タイトル : Composite-type rubidium-86 optical-pumping light source
担当区分 : 共著
著者 : N.Kuramochi, S.Naritsuka and N.Oura
誌名 : Optics Letters
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 673 - 75
出版年月 : 1981年
タイトル : Composition dependence of photoluminescence of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
誌名 : J. Appl. Phys
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 553760 - 3764
出版年月 : 1984年
タイトル : Defect-related emissions in photoluminescence spectra of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
誌名 : J. Appl. Phys
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 553765 - 3768
出版年月 : 1984年
タイトル : Influence of growh conditions and alloy composition on deep electron traps of n-AlGaAs grown by MBE
担当区分 : 共著
著者 : K.Yamanaka, S.Naritsuka, M.Mannoh, T.Yuasa, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
誌名 : J. Vac. Sci. Technol
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : B2229 - 232
出版年月 : 1984年
タイトル : Effect of Group V/III Flux Ratio on Lightly Si-Doped AlGaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Y.Nomura, M.Mannoh, M.Mihara, S.Naritsuka, K.Yamanaka, T.Yuasa and M.Ishii
誌名 : J. Electrochemical Society
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1312630 - 2633
出版年月 : 1984年
タイトル : Effects of Growth Conditions on Electron Trap Concentrations in Si-Doped AlGaAs Grown by MBE
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 23L112 - L114
出版年月 : 1984年
タイトル : Pair-groovesubstrate GaAs/AlGaAs multiquantum well lasers by molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : M.Mannoh, T.Yuasa, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
誌名 : Appl. Phys. Lett.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 47728 - 731
出版年月 : 1985年
タイトル : Observation of plasmons coupled with optical phnons in n-AlGaAs by Raman scattering
担当区分 : 共著
著者 : T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, M.Mihara, Y.Nomura and M.Ishii
誌名 : Appl. Phys. Lett
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 46176 - 178
出版年月 : 1985年
タイトル : Effects of Arsenic Sorce on Electron Trap Concentrations in MBE-Grown AlGaAs
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 241324 - 1326
出版年月 : 1985年
タイトル : Submilliampere Lasing of Zn-Diffuzed Mesa Buried-Hetero AlGaAs/GaAs Multiquantum-well Lasers at 77K
担当区分 : 共著
著者 : A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, Y.Kokubun and M.Nakamura
誌名 : Electronics Letters
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 221117 - 1118
出版年月 : 1986年
タイトル : Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type AlGaAs
担当区分 : 共著
著者 : T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
誌名 : Physical Review
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : B331222 - 1232
出版年月 : 1986年
タイトル : Photoluminescence of the 78meV Acceptor in GaAs Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : M.Mihara, M.Mannoh, K.Shinozaki, S.Naritsuka and M.Ishii
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 25L611 - L613
出版年月 : 1986年
タイトル : Characteristics of molecular-beam epitaxially grown pair-groove-substrate gallium arsenide/aluminum gallium arsenide
担当区分 : 共著
著者 : T.Yuasa, M.Mannoh, T.Yamada, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 62764 - 770
出版年月 : 1987年
タイトル : Electron Traps in AlGaAs grown by Molecular-beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Kanamoto, M.Mihara and M.Ishii
誌名 : J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 615062 - 5069
出版年月 : 1987年
タイトル : Effects of Well Number， Cavity Length， and Facet Reflectivity on the Reduction of Threshold Current of GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Lasers
担当区分 : 共著
著者 : A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, N.Sugiyama, Y.Kokubun and M.Nakamura
誌名 : IEEE J. Quantum Electron
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 24635 - 640
出版年月 : 1988年
タイトル : Interface Study on GaAs-on-Si by Transmission Electron Microscopy
担当区分 : 共著
著者 : C.Nozaki, S.Naritsuka, Y.Kokubun and S.Yasuami
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27L293 - L295
出版年月 : 1988年
タイトル : MOCVD Growth of InGaAlP Using Ethyldimethylindium as an In Source and Application to Visible-resion Lasers
担当区分 : 共著
著者 : Y.Nishikawa, S.Naritsuka, M.Ishikawa, M.Suzuki and Y.Kokubun
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104245 - 249
出版年月 : 1990年
タイトル : Photoluminescence Studies on InGaAlP Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, Y.Nishikawa, H.Sugawara, M.Ishikawa and Y.Kokubun
誌名 : J. Electronic Materials
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 20687 - 690
出版年月 : 1991年
タイトル : Barrier height lowering of schottky contacts on AlInAs layers grown by metal-organic chemicalvapor deposition
担当区分 : 共著
著者 : S.Fujita, S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai and Y.Ashizawa
誌名 : J. Appl. Phys
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 731284 - 1287
出版年月 : 1993年
タイトル : Influence of V/III Molar Ratio on Deep Traps in Metalorganic Chemical Vapor Deposition Grown InAlAs Layers
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32L925 - L927
出版年月 : 1993年
タイトル : Electrical Properties and Deep Levels of InAlAs Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 131186 - 192
出版年月 : 1993年
タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of InP by liquid phase epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 146314 - 318
出版年月 : 1995年
タイトル : InP Layer Grown on(001)Silicon Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 34L1432 - L1435
出版年月 : 1995年
タイトル : Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricatd on GaAs Laterally Grown on Si Substrate
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, Y. S. Chang, K. Tachibana and T. Nishinaga
誌名 : Proceedings Electrochemical Society
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 86 - 90
出版年月 : 1997年
タイトル : Interface Supersaturetion in Epitaxyal Lateral Overgrowth
担当区分 : 共著
著者 : Z. Yan, S. Naritsuka and T. Nishinaga
誌名 : Proceedings Electrochemical Society
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 161 - 165
出版年月 : 1997年
タイトル : Microchannel Epitaxy of GaAs on Si (001) Substrates using SiO2 Shadow Mask
担当区分 : 共著
著者 : Y. Matsunaga, K. Toyoda, S. Naritsuka and T. Nishinaga
誌名 : Proceedings Electrochemical Society
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 184 - 188
出版年月 : 1997年
タイトル : Epitaxial Lateral Overgrowth of Wide Dislocation-free GaAs on Si Substrates
担当区分 : 共著
著者 : Y. S. Chang, S. Naritsuka and T. Nishinaga
誌名 : Proceedings Electrochemical Society
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 196 - 200
出版年月 : 1997年
タイトル : The epitaxial growth of high quality GaAs on Si by MBE/LPE hybrid method
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174630 - 634
出版年月 : 1997年
タイトル : Crystallization process of amorphous GaAs buffer-layers in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si(001)substrates
担当区分 : 共著
著者 : Y.Matsunaga, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174635 - 640
出版年月 : 1997年
タイトル : Spatially resolves photoluminescence of laterally overgrown InP on InP-coated Si substrates
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174622 - 629
出版年月 : 1997年
タイトル : Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Y.S.Chang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19218 -
出版年月 : 1998年
タイトル : Step sources in microchannel epitaxy of InP
担当区分 : 共著
著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19211 -
出版年月 : 1998年
タイトル : 3-dimensional calculation of residual stress in InP layers grown by microchannel epitaxy on Si substrates
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, I.Handa and T.Nishinaga
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 375885 -
出版年月 : 1998年
タイトル : Interface supersaturation dependence of step velociey in liquid-phase epitaxy of InP
担当区分 : 共著
著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 198-1991077 -
出版年月 : 1999年
タイトル : Liquid-phase epitaxy(LPE)microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 203459 -
出版年月 : 1999年
タイトル : Two-dimensional nucleation at stacking fault during InP microchannel epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, Z.Yan and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 198-1991082 -
出版年月 : 1999年
タイトル : Interface supersaturetion in microchannel epitaxy of InP
担当区分 : 共著
著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 20325 - 30
出版年月 : 1999年
タイトル : Two-dimensional numerical calculation of solute diffusion in microchannel epitaxy of InP
担当区分 : 共著
著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2091 - 7
出版年月 : 2000年
タイトル : Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, T.Nishinaga, M.Tachikawa and H.Mori
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 211395 - 399
出版年月 : 2000年
タイトル : Coalescence in microchannel epitaxy of InP
担当区分 : 共著
著者 : Z.Yan, Y.Hmaoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2121 - 10
出版年月 : 2000年
タイトル : (111)B growth elimination in GaAs MBE of (001)-(111)B mesa structure by suppressing 2D-nucleation
担当区分 : 共著
著者 : D.Kishimoto, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda, Y.Nakamura and H.Sakaki
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 212373 - 378
出版年月 : 2000年
タイトル : Vertical Bridgman growth of AlxGa1-xSb single crystals
担当区分 : 共著
著者 : W.D.Huang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 213207 - 213
出版年月 : 2000年
タイトル : 2D-nucleation of (111)B micro-facet studied by microprobe-RHEED in GaAs MBE for mesa-structure fabrication
担当区分 : 共著
著者 : D.Kishimoto, T.Ogura, A.Yamashiki, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda and H.Sakaki
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2161 - 5
出版年月 : 2000年
タイトル : Ab initio calculation on the dissociative reaction of As4 molecules
担当区分 : 共著
著者 : K.Toyoda, Y.S.Hiraoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 159-160360 - 367
出版年月 : 2001年
タイトル : Comparative ground experiment of GaSb : Te melt growth to the space experiment by Chinese recoverable satellite
担当区分 : 共著
著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
誌名 : J. Jpn. Soc. Microgravity
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1826 - 28
出版年月 : 2001年
タイトル : Intersarface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
誌名 : J.Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 22214 - 19
出版年月 : 2001年
タイトル : AlSb Compositional Nonuniformity Induced by the Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of AlxGa1-xSb
担当区分 : 共著
著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 404648 - 4651
出版年月 : 2001年
タイトル : Microchannel epitaxy of GaAs from parallel and nonparallel seeds
担当区分 : 共著
著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 405373 - 5376
出版年月 : 2001年
タイトル : A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Y. Matusnaga, S. Naritsuka and T. Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237-2391460 - 1465
出版年月 : 2002年
タイトル : Room-temperature pulsed oscillation of an AlGaAs-based multi-quantum-well laser fabricated on a GaAs microchannel epitaxy (MCE) layer on Si
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, Y. Mochizuki, K. Motodohi, S. Ohya, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Asakawa, W. D. Huang, and T. Nishinaga
誌名 : J. Research Institute of Meijo University
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 177 - 82
出版年月 : 2002年
タイトル : Start of 2D nucleation by accumulation of Ga adatoms GaAs (111)B facet
担当区分 : 共著
著者 : D. Kishimoto, T. Nishinaga, S. Naritsuka and H. Sakaki
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 24052 - 56
出版年月 : 2002年
タイトル : リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー 入射角の効果
担当区分 : 共著
著者 : 鈴木喬， 丸山隆浩， 成塚重弥， 西永頌 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 29(2) : 21 -
出版年月 : 2002年
タイトル : MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム
担当区分 : 共著
著者 : 成塚重弥， 小林理， 光田和弘， 丸山隆浩， 西永頌 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 29(2) : 22 -
出版年月 : 2002年
タイトル : ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長
担当区分 : 共著
著者 : 丸山隆浩， 松田圭司， 宰川法息， 成塚重弥 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 30(3) : 14 -
出版年月 : 2003年
タイトル : Crystallization mechanism of amorphous GaAs buffer layers on Si (001)
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, Y. Matsunaga and T. Nishinaga
誌名 : J. Research Institute of Meijo University
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 21 - 8
出版年月 : 2003年
タイトル : Beam induced lateral epitaxy: a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : T. Suzuki, S. Naritsuka, T. Maruyama and T. Nishinaga
誌名 : Cryst. Res. Technol.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38614 - 618
出版年月 : 2003年
タイトル : Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, O. Kobayashi, K. Mitsuda and T. Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 254310 - 315
出版年月 : 2003年
タイトル : Numerical model for Oxygen incorporation in AlGaAs layer grown by molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, O. Kobayashi and T. Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42L1041 - L1043
出版年月 : 2003年
タイトル : 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価
担当区分 : 共著
著者 : 水谷充宏， 寺前文晴， 成塚重弥， 丸山隆浩 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 143 -
出版年月 : 2004年
タイトル : LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製
担当区分 : 共著
著者 : 松田圭司， 丸山隆浩， 成塚重弥 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 226 -
出版年月 : 2004年
タイトル : GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製
担当区分 : 共著
著者 : 山本陽， BAN H， 丸山隆浩， 成塚重弥 (名城大)， 斎藤弘智， 近藤俊行 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 227 -
出版年月 : 2004年
タイトル : ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長
担当区分 : 共著
著者 : 成塚重弥， 斎藤弘智， 鈴木喬， 近藤俊行， 丸山隆浩 (名城大 理工)
誌名 : 日本結晶成長学会誌
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 241 - 242
出版年月 : 2004年
タイトル : Simulation of Three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, M. Okada and and T. Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 433289 - 3292
出版年月 : 2004年
タイトル : Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, T. Suzuki, K. Saitoh, T. Maruyama and T. Nishinaga
誌名 : J. Crystal Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27664 - 71
出版年月 : 2004年
タイトル : Beam induced lateral epitaxy of GaAs on a GaAs/Si template
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, K. Saitoh, T. Kondo, T. Maruyama
誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 829461 - 466
出版年月 : 2005年
タイトル : Lithography of nanometer-size pattern in surface oxide of GaAs using ultrahigh-vacuum scanning tunnel microscope
担当区分 : 共著
著者 : H. Uemura, Y. Ito, Y. Kawamura, T. Maruyama and S.Naritsuka
誌名 : Journal of Research Institute of Meijo University
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4133 - 139
出版年月 : 2005年
タイトル : Structurul Properties of Eu Doped GaN and Its Realtion with Luminescence Properties
担当区分 : 共著
著者 : H. Bang, T. Maruyama, S. Naritsuka and K. Akimoto
誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 831197 - 201
出版年月 : 2005年
タイトル : New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation
担当区分 : 共著
著者 : S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda and T.Nishinaga
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 441669 - 1672
出版年月 : 2005年
タイトル : Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate
担当区分 : 共著
著者 : K. Saitoh, T. Suzuki, T. maruyama and S. Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27751 - 56
出版年月 : 2005年
タイトル : Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(110) by LPE
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, K. Matsuda and N. Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 275e2115 - e2160
出版年月 : 2005年
タイトル : Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : T. Kondo, K. Saito, Y. Yamamoto, T. Maruyama and S. Naritsuka
誌名 : phys. stat. sol. (c)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31700 - 1703
出版年月 : 2006年
タイトル : Scanning-tunneling-microscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-0)
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, H. Bang, Y. Kawamura, N. Fujita, K. Tanioku, T. Shiraiwa, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
誌名 : Chem. Phys. Lett.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 423317 - 320
出版年月 : 2006年
タイトル : Precise control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structural Growth Using Molecular Beam Epitaxy In Situ Reflectance Monitor
担当区分 : 共著
著者 : M. Mizutani, F. Teramae, K. Takeuchi, T. Murase, S. Naritsuka and T. Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45(4B) : 3552 - 3555
出版年月 : 2006年
タイトル : Precise control of growth of DBR by MBE using in-situ reflectance monitoring system
担当区分 : 共著
著者 : M. Mizutani, F. Teramae, O. Kobayashi, S. Naritsuka and T. Maruyama
誌名 : phys. stat. sol., (c)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3659 - 662
出版年月 : 2006年
タイトル : Fabrication of nitrided mask on GaAs surface and its machinability in STM lithography
担当区分 : 共著
著者 : Y. Yamamoto, S. Matsuoka, T. Kondo, T. Maruyama and S. Naritsuka
誌名 : Materials Reserch Society Symposium Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 891157 - 162
出版年月 : 2006年
タイトル : STM Observation of Formation Process of Carbon Nanotube from 6H-SiC (000-0)
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, K. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
誌名 : Materials Reserch Society Symposium Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 901E -
出版年月 : 2006年
タイトル : Observation of Nanosized Caps Structures on 6H-SiC(0000) Substrates by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy
担当区分 : 共著
著者 : H. Bang, Y. Ito, Y. Kawamura, E. Hosoda, C. Yoshida, T. Maruyama, S. Naritsuka and M. Kusunoki
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45372 - 374
出版年月 : 2006年
タイトル : Characterization of Small-Diameter Nanotubes and Carbon Nanocaps on SiC(000-0) Using Raman Spectroscopy
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, T. Shiraiwa, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka and M. Kusunoki
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 457231 - 7233
出版年月 : 2006年
タイトル : Study of lateral growth of AlGaAs microchannel epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Atsushi Hattori, Shigeya Naritsuka, Kei Tsuge and Takahiro Maruyama
誌名 : Journal of Research Institute of Meijo University
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 697 - 104
出版年月 : 2007年
タイトル : In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (110) Si substrates
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto and T. Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 300(1) : 118 - 122
出版年月 : 2007年
タイトル : Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (110)B GaAs substrate
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, K. Saitoh, T. Suzuki, Y. Yamamoto and T. Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 301-30242 - 46
出版年月 : 2007年
タイトル : Fabrication of GaN dot structure by droplet epitaxy using NH2
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto, S. Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 301-302486 - 489
出版年月 : 2007年
タイトル : STM and XPS studies of early stages of carbon nanotube growth by surface decomposition of 6H-SiC(000-0) under various oxygen pressures
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, H. Bang, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka, M. Kusunoki
誌名 : Diamond & Related Materials
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 161078 - 1081
出版年月 : 2007年
タイトル : GaAs/ c-GaN/ GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique
担当区分 : 共著
著者 : Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
誌名 : Phys. Stat. sol.(c)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42326 - 2329
出版年月 : 2007年
タイトル : Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(110) by droplet epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama and S. Naritsuka
誌名 : Phys. Stat. sol.(c)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42322 - 2325
出版年月 : 2007年
タイトル : Low Temperature Synthesis of Carbon Nanotube on Si substrate Using Alcohol Gas Source in High Vacuum
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Kenji Tanioku, Shigeya Naritsuka
誌名 : Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1057II14-03 -
出版年月 : 2008年
タイトル : Effects of Ambient Oxygen on Initial Stage of Carbon Nanotube Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-0)
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Naomi Fujita, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
誌名 : Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1057II05-26 -
出版年月 : 2008年
タイトル : Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3101642 - 1646
出版年月 : 2008年
タイトル : Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (000) GaAs substrates
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3101571 - 1575
出版年月 : 2008年
タイトル : Low temperature growth of carbon nanotubes on Si substrates in high vacuum
担当区分 : 共著
著者 : Kenji Tanioku, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : Diamond Relat. Mater.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 17589 - 593
出版年月 : 2008年
タイトル : マイクロチャネルエピタキシーによるSi基板上GaAsの結晶成長
担当区分 : 単著
著者 : 成塚重弥
誌名 : 応用物理
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 78422 - 426
出版年月 : 2009年
タイトル : Enhancement of Single-walled Carbon Nanotube Formation using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, Kuninori Sato and Shigeya Naritsuka
誌名 : Materials Reserch Society Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1142 -
出版年月 : 2009年
タイトル : Improvement of Carbon Nanotube Films on SiC Formed by Surface Decomposition by Hydrogen Perooxide Purification
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Fumiya Nakamura and Shigeya Naritsuka
誌名 : Materials Reserch Society Proceedings
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1204 -
出版年月 : 2009年
タイトル : Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (000) GaAs substrate
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111778 - 1782
出版年月 : 2009年
タイトル : Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112992 - 2995
出版年月 : 2009年
タイトル : Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum
担当区分 : 共著
著者 : T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104095 - 4101
出版年月 : 2010年
タイトル : Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
担当区分 : 共著
著者 : Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 103929 - 3933
出版年月 : 2010年
タイトル : Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC (000-1)
担当区分 : 共著
著者 : K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, S. Naritsuka
誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104054 - 4059
出版年月 : 2010年
タイトル : Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate
担当区分 : 共著
著者 : Yung-Sheng Chang, Shegeya Naritsuka, Tatau Nishinaga
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 312629 - 634
出版年月 : 2010年
タイトル : SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al1Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
担当区分 : 共著
著者 : Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3181101 - 1104
出版年月 : 2011年
タイトル : Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 318446 - 449
出版年月 : 2011年
タイトル : Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 318450 - 453
出版年月 : 2011年
タイトル : Effect of mask material on selective growth of GaN by RF-MBE
担当区分 : 共著
著者 : Yuki Nagae, Takenori Iwatsuki, Yuya Shirai, Yuki Osawa, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32488 - 92
出版年月 : 2011年
タイトル : XPS study of nitridation mechanism of GaAs (001) surface by RF-radical source
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
誌名 : physica status solidi (c)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 8291 - 293
出版年月 : 2011年
タイトル : Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC: STM and NEXAFS study
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Kenta Amemiya
誌名 : Diamond & Related Materials
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 201325 - 328
出版年月 : 2011年
タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Sumio Iijima
誌名 : Materials Express
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1267 - 272
出版年月 : 2011年
タイトル : XPS study of Low Temperature Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical source
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51015602-1 - 015602-4
出版年月 : 2012年
タイトル : X-ray photoemission spectroscopy study of GaAs (110)B substrate naitridation using an RF-radical source
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi and Takahiro Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51048004-1 - 048004-2
出版年月 : 2012年
タイトル : Band alignment of a carbon nanotube/n-type 5H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi
誌名 : Appl. Phys. Lett.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 101092106-1 - 092106-4
出版年月 : 2012年
タイトル : Surface modification of GaN substrate by atmospheric pressure microplasma
担当区分 : 共著
著者 : Kazuo Shimizu, Yuta Noma, Marius Blajan, Shigeya Naritsuka
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5108HB05-1 - 08HB05-5
出版年月 : 2012年
タイトル : Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method
担当区分 : 共著
著者 : Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5106FD23-1 - 06FD23-4
出版年月 : 2012年
タイトル : Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 352214 - 217
出版年月 : 2012年
タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on SiO1/Si substrates at very low pressures by the alcohol gas source method using a Pt catalyst
担当区分 : 共著
著者 : Yoshihiro Mizutani, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
誌名 : Diamond & Relat. Mater.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2678 - 82
出版年月 : 2012年
タイトル : Near-edge X-ray absorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubes grown by the surface decomposition of SiC
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, Toshiaki Ohta
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51055102-1 - 055102-3
出版年月 : 2012年
タイトル : Direct Growth of Carbon Nanotubes on ZnO(000-0) Substrate Surface using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
担当区分 : 共著
著者 : Takayasu Iokawa, Tomoyuki Tsutsui, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5101AH04-1 - 01AH04-4
出版年月 : 2012年
タイトル : Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy of a-Plane GaN Grown by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
誌名 : Applied Physics Express
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5045501-1 - 045501-3
出版年月 : 2012年
タイトル : Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama
誌名 : physica status solidi ©
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 10392 - 395
出版年月 : 2013年
タイトル : Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
誌名 : J. Crystal. Growth
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 378303 - 306
出版年月 : 2013年
タイトル : Effect of Supply Direction of Precursors on a-Plane GaN Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
担当区分 : 共著
著者 : Shota Uchiyama, Chia-Hung Lin, Yohei Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5209JE04 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Study of Thermal Crystallization of Ni Catalysis for Graphene CVD
担当区分 : 共著
著者 : Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
誌名 : J. Res. Inst. Meijo Univ.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1243 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure
担当区分 : 共著
著者 : Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Res. Inst. Meijo Univ.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1299 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Study on Surface Modifikation of GaN by Atmospheric Microplasma
担当区分 : 共著
著者 : K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka
誌名 : IEEE Transactions on Industry Applications
出版年月 : 2013年
タイトル : Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
担当区分 : 共著
著者 : Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5206GD02 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Formation of Carbon Nanotube/n-type 5H-SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC and Its Electric Properties
担当区分 : 共著
著者 : Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi, and Takahiro Maruyama
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5206GD01 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalysts by Alcohol Gas Source Method
担当区分 : 共著
著者 : Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
誌名 : 2012 MRS Fall Meeting Proceedings, Manuscript ID MRSF13-1659-SS04-02.R1
出版年月 : 2013年
タイトル : Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by the Alcohol Gas Source Method under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence
担当区分 : 共著
著者 : Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, and Shigyea Naritsuka
誌名 : Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38(4) : 585 -
出版年月 : 2013年
タイトル : Behavior of defects in a-plane GaN films grown by low-angle-incidence microchannel epitaxy (LAIMCE)
担当区分 : 共著
著者 : Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki, and Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth, (in Press)
出版年月 : 2014年
タイトル : Selective growth of (001) GaAs using a patterned graphene mask
担当区分 : 共著
著者 : Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
誌名 : J. Cryst. Growth, (in Press)
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 401(9) : 563 - 566
出版年月 : 2014年
タイトル : Selective growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using aluminium oxide mask
担当区分 : 共著
著者 : Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Junpei Yamada, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
[巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53(11s) : 11RC06-1 - 11RC06-4.
出版年月 : 2014年
