上山 智 カミヤマ サトシ

■所属
理工学部 材料機能工学科
■職名
教授
■メールアドレス
skamimeijo-u.ac.jp
■性別
男性

基本情報

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻 教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻 教授

学歴

  • 1985/03 名古屋大学 工学部 電子工学科 卒業
  • 1995/10- 

現在所属している学会

  • 応用物理学会
  • IEEE
  • International Conference on MOVPE 論文委員

学会

  • 1986年04月 - 応用物理学会会員  
  • 1989年03月 - 1991年12月 電子情報通信学会会員
  • 1992年10月 - IEEE会員  
  • 2000年09月 - 2000年09月 International Workshop on Nitride Semiconductors 2000 現地実行委員
  • 2002年09月 - 2002年09月 The 5th International Conference on Nitride Semiconductors 実行委員、論文委員
  • 2005年03月 - 2005年03月 International Conference on MOVPE 論文委員
  • 2005年04月 - 2005年04月 International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 実行委員
  • 2007年04月 - 2007年04月 International Symposium on Compound Semiconductors 2007 プログラム委員
  • 2007年07月 - 2007年07月 環境省特定調達品目検討会(LED分科会)委員

委員歴(学外)

2009年05月-SPIE Photonics West 2010, プラグラム委員
2009年06月-ISPlasma2010 現地実行委員
2010年05月-SPIE Photonics West 2011, プラグラム委員

研究活動

研究分野

  • 半導体工学
  • 原子・分子・量子エレクトロニクス / 量子力学
  • 電子デバイス・電子機器 / 光デバイス
  • 電子デバイス・電子機器 / 電子物性一般

教育研究への取り組み・抱負

  • 教員活動においては、量子力学、物性基礎論、半導体基礎論等、材料の電気、電子的な物性を取り扱う科目を担当している。これらは学生には難解な科目であり、スライド等を使用したビジュアルな授業、また問題を数多く解くことで、理解が深まるよう心掛けている。研究面における活動では、窒化物半導体、SiCなどのワイドギャップ半導体の結晶成長、デバイス研究、また物性研究を行っている。これらの材料の大きなアプリケーションとして白色LEDを取り上げ、従来技術を大きく凌駕する性能実証を目指している。また、ナノテクノロジーを駆使した光の量子化、電子の量子化、またこれら技術の発光素子への応用に関する研究も力を入れている。

学術論文

  • タイトル : Study on Efficiency Component Estimation of 405 nm Light Emitting Diodes from Electroluminescence and Photoluminescence Intensities
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuki Aoyama, Atsushi Suzuki, Tsukasa Kitano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JL16 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures
    担当区分 : 共著
    著者 : Toshiki Yasuda, Kouta Yagi, Tomoyuki Suzuki, Tsubasa Nakashima, Masahiro Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JJ05 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Mitsuru Kaga, Takatoshi Morita, Yuka Kuwano, Kouji Yamashita, Kouta Yagi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JH07 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Concentrating Properties of Nitride-Based Solar Cells Using Different Electrodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Mikiko Mori, Shinichiro Kondo, Shota Yamamoto, Tatsuro Nakao, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JH02 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Combination of Indium–Tin Oxide and SiO2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : Tsubasa Nakashima, Kenichiro Takeda, Hiroshi Shinzato, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JG07 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Carrier Injections in Nitride-Based Light Emitting Diodes Including Two Active Regions with Mg-Doped Intermediate Layers
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Matsui, K. Yamashita, M. Kaga, T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuch, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JG02 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Control of the Detection Wavelength in AlGaN/GaN-Based Hetero-Field-Effect-Transistor Photosensors
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Ishiguro, K. Ikeda, M. Mizuno, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JF02 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Trench-Shaped Defects on AlGaInN Quantum Wells Grown under Different Growth Pressures
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Suzuki, M. Kaga, K. Naniwae, T. Kitano, K. Hirano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JB27 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Nitride-based field-effect-transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Ishiguro, K. Ikeda, M. Mizuno, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 7215 - 217
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Anallllysis of strain relaxation process in GaInN/GaN heterostructure by in situ x-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor-phase epitaxial growth
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, Y. Kondo, M. Sowa, T. Sugiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 7211 - 214
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Effects of source material on epitaxial growth of fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : V. Jokubavicius, P. Hens, R. Liljedahl, J.W. Sun, M. Kaiser, P. Wellmann, S. Sano, R. Yakimova, S. Kamiyama, M. Syväjärvi
    誌名 : Thin Solid Films
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5227 - 10
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : White light-emitting diode based on fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, R. Yakimova, M. Syväjärvi
    誌名 : Thin Solid Films
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 52223 - 25
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Room temperature luminescence properties of fluorescent SiC as white light emitting diode medium
    担当区分 : 共著
    著者 : J. W. Sun, V. Jokubavicius, R. Liljedahl, R. Yakimova, S. Juillaguet, J. Camassel, S. Kamiyama, M. Syväjärvi
    誌名 : Thin Solid Films
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 52233 - 35
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Fluorescent silicon carbide as an ultraviolet-to-visible light converter by control of donor to acceptor recombinations
    担当区分 : 共著
    著者 : J. W. Sun, S. Kamiyama, V. Jokubavicius, H. Peyre, R. Yakimova, S. Juillaguet and M. Syväjärvi
    誌名 : J. Phys. D
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45235107 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : White light-emitting diode based on fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, R. Yakimova, M. Syväjärvi,
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 717-72087 - 92
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Geometrical control of 3C and 6H-SiC nucleation of low off-axis substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : V. Jokubavicius, R. Liljedahl, Y. Ou, H. Ou, S. Kamiyama, R. Yakimova, and M. Syväjärvi
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 717-720103 - 106
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Photoluminescence and Raman spectroscopy characterization of boron and nitrogen-doped 6H silicon carbide
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Ou, V. Jokubavicius, C. Liu, R. W. Berg, M. Linnarsson, S. Kamiyama, Z. Lu, R. Yakimova, M. Syväjärvi, and H. Ou
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 717-720233 - 236
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : On Stabilization of 3C-SiC Using Low Off-Axis 6H-SiC Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : V. Jokubavicius, B. Lundqvist, P. Hens, R. Liljedahl, R. Yakimova, S. Kamiyama
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 717-720193 - 196
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Growth and light properties of fluorescent SiC for white LEDs
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Syväjärvi, R. Yakimova, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, S. Kamiyama
    誌名 : Materials Science Forum
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 717-72087 - 92
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Fluorescent SiC as a new material for white LEDs
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Syväjärvi, J. Müller, J. W. Sun, V. Grivickas, Y. Ou, V. Jokubavicius, P. Hens, M. Kaisr, K. Ariyawong, K. Gulbinas, R. Liljedahl, M. K. Linnarsson, S. Kamiyama, P. Wellmann, E. Spiecker and H. Ou
    誌名 : Phys. Scr
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : T148014002 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Properties of nitride-based photovoltaic cells under concentrated light illumination
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Yamamoto, M. Mori, Y. Kuwahara, T. Fujii, T. Nakao, S. Kondo, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6145 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Indium-Tin Oxide/Al Reflective Electrodes for Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Takehara, K. Takeda, S. Ito, H. Aoshima, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and . Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51042101 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51051001 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Correlation between Device Performance and Defects in GaInN-Based Solar Cells
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Mori, S. Kondo, S. Yamamoto, T. Nakao, T. Fujii, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5082301 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Growth of GaN and AlGaN on (100) β-Ga2O3 substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Ito, K. Takeda, K. Nagata, . Aoshima, K. Takehara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9519 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka and Y. Mori
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9875 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Ikeda, Y. Isobe, H. Ikki, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9942 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Aoshima, K. Takeda, K. Takehara, S. Ito, M. Mori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 9753 -
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Properties of nitride-based photovoltaic cells under concentrated light illumination
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Yamamoto, M. Mori, Y. Kuwahara, T. Fujii, T. Nakao, S. Kondo, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6145 - 147
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Improvement of Light Extraction Efficiency for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Inazu, S. Fukahori, C. Pernot, M. H. Kim, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 50122101 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : High-Temperature Operation of Normally Off-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, H. Amano, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5001AD03-1 - 01AD03-3
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Nonpolar a-Plane AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown on Freestanding GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Isobe, H. Ikki, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Sugiyama, H. Amano, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4064102-1 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Kim, T. Fujita, S. Fukahori, T. Inazu, C. Pernot, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Yamaguchi, Y. Honda, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4092102-1 - 092102-3
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Nakao, T. Fujii, T. Sugiyama, S. Yamamoto, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4101001-1 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Donor-acceptor-pair emission characterization in N-B doped fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Ou, V. Jokubavisius, S. Kamiyama, C. Liu, R. W. Berg, M. Linnarsson, R. Yakimova, M. Syvajarvi and H. Ou
    誌名 : Optical Materials Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 11439 - 1446
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Low leakage current in AlGaN/GaN HFETs with preflow og Mg source before growth of u-GaN buffer layer
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Oshimura, T. Sugiyama, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081607 - 1610
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on Fe-doped GaN substrates with high breakdown voltage
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Oshimura, T. Sugiyama, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki and H. Amano
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 50084102 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : High-temperature operation of normally off-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, H. Amano, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5001AD03 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Freestanding Highly Crystalline Single Crystal AlN Substrates Grown by a Novel Closed Sublimation Method
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Yamakawa, K. Murata, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, and M. Azuma
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4045503 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : GaInN-Based Solar Cells Using Strained-Layer GaInN/GaInN Superlattice Active Layer on a Freestanding GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwahara, T. Fujii, T. Sugiyama, D. Iida, Y. Isobe, Y. Fujiyama, Y. Morita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4021001 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Microstructures of GaInN/GaInN Superlattices on GaN Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, Y. Kuwahara, Y. Isobe, T. Fujii, K. Nonaka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4015701 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Ban, J. Yamamoto, K. Takeda, K. Ide, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4052101 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : GaInN-based solar cells using GaInN/GaInN superlattices
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Fujii, Y. Kuwahara, D. Iida, Y. Fujiyama, Y. Morita, T. Sugiyama, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82463 - 2465
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Injection efficiency in AlGaN-based UV laser diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagata, K. Takeda, Y. Oshimura, K. Takehara, H. Aoshima, S. Ito, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 82384 - 2386
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Growth of AlGaN/GaN heterostructure on vicinal m-plane free-standing GaN substrates prepared by the Na flux method
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, M. Imade, Y. Kitaoka and Y. Mori
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2081191 - 1194
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Syväjärvi, and R. Yakimova
    誌名 : Journal of Semiconductor
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32013004 -
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Realization of Nitride-Based Solar Cell on Freestanding GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwahara, T. Fujii, Y. Fujiyama, T. Sugiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111001 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates
    担当区分 : 共著
    著者 : Z. Wu, K. Nonaka, Y. Kawai, T. Asai, F. A. Ponce, C. Chen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111003 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, K. Tamura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3123131 - 3135
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth of GaInN by Raised-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, K. Nagata, T. Makino, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh, and T. Udagawa
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3075601 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Improved Efficiency of 255–280 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : C. Pernot, M. Kim, S. Fukahori, T. Inazu, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3061004 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72419 - 2422
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72382 - 2385
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Oshimura, K. Takeda, T. Sugiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh and T. Udagawa
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71974 - 1976
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Nitride-based light-emitting solar cell
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72056 - 2058
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth and characterization of GaN grown on moth-eye patterned sapphire substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : A. Ishihara, R. Kawai, T. Kitano, A. Suzuki, T. Kondo, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72056 - 2058
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Threshold voltage control using SiNx in normally off AlGaN/GaN HFET with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71980 - 1982
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Realization of extreme light extraction efficiency for moth-eye LEDs on SiC substrate using high-reflection electrode
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, H. Sakurai, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li and K. Su
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72180 - 2182
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Internal quantum efficiency of GaN/AlGaN-based multi quantum wells on different dislocation densities underlying layers
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Takeda, F. Mori, Y. Ogiso, T. Ichikawa, K. Nonaka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 71916 - 1918
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72101 - 2103
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : High efficiency violet to blue light emission in porous SiC produced by anodic method
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72459 - 2462
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Atomic layer epitaxy of AlGaN
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72368 - 2370
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72419 - 2422
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : GaInN/GaN p-i-n light-emitting solar cells
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 72382 - 2385
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Defects in highly Mg-doped AlN
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nonaka, T. Asai, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2071299 - 1301
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2071393 - 1396
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Misfit strain relaxation in m-plane epitaxy of InGaN on ZnO
    担当区分 : 共著
    著者 : Z. H. Wu, K. W. Sun, Q. Y. Wei, A. M. Fischer, F. A. Ponce, Y. Kawai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 96071909 -
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Activation of Mg-Doped p-Type Al0.17Ga0.83N in Oxygen Ambient
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagata, K. Takeda, T. Ichikawa, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 48101002-1 - 101002-3
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Relaxation and recovery processes of AlxGa1−xN grown on AlN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112850 - 2852
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Activation energy of Mg in a -plane Ga1-xInxN (0
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2461188 - 1190
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, T. Ichikawa, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    誌名 : physica status solidi (a)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2061199 - 1204
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H.Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2061004 -
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112929 - 2932
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Growth of thick GaInN on grooved (10-1-1) GaN/(10-1-2)4H-SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Matsubara, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112926 - 2928
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : One-sidewall-seeded epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by metalorganic vapor-phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112887 - 2890
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Tsuzuki, F. Mori, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112860 - 2863
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Relaxation and recovery processes of AlxGa1−xN grown on AlN underlying layer
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Asai, K. Nagata, T. Mori, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : Journal of Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112850 - 2852
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Activation energy of Mg in Al0.25Ga0.75N and Al0.5Ga0.5N
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S437 - S439
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Improvement of crystalline quality of InGaN epilayers on various crystal planes of ZnO substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kawai, S. Ohsuka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S486 - S489
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Realization of high-crystalline-quality and thick GaInN films
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Senda, T. Matsubara, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S502 - S505
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : High-performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure-field-effect transistor with a p-GaN gate
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Iwaya, S. Miura, T. Fujii, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S972 - S975
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : High-reflectivity Ag-based p-type ohmic contacts for blue light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : R. Kawai, T. Mori, W. Ochiai, A. Suzuki, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 6S830 - S832
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Activation energy of Mg in a -plane Ga1-xInxN (0
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    誌名 : physica status solidi (b)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2461188 - 1190
    出版年月 : 2009年

講演・口頭発表等

  • タイトル : (一般講演)Light absorption loss in fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    会議名 : The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Externally high sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors
    担当区分 : 共著
    会議名 : Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)MOVPE growth of embedded GaN nanocolumn
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Moth-eye Patterned Sapphire Substrate technology for cost effective high performance LED
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Asymmetric AlN/GaN-DBRs with high reflectivity
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Quantitative evaluation of electron overflow by monitoring emissions from second active region in nitride-based blue LEDs
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Reduction of the threshold power density in AlGaN/AlN multiquntum wells DUV (288 nm) optical pumped lasers
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Enhanced internal quantum efficiency of green emission GaInN/GaN multiple quantum wells by surface plasmon coupling
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)In situ X-ray diffraction monitoring of GaInN/GaN superlattices growth by metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    会議名 : JSAP-MRS Joint Symposia
    開催年月日 : 2013年09月
  • タイトル : (一般講演)Improvement of Light Extraction Efficiency in 350-nm Emission UV Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)Advantages of the Moth-Eye Patterned Sapphire Substrate for the High Perfortnance Nitride Based LEDs
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)10-μm-Square Micro LED Array with Tunnel Junction
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)Stable Balance of Emission Intensities from Two Active Regions in Nitride Semiconductor-Based Light Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)GaNSb Alloys Grown by Low Temperature Metalorganie Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)Extreme Low-Resistivity and High-Carrier-Concentration Si-Doped Al0.05Ga0.95N
    担当区分 : 共著
    会議名 : 10th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2013年08月
  • タイトル : (一般講演)In situ X-ray diffraction monitoring of OMVPE GaInN/GaN superlattice growth
    担当区分 : 共著
    会議名 : The 19th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2013年07月
  • タイトル : (一般講演)Micro-Raman scattering and carrier diffusion studies in heavily co-doped 6H-SiC layers
    担当区分 : 共著
    会議名 : Europian-MRS Spring Meeting
    開催年月日 : 2013年05月
  • タイトル : (一般講演)Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions
    担当区分 : 共著
    会議名 : Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    開催年月日 : 2013年05月
  • タイトル : (一般講演)Threshold Power Density Reduction in AlGaN/AlN Multiquntum Wells DUV (288 nm) Optical Pumped Laser
    担当区分 : 共著
    会議名 : Conference on LED and Its Industrial Application
    開催年月日 : 2013年04月
  • タイトル : (一般講演)Observation of GaInN/GaN Superlattice Structures by In Situ X-ray Diffraction Monitoring during Metalorganic Vapor-Phase Epitaxial Growth
    担当区分 : 共著
    会議名 : Conference on LED and Its Industrial Application
    開催年月日 : 2013年04月
  • タイトル : (一般講演)Nitride-Based p-Side Down LEDs on Tunnel Junction
    担当区分 : 共著
    会議名 : Conference on LED and Its Industrial Application
    開催年月日 : 2013年04月
  • タイトル : (一般講演)Direct Evidence of Electron Overflow by Monitoring Emissions from Second Active Region in Nitride-Based Blue LEDs
    担当区分 : 共著
    会議名 : Conference on LED and Its Industrial Application
    開催年月日 : 2013年04月
  • タイトル : (一般講演)Performance of nitride-based light emitting diodes using an Indium-zinc-oxide transparent electrode with moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    会議名 : SPIE Photonic west
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication of moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS) and influence of height of corns on the performance of blue LEDs on MPSS
    担当区分 : 共著
    会議名 : SPIE Photonic west
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : (一般講演)Influence of growth interruption on performance of nitride-based blue LED
    担当区分 : 共著
    会議名 : SPIE Photonic west
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : (一般講演)High-sensitivity HFET type photosensors with a p-GaInN gate
    担当区分 : 共著
    会議名 : SPIE Photonic west
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : (一般講演)Carrier Lifetimes and In-Grown Defects in N-B codoped SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : V. Grivickas, K. Gulbina, V. Jokubavičiu, M. Syväjärvi, S. Kamiyama, M. Linnarsson
    会議名 : 9th European Conference on SiC and Related Materials
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : (一般講演)Microsecond carrier lifetimes in bulk-like 3C-SiC grown by sublimation epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : J. W. Sun, S. Kamiyama, P. Wellmann, R. Liljedahl, R. Yakimova, M. Syväjärvi
    会議名 : 9th European Conference on SiC and Related Materials
    開催年月日 : 2012年09月
  • タイトル : (一般講演)Wideband near-infrared light source with over 1mW power by stacked InAs quantum dots/GaAs LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Fuchi, K. Tani, T. Arai, S. Kamiyama, and Y. Takeda
    会議名 : Optoelectronic, and Photonic Materials and Applications
    開催年月日 : 2012年06月
  • タイトル : (一般講演)Optimizations of Nitirde Semiconductor-Based Tunnel Junctions
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Kaga, K. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    開催年月日 : 2012年05月
  • タイトル : (一般講演)Indium-zinc-oxide transparent electrode for nitride-based light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Mizutani, S. Nakashima, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Matsubara
    会議名 : European Materials Research Society Spring Meeting
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : (一般講演)Photoluminescence and Raman spectroscopy characterization of boron- and nitrogen-doped 6H silicon carbide
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Ou, V. Jokubavicius, C. Liu, R. W. Berg, M. Linnarsson, S. Kamiyama, Z. Lu, R. Yakimova, M. Syväjärvi, and H. Ou
    会議名 : The 2011 Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2011年09月
  • タイトル : (一般講演)Growth of fluorescent SiC for white LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Syväjärvi, R. Yakimova, and S. Kamiyama [Invited]
    会議名 : The 2011 Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2011年09月
  • タイトル : (一般講演)On stabilization of 3C-SiC on low off axis 6H-SiC substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : V. Jokubavicius, B. Lundqvist, R. Yakimova, S. Kamiyama and M. Syväjärvi
    会議名 : The 2011 Silicon Carbide and Related Materials
    開催年月日 : 2011年09月
  • タイトル : (一般講演)Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Aoshima, M. Mori, K. Takeda, K. Nagata, K. Takehara, S. Ito, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication of AlInN/AlN/GaInN/GaN heterostructure field-effect transistors
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Ikeda, Y. Isobe, H. Ikki, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Development of Deep UV-Light Source Based on High Power AlGaN LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot, T. Inazu, S. Fukahori, M. H. Kim, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Yamaguchi. Y. Honda, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Internal quantum efficiency of whole-composition-range AlGaN multiquantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : J. Yamamoto, K. Ban, K. Takde, K. Ide, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Relationship between the crystalline quality and characteristics in nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Fujii, Y. Kuwahara, D. Iida, Y. Fujiyama, Y. Morita, T. Sugiyama, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication and characterization of nonpolar a-plane nitride-based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Nakao, Y. Fujiyama, T. Fujii, T. Sugiyama, S. Yamamoto, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)GaInN channel HFET with high InN molar fraction
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Ikki, Y. Isobe, T. Sakakibara, K. Ikeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, and H.Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Small current collapse in AlGaN/GaN HFETs on a-plane GaN self-standing substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Y. Isobe, Y. Yasue, Y. Oshimura, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Improvement of light extraction efficiency of nitride-based blue LEDs on moth-eye patterned sapphire substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kondo, A. Ishihara, T. Kitano, S. Yamaguchi, A. Suzuki, K. Teshima, S. Maeda, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Dependence of Internal Quantum Efficiency on Emission Wavelength in Nitride-Based LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Yamaguchi, D. Iida, T. Kitano, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Growth of AlInN by raised-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Mishima, T. Makino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, S. Sakakura, T. Tanikawa, Y. Honda, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Nonpolar a-plane AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor grown on freestanding GaN substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Isobe, H. Ikki, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Al-based high reflectance p-type electrode for UV-LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Takehara, K. Takeda, K. Nagata, S. Ito, H. Aoshima, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Growth of GaN and AlGaN on -Ga2O3 (100) substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Ito, K. Takeda, K. Nagata, H. Aoshima, K. Takehara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The 9th International Conference of Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2011年07月
  • タイトル : (一般講演)Effects of source material on epitaxial growth of fluorescent SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : V. Jokubavicius, R. Liljedahl, J. Sun, P. Hens, M. Kaiser, P. Wellmann, R. Yakimova, S. Kamiyama, and M. Syväjärvi
    会議名 : European Materials Research Society Spring Meeting
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication of high efficiency LED using moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Sakurai, T. Kondo, F. Teramae, A. Suzuki, T. Kitano, M. Mori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2011年01月
  • タイトル : (一般講演)Realization of high-conversion-efficiency GaInN based solar cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, Y. Kuwahara, T. Fujii, Y. Fujiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2011年01月
  • タイトル : (一般講演)High-InN-molar-fraction Nitride-based Solar Cells using GaInN/GaInN Superlattice
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Fujii, Y. Kuwahara, D. Iida, Y. Fujiyama, Y. Morita, T. Sugiyama, Y. Isobe, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Realization of Extremely Low Leakage Current in AlGaN/GaN HFETs by Pulsed Injection of Mg Source before Growth of Undoped GaN Buffer Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Oshimura, T. Sugiyama, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)GaInN/AlGaN Heterostructure Field-effect Transistors
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Ikki, Y. Isobe, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, A. Bandoh, and T. Udagawa
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Development of High Efficiency 255-350 nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. Pernot, M. Kim, S. Fukahori, T. Inazu, T. Fujita, Y. Nagasawa, A. Hirano, M. Ippommatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Injection Efficiency in AlGaN-based UV Laser Diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagata, K. Takeda, Y. Oshimura, K. Takehara, H. Aoshima, S. Ito, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Transparent Electrode for UV Light-Emitting-Diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Takehara, K. Takeda, K. Nagata, H. Sakurai, S. Ito, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Microstructure of GaInN/GaInN Superlattice on GaN Substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, Y. Kuwabara, Y. Isobe, T. Fujii, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Compensation Effect of Mg-doped a- and c-plane GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, K. Tamura, K. Nonaka, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H.Amano
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Optimization of Initial Growth of the Nonpolar m-plane and a-plane GaN Grown on LPE-GaN Substrates by Na Flux Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Isobe, D. Iida, T. Sakakibara, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : The International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
    開催年月日 : 2010年09月
  • タイトル : (一般講演)Selective formation of porous SiC by anodic method
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Yokoi, F. Teramae, S. Ezaki, T. Nishimura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月
  • タイトル : (一般講演)Transmission-electron-microscope characterization of AlGaN/GaN heterostructure on miscut GaN substrate grown by Na flux method
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sakakibara, Y. Isobe, D. Iida, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano, M. Imada, Y. Kitaoka, Y. Mori
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月
  • タイトル : (一般講演)Reduction in threshold current density of UV laser diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagata, K. Nonaka, T. Ichikawa, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : (一般講演)Microstructure of Thick AlGaN Epilayers Using Mg-doped AlN Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nonaka, T. Asai, K. Ban, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and Z. H. Wu
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication of nitride-based solar cells on freestanding GaN substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : (一般講演)Homoepitaxial growth of m-plane GaN film on miscut GaN substrates grown by Na flux method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Isobe, D. Iida, T. Sakakibara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, M. Imade, Y. Kitaoka, and Y. Mori
    会議名 : The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月
  • タイトル : (一般講演)Optical waveguide layers in UV laser diodes on the low dislocation density AlGaN underlying layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Takeda, T. Ichikawa, K. Nagata, D. Sawato, Y. Ogiso, Y. Oshimura, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H., Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    会議名 : The 37th International Conference of Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : (一般講演)Strain relaxation of AlGaN grown on AlN templates by misfit dislocation generation
    担当区分 : 共著
    講演者 : Z. H. Wu, K. Nonaka, Y. Kawai, T. Asai, F. A. Ponce, C. Q. Chen, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    開催年月日 : 2010年05月
  • タイトル : (一般講演)AlGaN Growth on (100) QUOTE -Ga2O3 by Metal-Organic Vaper Pahse Epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kawai, S. Itoh, K.Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : (一般講演)Ga0.89In0.11N/GaN Double Heterojunction p-i-n Solar Cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : (一般講演)High Temperature Operation of Normally Off AlGaN /GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : (一般講演)Growth of GaInN films by raised pressure MOVPE at 200kPa
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, K. Nagata, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : ISPlasma2010
    開催年月日 : 2010年03月
  • タイトル : (一般講演)Enhancement of light extraction efficiency on blue light-emitting diodes by moth-eye structure
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, Y. Kaneko, R. Kawai, K. Teshima, S. Maeda, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2010年01月
  • タイトル : (一般講演)Reduction in operating voltage of UV laser diode
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Ichikawa, K. Takeda, Y. Ogiso, K. Nagata, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Yoshida, M. Kuwabara, Y. Yamashita, and H. Kan
    会議名 : SPIE Photonic West
    開催年月日 : 2010年01月
  • タイトル : (一般講演)Realization of Extreme Light Extraction Efficiency for Moth-eye LEDs on SiC substrate using High-reflection Electrode
    担当区分 : 共著
    講演者 : R. Kawai, T. Kondo, A. Suzuki, F. Teramae, T. Kitano, K. Tamura, M. Iwaya, H. Amano, S. Kamiyama, I. Akasaki, M. Chen, A. Li, K. Su
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)AlGaN/GaN HFETs on Fe-doped GaN Substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Oshimura, K. Takeda, T. Sugiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh, T. Udagawa
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Nitride-based Light-emitting Solar Cell
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Threshold Voltage Control using SiNx in Normally Off AlGaN/GaN HFET with p-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S.Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Light-Emitting Diodes with GaInN/GaN Multi-Quantum Wells Grown on (1011) Plane Thick GaInN Template
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Matsubara, R. Kawai, K. Tamura, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)High Pressure MOVPE System with High-Speed Switching Valves for the Realization of High-Quality AlGaNat Low Temperatures
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Internal Quantum Efficiency of GaN/AlGaN Multi Quantum Wells on Different Dislocation Density Underlying Layer
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Takeda, F. Mori, Y. Ogiso, T. Ichikawa, K. Nonaka, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Defects in Highly Mg-Doped AlN
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nonaka, T. Asai, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Growth of GaInN Films by High Pressure MOVPE System at 200kPa
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Iida, K. Nagamatsu, K. Nagata, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)Growth and Characterization of GaN Grown on Moth-Eye Patterned Sapphire Substrates
    担当区分 : 共著
    講演者 : A. Ishihara, H. Sakurai, R. Kawai, T. Kitano, A. Suzuki, T. Kondo, M. Iwaya, H. Amano1, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2009年10月
  • タイトル : (一般講演)High-performance group-III-nitride-based light-emitting solar cells (LESCs)
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya*, Y. Kuwahara, Y. Fujiyama, D. Iida, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The International Conference on Advanced Materials (ICAM)
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : (一般講演)Strain control in GaInN/GaN multiple quantum wells for high-performance green-light emitters
    担当区分 : 共著
    講演者 : M. Iwaya, D. Iida, T. Matsubara, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : E-MRS Fall Meeting
    開催年月日 : 2009年09月
  • タイトル : (一般講演)GaInN/GaN p-i-n Light-Emitting Solar Cells
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Fujiyama, Y. Kuwahara, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : (一般講演)High Efficiency Blue-Violet Light Emission in Porous SiC Produced by Anodic Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Nishimura, K. Miyoshi, F. Teramae, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : (一般講演)Atomic Layer Epitaxy of AlGaN
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M.Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : (一般講演)Temperature Dependence of Normally Off Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with P-GaN Gate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Sugiyama, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2009年08月
  • タイトル : (一般講演)Optical properties of a- and m-plane GaN grown by sidewall epitaxial lateral overgrowth
    担当区分 : 共著
    講演者 : P. P. Paskov, B. Monemar, D. Iida, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    会議名 : Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : (一般講演)Fabrication technique for Moth-Eye structure using low-energy electron-beam projection lithography for high-performance blue-light-emitting diode on SiC substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Seko, S. Mabuchi, F. Teramae, A. Suzuki, Y. Kaneko, K.Ryosuke, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki
    会議名 : Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106)
    開催年月日 : 2009年01月
  • タイトル : (招待講演)In situ X-ray diffraction monitoring of group III nitride growth by MOVPE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Workshop on Ultra-Precision Processing for III-Nitride
    開催年月日 : 2013年10月
  • タイトル : (招待講演)Dislocation density dependence of stimulated emission characteristics in AlGaN/AlN multi-quantum wells
    担当区分 : 共著
    講演者 : 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor
    開催年月日 : 2013年10月
  • タイトル : (招待講演)Growth and characterization of fluorescent SiC as a new phosphor material for general lighting application
    担当区分 : 単著
    講演者 : Symposium on Materials Science for Light Emitting Diodes
    開催年月日 : 2013年10月
  • タイトル : (招待講演)Introduction of the Moth-eye patterned sapphire substrate technology for cost effective high-performance LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : SPIE Photonic west
    開催年月日 : 2013年02月
  • タイトル : (招待講演)Prospect of fluorescent SiC as a rare-earth-free phosphor material
    担当区分 : 単著
    講演者 : S. Kamiyama
    会議名 : European Materials Research Society Spring Meeting
    開催年月日 : 2013年05月
  • タイトル : (招待講演)Fluorescent SiC for white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
    会議名 : 16th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence and 2012 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting (EL2012)
    開催年月日 : 2012年12月
  • タイトル : (招待講演)Potential of SiC as a rare-earth-free fluorescent material
    担当区分 : 単著
    講演者 : S. Kamiyama
    開催年月日 : 2012年12月
  • タイトル : (招待講演)Fluorescent SiC as a rare earth-free phosphor for white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
    会議名 : 2012 Lester Eastman Conference
    開催年月日 : 2012年08月
  • タイトル : (招待講演)Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Syvajarvi and R. Yakimova
    会議名 : European Materials Research Society Spring Meeting
    開催年月日 : 2011年05月
  • タイトル : (招待講演)Fluorescent SiC and its application to white light-emitting diodes
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki, M. Syvajarvi and R. Yakimova
    会議名 : The 7th China International Forum on Solid State Lighting
    開催年月日 : 2010年10月
  • タイトル : (招待講演)Light excitation and extraction in LEDs
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, M. Syvajarvi, and R. Yakimova
    会議名 : Intresseanmalan Sveriges Energiting 2010
    開催年月日 : 2010年03月

社会活動

生涯学習、小学校・中学校・高等学校への教育支援等

  • 2003年10月 愛知教育大学付属高等学校サイエンス・パートナーシップ・プログラム講師
  • 2005年02月 名城大学付属高等学校模擬講義
  • 2006年10月 名城大学付属高等学校SSH講義


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