今井 大地 イマイ ダイチ

■所属
理工学部 材料機能工学科
■職名
助教
■生年月日
1987/01/03
■性別
男性

基本情報

学歴

  • 2011/04-2014/03 千葉大学 大学院工学研究科  博士後期課程  博士 修了 

職歴

2014年-2015年日本学術振興会特別研究員(PD)
2015年-2016年千葉大学産業連携学術研究推進ステーション、SMARTグリーンイノベーション研究拠点特任研究員

現在所属している学会

  • 応用物理学会

研究活動

研究分野

  • 応用物性・結晶工学 / 半導体工学

研究キーワード

  • 半導体光物性
  • 光半導体デバイス
  • 窒化物半導体

学術論文

  • タイトル : Growth kinetics and structural perfection of (InN)1/(GaN)1–20 short-period
    superlattices on +c-GaN template in dynamic atomic layer epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Takaomi Itoi, Ke Wang, Daichi Imai, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Applied Physics Letters
    出版社 : American Institute of Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 108(152107) : 1 - 5
    出版年月 : 2016年
  • タイトル : Leak path passivation by in situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelength up to 570 nm
    担当区分 : 共著
    著者 : Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Applied Physics Letters
    出版社 : American Institute of Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 108(092105) :
    出版年月 : 2016年
  • タイトル : Proposal of leak current passivation for InGaN solar cells to reduce the leakage current
    担当区分 : 共著
    著者 : Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Applied Physics Letters
    出版社 : American Institute of Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 108(042108) :
    出版年月 : 2016年
  • タイトル : InN/GaN Short-period superlattice as ordered InGaN ternary alloy
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuhide Kusakabe, Daichi Imai, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Physica Status Soldi C
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1 - 4
    出版年月 : 2015年
  • タイトル : Analysis of Nonradiative Carrier Recombination Processes in InN Films by Mid-infrared Spectroscopy
    担当区分 : 共著
    著者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwra, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Journal of Electronic Materials
    出版社 : TMS and IEEE in partnership with Springer Science + Business Media
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42(5) : 875 - 881
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Carrier recombination processes in In-polar and N-polar p-type InN films
    担当区分 : 共著
    著者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Physica Status Soldi B
    出版社 : WILEY-VHC Verlag GmbH & CO. KGaA, Weinheim
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 249(3) : 472 - 475
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Carrier recombination processes in Mg doped N-polar InN films
    担当区分 : 共著
    著者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Applied Physics Letters
    出版社 : American Institute of Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 98(181908) :
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Electron and hole scattering dynamics in InN films investigated by infrared measurements
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, Daichi Imai, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    誌名 : Physica Status Soldi A
    出版社 : WILEY-VHC Verlag GmbH & CO. KGaA, Weinheim
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 209(1) : 56 - 64
    出版年月 : 2012年

講演・口頭発表等

  • タイトル : Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy (D-ALEp) of InN on/in GaN matrix and its application for fabricating ordered alloys in whole III-N system
    担当区分 : 共著
    講演者 : Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai
    開催年月日 : 2016年02月
  • タイトル : Systematic study on dynamic atomic layer epitaxy (D-ALEp) on InN on/in GaN matrix and its extension for whole III-N (AlN/GaN/InN) system
    担当区分 : 共著
    講演者 : Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai
    会議名 : 9th workshop on frontiers in electronics (WOFE-2015) & workshop on multi functional nanomaterials
    開催年月日 : 2015年12月
  • タイトル : In-situ ellipsometry observation of Al adatoms and oxidation/nitridation processes for deactivating leak paths in nitride solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Ke Wang, Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : 11th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2015年08月
  • タイトル : InGaN quasi-ternary alloys based on (InN)1/(GaN)4 short-period superlattices
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : 11th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2015年08月
  • タイトル : Development of Superfine Structure One Monolayer-thick InN/GaN-Matrix MQW System using Novel ALEp Method: Dynamic-ALEp
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
    会議名 : 15th International Conference on Atomic Layer Deposition ALD2015
    開催年月日 : 2015年06月
  • タイトル : Proposal of “1 ML” InN / GaN Matrix Coherent-Structure QW System and Its Application for Novel Structure Photonic Devices
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
    会議名 : IEEE Photonics Society
    開催年月日 : 2015年06月
  • タイトル : 1 ML InN/GaN matrix coherent-structure QW system and its evolution to short period superlattice-based InGaN ternary alloys
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Yoshikawa, K. Kusakabe, K. Wang, and D. Imai
    会議名 : 42nd Int. Conf. on Metallurgical Coatings and Thin Film
    開催年月日 : 2015年04月
  • タイトル : Novel structure photonic devices using “1 ML” InN/GaN matrix QW-based active layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Daichi Imai
    会議名 : 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Diodes (ISSLED)
    開催年月日 : 2014年12月
  • タイトル : Band engineering technology in quasi ternary InGaN alloy system based on SMART (InN)1/(GaN)n digital alloys
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : 2014 MRS Fall meeting & Exhibit
    開催年月日 : 2014年11月
  • タイトル : SMART III-Nitride tandem solar cells with using novel digital alloys of InN/GaN short-period superlattices: Theoretical and experimental
    担当区分 : 共著
    講演者 : Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Naoki Hashimoto, Ke Wang, Daichi Imai, and Xinqiang Wang
    会議名 : The 4th cross-straight workshop on wide band gap semiconductors
    開催年月日 : 2014年08月
  • タイトル : Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Xinqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : 10th International Conference on Nitride Semiconductors B12. 06
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : Mid and Far-infrared analysis of the local electron lattice dynamics on carrier recombination processes in InN films
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : International Workshop on Nitride semiconductors 2012 PR4-3
    開催年月日 : 2012年10月
  • タイトル : Analysis of carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : Electron Materials Conference 2012 EE-6
    開催年月日 : 2012年06月
  • タイトル : Carrier recombination processes in In-polar and N-polar p-type InN films
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : 9th International Conference on Nitride Semiconductors PD3.08
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : Non-radiative carrier recombination processes in N-polar Mg-doped InN
    担当区分 : 共著
    講演者 : Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwara, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    会議名 : Asia Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors 2011 We-P68
    開催年月日 : 2011年05月


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