成塚 重弥 ナリツカ シゲヤ

■所属
理工学部 材料機能工学科
■職名
教授
■生年月日
1956/10/22
■性別
男性

基本情報

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻 教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻 教授

学歴

  • 1996/03 東京大学大学院 工学系研究科 電子工学専攻博士課程 修了
  • 1996/03- 

現在所属している学会

  • 応用物理学会
  • 日本物理学会
  • 日本結晶成長学会
  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

研究活動

研究分野

  • 応用物性・結晶工学 / 結晶成長工学
  • 電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス工学

教育研究への取り組み・抱負

  • 授業は知識の習得ばかりでなく、学生が考える力を習得できるよう心がけている。研究活動は、結晶成長をキーワードに、未来を切り拓く【光電子集積回路(OEIC)の要素技術】の開発、マイクロチャンネルエピタキシーを用いたGaNの無転位化、グラフェンの配線材料への応用などをおこなっている。未知へ挑戦する研究活動を通し、学生が研究力を身につけることを目指す。企業の中央研究所、国の大型プロジェクトの経験を学生の教育に反映したい。

著書

  • タイトル : Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC
    著者 : Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    出版社 : In Tech 社
    出版年月 : 2011年07月
    担当区分 : 共著
    担当範囲 : pp.29-46
  • タイトル : Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC”, (Research Progress in Materials Science
    著者 : Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
    出版社 : NOVA Science Publishers
    出版年月 : 2009年
    担当区分 : 共著
    担当範囲 : pp.131-148
  • タイトル : 薄膜ハンドブック(第2版)
    著者 : 日本学術振興会 薄膜第131委員会編
    出版年月 : 2008年
    担当区分 : 共著
  • タイトル : 結晶成長学辞典
    著者 : 成塚 重弥
    出版社 : 共立出版
    出版年月 : 2001年
    担当区分 : 共著
  • タイトル : アドバンストエレクトロニクスシリーズ I-18「結晶成長の基礎」
    著者 : 成塚 重弥
    出版社 : 培風館
    出版年月 : 1997年
    担当区分 : 共著
  • タイトル : 固体電子物性
    出版社 : オーム社
    出版年月 : 2009年10月
    担当区分 : 共著
    担当範囲 : pp.18-41
  • タイトル : 表面科学の基礎と応用
    著者 : 成塚重弥 他
    出版社 : (株)エヌ・ティー・エス
    出版年月 : 2004年06月
    担当区分 : 共著
  • タイトル : Growth of Crystals for Modern Technology
    著者 : I.Sunagawa,M.Hosaka,Young Kuk-Lee,H.Komatsu,T.Nishinaga, S.Naritsuka, S.Ohishi, R.C.Fang et al.
    出版社 : William Andrew/ Springer社
    出版年月 : 2003年02月
    担当区分 : 共著
    担当範囲 : pp.55-92

学術論文

  • タイトル : Composite-type rubidium-86 optical-pumping light source
    担当区分 : 共著
    著者 : N.Kuramochi, S.Naritsuka and N.Oura
    誌名 : Optics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 673 - 75
    出版年月 : 1981年
  • タイトル : Composition dependence of photoluminescence of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
    誌名 : J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 553760 - 3764
    出版年月 : 1984年
  • タイトル : Defect-related emissions in photoluminescence spectra of AlGaAs grown by molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M.Mihara, Y.Nomura, M.Mannoh, K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Shinozaki, T.Yuasa and M.Ishii
    誌名 : J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 553765 - 3768
    出版年月 : 1984年
  • タイトル : Influence of growh conditions and alloy composition on deep electron traps of n-AlGaAs grown by MBE
    担当区分 : 共著
    著者 : K.Yamanaka, S.Naritsuka, M.Mannoh, T.Yuasa, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
    誌名 : J. Vac. Sci. Technol
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : B2229 - 232
    出版年月 : 1984年
  • タイトル : Effect of Group V/III Flux Ratio on Lightly Si-Doped AlGaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y.Nomura, M.Mannoh, M.Mihara, S.Naritsuka, K.Yamanaka, T.Yuasa and M.Ishii
    誌名 : J. Electrochemical Society
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1312630 - 2633
    出版年月 : 1984年
  • タイトル : Effects of Growth Conditions on Electron Trap Concentrations in Si-Doped AlGaAs Grown by MBE
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 23L112 - L114
    出版年月 : 1984年
  • タイトル : Pair-groovesubstrate GaAs/AlGaAs multiquantum well lasers by molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M.Mannoh, T.Yuasa, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
    誌名 : Appl. Phys. Lett.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 47728 - 731
    出版年月 : 1985年
  • タイトル : Observation of plasmons coupled with optical phnons in n-AlGaAs by Raman scattering
    担当区分 : 共著
    著者 : T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, M.Mihara, Y.Nomura and M.Ishii
    誌名 : Appl. Phys. Lett
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 46176 - 178
    出版年月 : 1985年
  • タイトル : Effects of Arsenic Sorce on Electron Trap Concentrations in MBE-Grown AlGaAs
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, K.Yamanaka, M.Mannoh, M.Mihara and M.Ishii
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 241324 - 1326
    出版年月 : 1985年
  • タイトル : Submilliampere Lasing of Zn-Diffuzed Mesa Buried-Hetero AlGaAs/GaAs Multiquantum-well Lasers at 77K
    担当区分 : 共著
    著者 : A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, Y.Kokubun and M.Nakamura
    誌名 : Electronics Letters
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 221117 - 1118
    出版年月 : 1986年
  • タイトル : Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type AlGaAs
    担当区分 : 共著
    著者 : T.Yuasa, S.Naritsuka, M.Mannoh, K.Shinozaki, K.Yamanaka, Y.Nomura, M.Mihara and M.Ishii
    誌名 : Physical Review
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : B331222 - 1232
    出版年月 : 1986年
  • タイトル : Photoluminescence of the 78meV Acceptor in GaAs Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : M.Mihara, M.Mannoh, K.Shinozaki, S.Naritsuka and M.Ishii
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 25L611 - L613
    出版年月 : 1986年
  • タイトル : Characteristics of molecular-beam epitaxially grown pair-groove-substrate gallium arsenide/aluminum gallium arsenide
    担当区分 : 共著
    著者 : T.Yuasa, M.Mannoh, T.Yamada, S.Naritsuka, K.Shinozaki and M.Ishii
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 62764 - 770
    出版年月 : 1987年
  • タイトル : Electron Traps in AlGaAs grown by Molecular-beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : K.Yamanaka, S.Naritsuka, K.Kanamoto, M.Mihara and M.Ishii
    誌名 : J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 615062 - 5069
    出版年月 : 1987年
  • タイトル : Effects of Well Number, Cavity Length, and Facet Reflectivity on the Reduction of Threshold Current of GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Lasers
    担当区分 : 共著
    著者 : A.Kurobe, H.Furuyama, S.Naritsuka, N.Sugiyama, Y.Kokubun and M.Nakamura
    誌名 : IEEE J. Quantum Electron
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 24635 - 640
    出版年月 : 1988年
  • タイトル : Interface Study on GaAs-on-Si by Transmission Electron Microscopy
    担当区分 : 共著
    著者 : C.Nozaki, S.Naritsuka, Y.Kokubun and S.Yasuami
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27L293 - L295
    出版年月 : 1988年
  • タイトル : MOCVD Growth of InGaAlP Using Ethyldimethylindium as an In Source and Application to Visible-resion Lasers
    担当区分 : 共著
    著者 : Y.Nishikawa, S.Naritsuka, M.Ishikawa, M.Suzuki and Y.Kokubun
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104245 - 249
    出版年月 : 1990年
  • タイトル : Photoluminescence Studies on InGaAlP Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, Y.Nishikawa, H.Sugawara, M.Ishikawa and Y.Kokubun
    誌名 : J. Electronic Materials
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 20687 - 690
    出版年月 : 1991年
  • タイトル : Barrier height lowering of schottky contacts on AlInAs layers grown by metal-organic chemicalvapor deposition
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Fujita, S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai and Y.Ashizawa
    誌名 : J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 731284 - 1287
    出版年月 : 1993年
  • タイトル : Influence of V/III Molar Ratio on Deep Traps in Metalorganic Chemical Vapor Deposition Grown InAlAs Layers
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32L925 - L927
    出版年月 : 1993年
  • タイトル : Electrical Properties and Deep Levels of InAlAs Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, T.Noda, A.Wagai, S.Fujita, and Y.Ashizawa
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 131186 - 192
    出版年月 : 1993年
  • タイトル : Epitaxial lateral overgrowth of InP by liquid phase epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 146314 - 318
    出版年月 : 1995年
  • タイトル : InP Layer Grown on(001)Silicon Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 34L1432 - L1435
    出版年月 : 1995年
  • タイトル : Vertical Cavity Surface Emitting Laser Fabricatd on GaAs Laterally Grown on Si Substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, Y. S. Chang, K. Tachibana and T. Nishinaga
    誌名 : Proceedings Electrochemical Society
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 86 - 90
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Interface Supersaturetion in Epitaxyal Lateral Overgrowth
    担当区分 : 共著
    著者 : Z. Yan, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    誌名 : Proceedings Electrochemical Society
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 161 - 165
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Microchannel Epitaxy of GaAs on Si (001) Substrates using SiO2 Shadow Mask
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Matsunaga, K. Toyoda, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    誌名 : Proceedings Electrochemical Society
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 184 - 188
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Epitaxial Lateral Overgrowth of Wide Dislocation-free GaAs on Si Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. S. Chang, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    誌名 : Proceedings Electrochemical Society
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 196 - 200
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : The epitaxial growth of high quality GaAs on Si by MBE/LPE hybrid method
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174630 - 634
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Crystallization process of amorphous GaAs buffer-layers in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si(001)substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : Y.Matsunaga, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174635 - 640
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Spatially resolves photoluminescence of laterally overgrown InP on InP-coated Si substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 174622 - 629
    出版年月 : 1997年
  • タイトル : Optimization of growth condition for wide dislocation-free GaAs on Si substrate by microchannel epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y.S.Chang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19218 -
    出版年月 : 1998年
  • タイトル : Step sources in microchannel epitaxy of InP
    担当区分 : 共著
    著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 19211 -
    出版年月 : 1998年
  • タイトル : 3-dimensional calculation of residual stress in InP layers grown by microchannel epitaxy on Si substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, I.Handa and T.Nishinaga
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 375885 -
    出版年月 : 1998年
  • タイトル : Interface supersaturation dependence of step velociey in liquid-phase epitaxy of InP
    担当区分 : 共著
    著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 198-1991077 -
    出版年月 : 1999年
  • タイトル : Liquid-phase epitaxy(LPE)microchannel epitaxy of InP with high reproducibility achieved by predeposition of In thin layer
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 203459 -
    出版年月 : 1999年
  • タイトル : Two-dimensional nucleation at stacking fault during InP microchannel epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, Z.Yan and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 198-1991082 -
    出版年月 : 1999年
  • タイトル : Interface supersaturetion in microchannel epitaxy of InP
    担当区分 : 共著
    著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 20325 - 30
    出版年月 : 1999年
  • タイトル : Two-dimensional numerical calculation of solute diffusion in microchannel epitaxy of InP
    担当区分 : 共著
    著者 : Z.Yan, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2091 - 7
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : Optimization of InP microchannel epitaxy on Si substrate achieved by addition of upper source
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, T.Nishinaga, M.Tachikawa and H.Mori
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 211395 - 399
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : Coalescence in microchannel epitaxy of InP
    担当区分 : 共著
    著者 : Z.Yan, Y.Hmaoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2121 - 10
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : (111)B growth elimination in GaAs MBE of (001)-(111)B mesa structure by suppressing 2D-nucleation
    担当区分 : 共著
    著者 : D.Kishimoto, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda, Y.Nakamura and H.Sakaki
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 212373 - 378
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : Vertical Bridgman growth of AlxGa1-xSb single crystals
    担当区分 : 共著
    著者 : W.D.Huang, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 213207 - 213
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : 2D-nucleation of (111)B micro-facet studied by microprobe-RHEED in GaAs MBE for mesa-structure fabrication
    担当区分 : 共著
    著者 : D.Kishimoto, T.Ogura, A.Yamashiki, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda and H.Sakaki
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2161 - 5
    出版年月 : 2000年
  • タイトル : Ab initio calculation on the dissociative reaction of As4 molecules
    担当区分 : 共著
    著者 : K.Toyoda, Y.S.Hiraoka, S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 159-160360 - 367
    出版年月 : 2001年
  • タイトル : Comparative ground experiment of GaSb : Te melt growth to the space experiment by Chinese recoverable satellite
    担当区分 : 共著
    著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    誌名 : J. Jpn. Soc. Microgravity
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1826 - 28
    出版年月 : 2001年
  • タイトル : Intersarface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka and T.Nishinaga
    誌名 : J.Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 22214 - 19
    出版年月 : 2001年
  • タイトル : AlSb Compositional Nonuniformity Induced by the Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of AlxGa1-xSb
    担当区分 : 共著
    著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 404648 - 4651
    出版年月 : 2001年
  • タイトル : Microchannel epitaxy of GaAs from parallel and nonparallel seeds
    担当区分 : 共著
    著者 : W.D.Huang, T.Nishinaga and S.Naritsuka
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 405373 - 5376
    出版年月 : 2001年
  • タイトル : A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Matusnaga, S. Naritsuka and T. Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 237-2391460 - 1465
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : Room-temperature pulsed oscillation of an AlGaAs-based multi-quantum-well laser fabricated on a GaAs microchannel epitaxy (MCE) layer on Si
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, Y. Mochizuki, K. Motodohi, S. Ohya, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Asakawa, W. D. Huang, and T. Nishinaga
    誌名 : J. Research Institute of Meijo University
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 177 - 82
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : Start of 2D nucleation by accumulation of Ga adatoms GaAs (111)B facet
    担当区分 : 共著
    著者 : D. Kishimoto, T. Nishinaga, S. Naritsuka and H. Sakaki
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 24052 - 56
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー 入射角の効果
    担当区分 : 共著
    著者 : 鈴木喬, 丸山隆浩, 成塚重弥, 西永頌 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 29(2) : 21 -
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム
    担当区分 : 共著
    著者 : 成塚重弥, 小林理, 光田和弘, 丸山隆浩, 西永頌 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 29(2) : 22 -
    出版年月 : 2002年
  • タイトル : ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長
    担当区分 : 共著
    著者 : 丸山隆浩, 松田圭司, 宰川法息, 成塚重弥 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 30(3) : 14 -
    出版年月 : 2003年
  • タイトル : Crystallization mechanism of amorphous GaAs buffer layers on Si (001)
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, Y. Matsunaga and T. Nishinaga
    誌名 : J. Research Institute of Meijo University
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 21 - 8
    出版年月 : 2003年
  • タイトル : Beam induced lateral epitaxy: a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Suzuki, S. Naritsuka, T. Maruyama and T. Nishinaga
    誌名 : Cryst. Res. Technol.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38614 - 618
    出版年月 : 2003年
  • タイトル : Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, O. Kobayashi, K. Mitsuda and T. Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 254310 - 315
    出版年月 : 2003年
  • タイトル : Numerical model for Oxygen incorporation in AlGaAs layer grown by molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, O. Kobayashi and T. Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42L1041 - L1043
    出版年月 : 2003年
  • タイトル : 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価
    担当区分 : 共著
    著者 : 水谷充宏, 寺前文晴, 成塚重弥, 丸山隆浩 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 143 -
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製
    担当区分 : 共著
    著者 : 松田圭司, 丸山隆浩, 成塚重弥 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 226 -
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製
    担当区分 : 共著
    著者 : 山本陽, BAN H, 丸山隆浩, 成塚重弥 (名城大), 斎藤弘智, 近藤俊行 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 227 -
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長
    担当区分 : 共著
    著者 : 成塚重弥, 斎藤弘智, 鈴木喬, 近藤俊行, 丸山隆浩 (名城大 理工)
    誌名 : 日本結晶成長学会誌
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31(3) : 241 - 242
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : Simulation of Three-Dimensional Stress in GaAs Microchannel Epitaxy Layer on Si Substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, M. Okada and and T. Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 433289 - 3292
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : Growth mechanism of beam induced lateral epitaxy on (001) GaAs substrate in molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, T. Suzuki, K. Saitoh, T. Maruyama and T. Nishinaga
    誌名 : J. Crystal Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27664 - 71
    出版年月 : 2004年
  • タイトル : Beam induced lateral epitaxy of GaAs on a GaAs/Si template
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, K. Saitoh, T. Kondo, T. Maruyama
    誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 829461 - 466
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : Lithography of nanometer-size pattern in surface oxide of GaAs using ultrahigh-vacuum scanning tunnel microscope
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Uemura, Y. Ito, Y. Kawamura, T. Maruyama and S.Naritsuka
    誌名 : Journal of Research Institute of Meijo University
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 4133 - 139
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : Structurul Properties of Eu Doped GaN and Its Realtion with Luminescence Properties
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Bang, T. Maruyama, S. Naritsuka and K. Akimoto
    誌名 : Materials Research Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 831197 - 201
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : New Technique for Suppressing Oxygen Impurity in AlGaAs Layer during Molecular Beam Epitaxy by Surface Segregation
    担当区分 : 共著
    著者 : S.Naritsuka, O.Kobayashi, K.Mitsuda and T.Nishinaga
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 441669 - 1672
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Saitoh, T. Suzuki, T. maruyama and S. Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 27751 - 56
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : Multinuclear layer-by-layer growth on Ge(110) by LPE
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, K. Matsuda and N. Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 275e2115 - e2160
    出版年月 : 2005年
  • タイトル : Fabrication of GaN dot structures on Si substrates by droplet epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Kondo, K. Saito, Y. Yamamoto, T. Maruyama and S. Naritsuka
    誌名 : phys. stat. sol. (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 31700 - 1703
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Scanning-tunneling-microscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-0)
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, H. Bang, Y. Kawamura, N. Fujita, K. Tanioku, T. Shiraiwa, Y. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    誌名 : Chem. Phys. Lett.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 423317 - 320
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Precise control of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Structural Growth Using Molecular Beam Epitaxy In Situ Reflectance Monitor
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Mizutani, F. Teramae, K. Takeuchi, T. Murase, S. Naritsuka and T. Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45(4B) : 3552 - 3555
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Precise control of growth of DBR by MBE using in-situ reflectance monitoring system
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Mizutani, F. Teramae, O. Kobayashi, S. Naritsuka and T. Maruyama
    誌名 : phys. stat. sol., (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3659 - 662
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Fabrication of nitrided mask on GaAs surface and its machinability in STM lithography
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Yamamoto, S. Matsuoka, T. Kondo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    誌名 : Materials Reserch Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 891157 - 162
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : STM Observation of Formation Process of Carbon Nanotube from 6H-SiC (000-0)
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, Y. Kawamura, H. Bang, N. Fujita, T. Shiraiwa, K. Tanioku, K. Hozumi, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    誌名 : Materials Reserch Society Symposium Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 901E -
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Observation of Nanosized Caps Structures on 6H-SiC(0000) Substrates by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Bang, Y. Ito, Y. Kawamura, E. Hosoda, C. Yoshida, T. Maruyama, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 45372 - 374
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Characterization of Small-Diameter Nanotubes and Carbon Nanocaps on SiC(000-0) Using Raman Spectroscopy
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, T. Shiraiwa, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka and M. Kusunoki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 457231 - 7233
    出版年月 : 2006年
  • タイトル : Study of lateral growth of AlGaAs microchannel epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Atsushi Hattori, Shigeya Naritsuka, Kei Tsuge and Takahiro Maruyama
    誌名 : Journal of Research Institute of Meijo University
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 697 - 104
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (110) Si substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, T. Kondo, H. Otsubo, K. Saitoh, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 300(1) : 118 - 122
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (110)B GaAs substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, S. Matsuoka, T. Kondo, K. Saitoh, T. Suzuki, Y. Yamamoto and T. Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 301-30242 - 46
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : Fabrication of GaN dot structure by droplet epitaxy using NH2
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto, S. Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 301-302486 - 489
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : STM and XPS studies of early stages of carbon nanotube growth by surface decomposition of 6H-SiC(000-0) under various oxygen pressures
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, H. Bang, N. Fujita, Y. Kawamura, S. Naritsuka, M. Kusunoki
    誌名 : Diamond & Related Materials
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 161078 - 1081
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : GaAs/ c-GaN/ GaAs Multi-Layered Structure Fabricated by Using RF-Plasma Source Nitridation Technique
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Yamamoto, M. Mori, H. Otsubo, T. Maruyama and S. Naritsuka
    誌名 : Phys. Stat. sol.(c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42326 - 2329
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : Effect of substrate surface on GaN dot structure grown on Si(110) by droplet epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamoto T. Maruyama and S. Naritsuka
    誌名 : Phys. Stat. sol.(c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 42322 - 2325
    出版年月 : 2007年
  • タイトル : Low Temperature Synthesis of Carbon Nanotube on Si substrate Using Alcohol Gas Source in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Kenji Tanioku, Shigeya Naritsuka
    誌名 : Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1057II14-03 -
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : Effects of Ambient Oxygen on Initial Stage of Carbon Nanotube Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-0)
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Naomi Fujita, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
    誌名 : Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1057II05-26 -
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : Liquid-phase epitaxy of GaAs by temperature difference method to realize wide lateral growth
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, Y. Tejima, K. Fujie, T. Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3101642 - 1646
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : Optimization of initial growth in low-angle incidence microchannel epitaxy of GaAs on (000) GaAs substrates
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, S. Matsuoka, Y. Yamashita, T. Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3101571 - 1575
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : Low temperature growth of carbon nanotubes on Si substrates in high vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : Kenji Tanioku, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : Diamond Relat. Mater.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 17589 - 593
    出版年月 : 2008年
  • タイトル : マイクロチャネルエピタキシーによるSi基板上GaAsの結晶成長
    担当区分 : 単著
    著者 : 成塚重弥
    誌名 : 応用物理
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 78422 - 426
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Enhancement of Single-walled Carbon Nanotube Formation using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, Kuninori Sato and Shigeya Naritsuka
    誌名 : Materials Reserch Society Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1142 -
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Improvement of Carbon Nanotube Films on SiC Formed by Surface Decomposition by Hydrogen Perooxide Purification
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Fumiya Nakamura and Shigeya Naritsuka
    誌名 : Materials Reserch Society Proceedings
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1204 -
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Effect of crystallographic orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (000) GaAs substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida, Takahiro Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3111778 - 1782
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Influence of substrate temperature on nitridation of (001) GaAs using RF-radical source
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Takahiro Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3112992 - 2995
    出版年月 : 2009年
  • タイトル : Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K. Tanioku, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104095 - 4101
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 103929 - 3933
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC (000-1)
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama, S. Naritsuka
    誌名 : J. Nanotechnol. Nanosci.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 104054 - 4059
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : Effect of dislocation density on microchannel epitaxy of GaAs on GaAs/Si substrate
    担当区分 : 共著
    著者 : Yung-Sheng Chang, Shegeya Naritsuka, Tatau Nishinaga
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 312629 - 634
    出版年月 : 2010年
  • タイトル : SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al1Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 3181101 - 1104
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 318446 - 449
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 318450 - 453
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Effect of mask material on selective growth of GaN by RF-MBE
    担当区分 : 共著
    著者 : Yuki Nagae, Takenori Iwatsuki, Yuya Shirai, Yuki Osawa, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 32488 - 92
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : XPS study of nitridation mechanism of GaAs (001) surface by RF-radical source
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
    誌名 : physica status solidi (c)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 8291 - 293
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC: STM and NEXAFS study
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Kenta Amemiya
    誌名 : Diamond & Related Materials
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 201325 - 328
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Sumio Iijima
    誌名 : Materials Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1267 - 272
    出版年月 : 2011年
  • タイトル : XPS study of Low Temperature Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical source
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno and Takahiro Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51015602-1 - 015602-4
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : X-ray photoemission spectroscopy study of GaAs (110)B substrate naitridation using an RF-radical source
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi and Takahiro Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51048004-1 - 048004-2
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Band alignment of a carbon nanotube/n-type 5H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi
    誌名 : Appl. Phys. Lett.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 101092106-1 - 092106-4
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Surface modification of GaN substrate by atmospheric pressure microplasma
    担当区分 : 共著
    著者 : Kazuo Shimizu, Yuta Noma, Marius Blajan, Shigeya Naritsuka
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5108HB05-1 - 08HB05-5
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5106FD23-1 - 06FD23-4
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 352214 - 217
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on SiO1/Si substrates at very low pressures by the alcohol gas source method using a Pt catalyst
    担当区分 : 共著
    著者 : Yoshihiro Mizutani, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    誌名 : Diamond & Relat. Mater.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 2678 - 82
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Near-edge X-ray absorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubes grown by the surface decomposition of SiC
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, Toshiaki Ohta
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 51055102-1 - 055102-3
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Direct Growth of Carbon Nanotubes on ZnO(000-0) Substrate Surface using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : Takayasu Iokawa, Tomoyuki Tsutsui, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5101AH04-1 - 01AH04-4
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy of a-Plane GaN Grown by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    誌名 : Applied Physics Express
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5045501-1 - 045501-3
    出版年月 : 2012年
  • タイトル : Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, and Takahiro Maruyama
    誌名 : physica status solidi ©
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 10392 - 395
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    誌名 : J. Crystal. Growth
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 378303 - 306
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Effect of Supply Direction of Precursors on a-Plane GaN Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by Ammonia-Based Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
    担当区分 : 共著
    著者 : Shota Uchiyama, Chia-Hung Lin, Yohei Suzuki, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5209JE04 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Study of Thermal Crystallization of Ni Catalysis for Graphene CVD
    担当区分 : 共著
    著者 : Yusuke Kito, Hiroya Yamauchi, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    誌名 : J. Res. Inst. Meijo Univ.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1243 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Liquid Phase Electro-Epitaxy of c-plane GaN layer under atmospheric pressure
    担当区分 : 共著
    著者 : Daisuke Kanbayashi, Takeshige Hishida, Masahumi Tomita, Hiroyuki Takakura, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Res. Inst. Meijo Univ.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 1299 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Study on Surface Modifikation of GaN by Atmospheric Microplasma
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Shimizu, Y. Noma, M. Blajan, and S. Naritsuka
    誌名 : IEEE Transactions on Industry Applications
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Low-Temperature Single-Walled Carbon Nanotube Growth from Pt Catalysts Using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    著者 : Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5206GD02 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Formation of Carbon Nanotube/n-type 5H-SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC and Its Electric Properties
    担当区分 : 共著
    著者 : Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi, and Takahiro Maruyama
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5206GD01 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalysts by Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    著者 : Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, and Sumio Iijima
    誌名 : 2012 MRS Fall Meeting Proceedings, Manuscript ID MRSF13-1659-SS04-02.R1
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt catalysts by the Alcohol Gas Source Method under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence
    担当区分 : 共著
    著者 : Takahiro Maruyama, Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, and Shigyea Naritsuka
    誌名 : Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 38(4) : 585 -
    出版年月 : 2013年
  • タイトル : Behavior of defects in a-plane GaN films grown by low-angle-incidence microchannel epitaxy (LAIMCE)
    担当区分 : 共著
    著者 : Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki, and Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth, (in Press)
    出版年月 : 2014年
  • タイトル : Selective growth of (001) GaAs using a patterned graphene mask
    担当区分 : 共著
    著者 : Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama, and Shigeya Naritsuka
    誌名 : J. Cryst. Growth, (in Press)
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 401(9) : 563 - 566
    出版年月 : 2014年
  • タイトル : Selective growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using aluminium oxide mask
    担当区分 : 共著
    著者 : Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Muneki Iwakawa, Yosuke Mizuno, Junpei Yamada, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 53(11s) : 11RC06-1 - 11RC06-4.
    出版年月 : 2014年

講演・口頭発表等

  • タイトル : High yield synthesis and growth mechanism of carbon nanotube using alcohol gas source method in high vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Kenji Tanioku, Tomoyuki Shiraiwa, Shigeya Naritsuka
    会議名 : Ninth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT07)
    開催年月日 : 2008年06月29日
  • タイトル : Effect of crystal orientation of microchannel on low-angle incidence microchannel epitaxy on (001) GaAs substrate
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Shuji Matsuoka, Yuji Ishida and Takahiro Maruyama
    会議名 : Abstract of International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2007)
    開催年月日 : 2008年08月03日
  • タイトル : Fabrication of InN dot structures by droplet epitaxy using NH3
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Hiroaki Otsubo, Shoji Osaki, Takahiro Maruyama
    会議名 : XXI Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography(IUCr)
    開催年月日 : 2008年08月23日
  • タイトル : Dependence of SWNT growth yield on Al oxide buffer layer thickness by alcohol gas source method in high vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Maruyama, T. Shiraiwa, S. Naritsuka
    会議名 : 18th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2008)
    開催年月日 : 2008年09月07日
  • タイトル : Carbon Nanotube Growth by SiC Surface Decomposition in Hydrogen Ambient
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    開催年月日 : 2008年12月09日
  • タイトル : Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : K. Sato, T. Shiraiwa, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    開催年月日 : 2008年12月09日
  • タイトル : Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Maruyama K. Sato, Y. Mizutani, and S. Naritsuka
    会議名 : The IUMRS international Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    開催年月日 : 2008年12月09日
  • タイトル : Influence of Al oxide buffer layer for improving SWNT yield by alcohol gas source technique
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, and Shigeya Naritsuka
    会議名 : 2007 MRS Fall Meeting
    開催年月日 : 2008年11月30日
  • タイトル : Synthesis of double-walled carbon nanotube films and their field emission properties
    担当区分 : 共著
    講演者 : Huafeng Wang, Zhenhua Li, Kaushik Ghosh, Takahiro Maruyama, Mukul Kumar, Sake Inoue and Yoshinori Ando
    会議名 : Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT09)
    開催年月日 : 2009年06月21日
  • タイトル : Nitrogen-modulated Wet-chemical Decoration of Carbon Nitride/ZnO Hetero-junction Film Results Enhanced Field-emission Performance
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kaushik Ghosh, Mukul Kumar, Huafeng Wang, Takahiro Maruyama and Yoshinori Ando
    会議名 : Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT09)
    開催年月日 : 2009年06月21日
  • タイトル : XPS Study of Nitridation Mechanism of GaAs (001) Surface using RF-radical Source
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Yohei Monno, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi and Takahiro Maruyama
    会議名 : SemiconNano 2008
    開催年月日 : 2009年08月10日
  • タイトル : Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al2Ox Buffer Layer in Low Temperature Growth
    担当区分 : 共著
    講演者 : Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : 2009 MRS Fall Meeting
    開催年月日 : 2009年11月30日
  • タイトル : Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : 2009 MRS Fall Meeting
    開催年月日 : 2009年11月30日
  • タイトル : AlGaAs-based optical device fabricated on Si substrate using microchannel epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Kanbayashi, Y. Ando, T. Kawakami, S. Naritsuka, T. Maruyama
    会議名 : The TMS Annual Meeting & Exhibition
    開催年月日 : 2010年02月14日
  • タイトル : XPS study of Nitridation of GaAs(001) Surface using RF-radical Source
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Midori Mori, Yoshitaka Takeuchi, Yohei Monno, Takahiro Maruyama
    会議名 : The 36th International Symposium on Compound Semiconductors
    開催年月日 : 2010年05月31日
  • タイトル : Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
    会議名 : 10th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10)
    開催年月日 : 2010年06月27日
  • タイトル : Low angel incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : The 14th International Summer School on Crystal Growth (ISSCG-13)
    開催年月日 : 2010年08月01日
  • タイトル : Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月08日
  • タイトル : Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月08日
  • タイトル : Optimization of growth conditions for selective growth and lateral growth of GaN by RF-MBE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yuki Nagae, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Yuki Osawa
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月08日
  • タイトル : SWNT Growth on Al2Ox/Co/Al2Ox Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)
    開催年月日 : 2010年08月08日
  • タイトル : Carbon Nanotube Growth on ZnO substrate surfaces using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takayasu Iokawa, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    会議名 : 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    開催年月日 : 2011年03月06日
  • タイトル : Electric Property of CNT/SiC Interface formed by Surface Decomposition of SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Hiroyuki Yamane, Eiji Shigemasa, Nobuhiro Kosugi and Takahiro Maruyama
    会議名 : 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    開催年月日 : 2011年03月06日
  • タイトル : Growth mechanism of selective growth of GaN by RF-MBE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yuki Nagae, Yuki Osawa, Takenori IWATSUKI, Yuya SHIRAI, Shigeya Naritsuka and Takahiro Maruyama
    会議名 : 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    開催年月日 : 2011年03月06日
  • タイトル : Effect of growth temperature on surface morphology of selectively grown GaN layers by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. H. Lin, R. Abe, S. Uchiyama, Y. Uete, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop
    開催年月日 : 2011年03月20日
  • タイトル : Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Maruyama, S. Sakakibara, H. Ito, S. Naritsuka, K. Amemiya
    開催年月日 : 2011年05月16日
  • タイトル : [NH3]/ [TMG] flow ratio dependence of micro-channel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : C. H. Lin*, R. Abe, S. Uchiyama, Y. Uete, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : 4th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
    開催年月日 : 2011年05月22日
  • タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Pressure from Pt catalyst using Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka and Sumio Iijima
    会議名 : 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    開催年月日 : 2011年07月10日
  • タイトル : In-situ NEXAFS study of Initial Growth Process of Carbon Nanotube by Surface Decompositon of SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
    会議名 : 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
    開催年月日 : 2011年07月10日
  • タイトル : Lateral growth of GaN with Low Angle Incidence Microchannel Epitaxy by radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Yuki Nagae, Takenori Takatsuki, Yuya Shirai and Takahiro Maruyama
    会議名 : 15th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XVI)
    開催年月日 : 2011年06月19日
  • タイトル : Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy with [1-100]-direction microchannel
    担当区分 : 共著
    講演者 : Chia-Hung Lin, Ryota Abe, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    会議名 : 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy & 15th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (ACCGE18 & OMVPE15)
    開催年月日 : 2011年07月31日
  • タイトル : Microchannel epitaxy of GaN by NH3-based MOMBE
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka
    会議名 : Seminar on Molecular Beam Epitaxy (MBE) of GaAs and GaN
    開催年月日 : 2011年
  • タイトル : Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : N. Fukuoka, Y. Mizutani, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011)
    開催年月日 : 2011年
  • タイトル : Low angle incidence microchannel epitaxy of a-plane GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy --- Optimization of [NH3] / [TMG] ratio ---
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama and Takahiro Maruyama
    会議名 : 53rd Annual Electronic Materials Conference
    開催年月日 : 2012年06月20日
  • タイトル : Temperature dependence of a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    会議名 : 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides
    開催年月日 : 2010年07月16日
  • タイトル : Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Naritsuka, C.H. Lin, S. Uchiyama, and T. Maruyama
    会議名 : 7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    開催年月日 : 2012年09月23日
  • タイトル : Effect of supply direction of precursors on a-plane GaN low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    担当区分 : 共著
    講演者 : S. Uchiyama, C.H. Lin, Y. Suzuki, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : International Workshop on Nitride Semiconductors
    開催年月日 : 2012年10月14日
  • タイトル : Electric Property of CNT/n-type 5H-SiC Heterojunctions formed by Surface Decomposition of SiC
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Yajima, S. Sakakibara, S. Naritsuka and T. Maruyama
    会議名 : 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    開催年月日 : 2012年10月30日
  • タイトル : Low Temperature SWNT Growth from Pt Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    会議名 : 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
    開催年月日 : 2012年10月30日
  • タイトル : SWNT Growth from Pt Catalyst at Very Low Pressures by the Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Takahiro Maruyama, Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka
    会議名 : 2011 MRS Fall Meeting & Exhibit
    開催年月日 : 2012年11月25日
  • タイトル : Liquid-Phase Electroepitaxy of GaN at atmospheric pressure using ammonia and Ga-Ge solution
    担当区分 : 共著
    講演者 : D. Kanbayashi, T. Hishida, M. Tomita, H. Takakura, T. Maruyama and S. Naritsuka
    会議名 : 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
    開催年月日 : 2013年05月19日
  • タイトル : Low temperature synthesis and growth mechanism of single-walled carbon nanotubes from Pt catalyst in the alcohol gas source method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroki Kondo,Naoya Fukuoka ,Shigeya Naritsuka ,Takahiro Maruyama
    会議名 : The Fourteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT12)
    開催年月日 : 2013年06月24日
  • タイトル : Selective growth of (000) GaAs with graphene mask
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yujiro Hirota and Shigeya Naritsuka
    会議名 : 14th Interanational Summer School on Crystal Growth
    開催年月日 : 2012年08月04日
  • タイトル : Behavior of Defects in a-Plane GaN Films Grown by Low-Angle-Incidence Microchannel Epitaxy (LAIMCE)
    担当区分 : 共著
    講演者 : Noriyuki Kuwano, Yuki Ryu, Masatoshi Mitsuhara, Chia-Hung Lin, Shota Uchiyama, Takahiro Maruyama, Yohei Suzuki and Shigeya Naritsuka
    会議名 : 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2013年08月11日
  • タイトル : c-plane GaN selective growth by liquid phase electroepitaxy under atmospheric pressure
    担当区分 : 共著
    講演者 : Shigeya Naritsuka, Daisuke Kambayashi, Hiroyuki Takakura, Masafumi Tomita, Takahiro Maruyama
    会議名 : 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2013年08月11日
  • タイトル : Selective growth of (0 0 1) GaAs using patterned graphene mask
    担当区分 : 共著
    講演者 : Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama and Shigeya Naritsuka
    会議名 : 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    開催年月日 : 2013年08月11日
  • タイトル : Carbon Nanotube/n-type SiC Heterojunction by Surface Decomposition of SiC: Growth and Electric Property
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Yajima, S. Naritsuka, T. Maruyama
    会議名 : 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
    開催年月日 : 2013年12月01日
  • タイトル : Single-Walled Carbon Nanotube Growth with Narrow Diameter Distribution from Pt Catalyst by Alcohol Gas Source Method
    担当区分 : 共著
    講演者 : Hiroki Kondo, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima
    会議名 : 2013 MRS Fall Meeting & Exhibit
    開催年月日 : 2013年12月01日
  • タイトル : Study on Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Gas Source Method Using Ethanol in High Vacuum
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Kondo, R. Ghosh, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    会議名 : 6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    開催年月日 : 2014年03月02日
  • タイトル : Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts by Hot-Filament Assisted Chemical Vapor Deposition
    担当区分 : 共著
    講演者 : Y. Swaki, Y. Nakashima, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    会議名 : 6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    開催年月日 : 2014年03月02日
  • タイトル : Selective growth of GaN by Liquid Phase Electroepitaxy using Al2O2 mask
    担当区分 : 共著
    講演者 : H. Takakura, M. Tomita, D. Kambayashi, M. Iwakawa, Y. Misuno, J. Yamada, S. Naritsuka, and T. Maruyama
    会議名 : 6th Int. Symp. Advanced Plasma Sci. and its Appl. for Nitrides and Nanomaterials, 7th Int. Con. On Plasma-Nano Tech. & Sci.
    開催年月日 : 2014年03月02日

外部資金

  • 申請年度 : 2011年度
    提供機関 : (独)科学技術振興機構(JST)
    制度名 : 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)フィージビリティスタディ(FS)ステージ探索タイプ
    タイトル : グラフェンを用いた電気自動車用配線材料の作製方法の開発
    研究期間 : 2011年12月01日-2012年07月31日
    代表者 : 成塚 重弥
  • 申請年度 : 2009年度
    提供機関 : (独)科学技術振興機構(JST)【JSTイノベーションプラザ東海】
    制度名 : 地域イノベーション創出総合支援事業 重点地域研究開発推進プログラム「シーズ発掘試験」
    タイトル : 温度差法を用いた持続的成長が可能な液相成長技術の開発
    研究期間 : 2009年07月01日-2010年03月31日
    代表者 : 成塚 重弥
  • 申請年度 : 2006年度
    提供機関 : (独)科学技術振興機構(JST)【旭光電機㈱】
    制度名 : 革新技術開発研究事業
    タイトル : 「乳牛の乳房炎リアルタイム診断用小型近赤外線分光分析装置の開発」の多波長発光型近赤外LEDの開発に関する研究
    研究期間 : 2006年11月01日-2009年03月31日
    代表者 : 成塚 重弥
  • 申請年度 : 2009年度
    提供機関 : 文部科学省
    制度名 : 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(C)
    タイトル : 表面分解法によるカーボンナノチューブ/SiCヘテロ接合の作製と物性評価
    研究期間 : 2009年-2012年
    代表者 : 理工学部・教授・丸山隆浩
  • 申請年度 : 2010年度
    提供機関 : 文部科学省
    制度名 : 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)
    タイトル : Si集積回路の限界打破のための結晶成長からのアプローチ
    研究期間 : 2010年-2013年
    代表者 : 成塚 重弥
  • 申請年度 : 2006年度
    提供機関 : 文部科学省
    制度名 : 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(B)
    タイトル : 光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
    研究期間 : 2006年-2009年
    代表者 : 成塚 重弥
  • 申請年度 : 2013年度
    提供機関 : 文部科学省
    制度名 : 挑戦的萌芽研究
    タイトル : 液相エピタキシャル成長法による高品質グラフェンの作製
    研究期間 : 2013年-2015年
    代表者 : 丸山 隆浩
  • 申請年度 : 2013年度
    提供機関 : 文部科学省
    制度名 : 特別推進研究
    タイトル : 分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
    研究期間 : 2013年-2015年
    代表者 : 名古屋大学・工学研究科・教授・天野 浩


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