiji Shigemasa, Nobuhiro Kosugi and Takahiro Maruyama
    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    2011年03月06日
  • Carbon Nanotube Growth on ZnO substrate surfaces using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Takayasu Iokawa, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    2011年03月06日
  • SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    2010年08月08日
  • Optimization of growth conditions for selective growth and lateral growth of GaN by RF-MBE
    共著
    Yuki Nagae, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Yuki Osawa
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    2010年08月08日
  • Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    2010年08月08日
  • Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    2010年08月08日
  • Low angel incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    共著
    Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-13)
    2010年08月01日
  • Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    共著
    Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
    10th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10)
    2010年06月27日
  • XPS study of Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical Source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, Takahiro Maruyama
    The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    2010年05月31日
  • AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy
    共著
    D. Kanbayashi, Y. Ando, T. Kawakami, S. Naritsuka, T. Maruyama
    The TMS Annual Meeting & Exhibition
    2010年02月14日
  • Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition
    共著
    Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
    2009 MRS Fall Meeting
    2009年11月30日
  • Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al2Ox Buffer Layer in Low Temperature Growth
    共著
    Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    2009 MRS Fall Meeting
    2009年11月30日
  • XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs (001) Surface using RF-radical Source
    共著
    Shigeya Naritsuka, Yohei Monno, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi and Takahiro Maruyama
    SemiconNano 2008
    2009年08月10日
  • Nitrogen-modulated Wet-chemical Decoration of Carbon Nitride/ZnO Hetero-junction Film Results Enhanced Field-emission Performance
    共著
    Kaushik Ghosh, Mukul Kumar, Huafeng Wang, Takahiro Maruyama and Yoshinori Ando
    Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT09)
    2009年06月21日
  • Synthesis of double-walled carbon nanotube films and their field emission properties
    共著
    Huafeng Wang, Zhenhua Li, Kaushik Ghosh, Takahiro Maruyama, Mukul Kumar, Sake Inoue and Yoshinori Ando
    Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT09)
    2009年06月21日
  • Influence of Al oxide buffer layer for improving SWNT yield by alcohol gas source technique
    共著
    Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, and Shigeya Naritsuka
    2007 MRS Fall Meeting
    2008年11月30日
  • Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum
    共著
    T. Maruyama K. Sato, Y. Mizutani, and S. Naritsuka
    The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    2008年12月09日
  • Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
    共著
    K. Sato, T. Shiraiwa, T. Maruyama and S. Naritsuka
    The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    2008年12月09日
  • Carbon Nanotube Growth by SiC Surface Decomposition in Hydrogen Ambient
    共著
    K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama and S. Naritsuka
    The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    2008年12月09日
  • Dependence of SWNT growth yield on Al oxide buffer layer thickness by alcohol gas source method in high vacuum
    共著
    T. Maruyama, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2008)
    2008年09月07日
  • Fabrication of InN dot structures by droplet epitaxy using NH3
    共著
    Shigeya Naritsuka, Hiroaki Otsubo, Shoji Osaki, Takahiro Maruyama
    XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography(IUCr)
    2008年08月23日
  • Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001) GaAs substrate
    共著
    Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida and Takahiro Maruyama
    Abstract of International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2007)
    2008年08月03日
  • High yield synthesis and growth mechanism of carbon nanotube using alcohol gas source method in high vacuum
    共著
    Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Kenji Tanioku, Tomoyuki Shiraiwa, Shigeya Naritsuka
    Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT07)
    2008年06月29日

外部資金

  • 2011
    (独)科学技術振興機構(JST)
    研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)フィージビリティスタディ(FS)ステージ探索タイプ
    グラフェンを用いた電気自動車用配線材料の作製方法の開発
    2011年12月01日, 2012年07月31日
    成塚 重弥
  • 2009
    (独)科学技術振興機構(JST)【JSTイノベーションプラザ東海】
    地域イノベーション創出総合支援事業 重点地域研究開発推進プログラム「シーズ発掘試験」
    温度差法を用いた持続的成長が可能な液相成長技術の開発
    2009年07月01日, 2010年03月31日
    成塚 重弥
  • 2006
    (独)科学技術振興機構(JST)【旭光電機㈱】
    革新技術開発研究事業
    「乳牛の乳房炎リアルタイム診断用小型近赤外線分光分析装置の開発」の多波長発光型近赤外LEDの開発に関する研究
    2006年11月01日, 2009年03月31日
    成塚 重弥
  • 2009
    文部科学省
    科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(C)
    表面分解法によるカーボンナノチューブ/SiCヘテロ接合の作製と物性評価
    2009年, 2012年
    理工学部・教授・丸山隆浩
  • 2010
    文部科学省
    科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)
    Si集積回路の限界打破のための結晶成長からのアプローチ
    2010年, 2013年
    成塚 重弥
  • 2006
    文部科学省
    科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)
    光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
    2006年, 2009年
    成塚 重弥
  • 2013
    文部科学省
    挑戦的萌芽研究
    液相エピタキシャル成長法による高品質グラフェンの作製
    2013年, 2015年
    丸山 隆浩
  • 2013
    文部科学省
    特別推進研究
    分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
    2013年, 2015年
    名古屋大学・工学研究科・教授・天野 浩


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