竹内 哲也 タケウチ テツヤ

■所属
理工学部 材料機能工学科
■職名
教授
■性別
男性

基本情報

大学院その他

  • 理工学研究科 電気電子・情報・材料工学専攻 准教授
  • 理工学研究科 材料機能工学専攻 准教授

学歴

  • 1999/03 名城大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻博士後期課程 修了
  • 1999/03- 

学会

  • 2011年09月 - 国際固体素子・材料コンファレンス 実行委員               
  • 2012年10月 - 窒化物半導体国際ワークショップ 実行委員                
  • 2013年12月 - IEEE membership                             
  • 2014年03月 - ISPlasma/IC-PLANTS2014 実行委員                    
  • 2014年06月 - 日本結晶成長学会会員                          
  • 2014年12月 - 2014 MRS Fall meeting Symposium T: Symposium organizer       

研究活動

研究分野

  • 半導体工学
  • 光デバイス

教育研究への取り組み・抱負

  • 【教育研究の抱負】・社会に貢献する研究成果を上げる・社会に貢献できる人材を輩出する【そのための取り組み】・本質の理解・総合的判断に必要な知識の習得を促す・上記知識に裏付けられた主体的な行動の実践を促す

著書

  • タイトル : III-V Nitride Semiconductors: Applications and Devices
    著者 : T. Takeuchi. C. Wetzel, H.Amano and l. Akasaki
    出版社 : Gordon and Breach Science Publishers, New Jersey
    出版年月 : 2003年06月
    担当区分 : 分担執筆
    担当範囲 : Piezoelectric Effect in Group-III Nitride-Based Heterostructures and Quantum Wells(pp399-438)

学術論文

  • タイトル : Trench-Shaped Defects on AlGaInN Quantum Wells Grown under Different Growth Pressures
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Suzuki, M. Kaga, K. Naniwae, T. Kitano, K. Hirano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JB27 -
    出版年月 : 2013年07月
  • タイトル : Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based light emitting diodes with tunnel junctions
    担当区分 : 共著
    著者 : Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JK12 -
    出版年月 : 2013年08月
  • タイトル : GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes
    担当区分 : 共著
    著者 : M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JH06 -
    出版年月 : 2013年05月
  • タイトル : Carrier injections in nitride-based light emitting diodes including two active regions with Mg-doped intermediate layers
    担当区分 : 共著
    著者 : K. Matsui, K. Yamashita, M. Kaga, T. Morita, T. Suzuki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JG02 -
    出版年月 : 2013年05月
  • タイトル : Investigations of polarization-induced hole accumulations and vertical hole conductions in GaN/AlGaN heterostructures
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 5208JJ05 -
    出版年月 : 2013年05月
  • タイトル : Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi. C. Wetzel , S.Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano,I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa,Y. Yamaoka and N. Yamada
    誌名 : Appl. Phys. Lett.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 731691 - 1693
    出版年月 : 1998年09月
  • タイトル : Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchu H. Amano andI. Akasaki
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 39413 - 416
    出版年月 : 2000年02月
  • タイトル : GaN-Based Light Emitting Diodes with Tunnel Junctions
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi, G. Hasnain,S. Corzine, M. Hueschen, R.P.Schneider, Jr., C. Kocot, M. Blomqvist,Y.-L. Chang, D. Lefforge,M.R. Krames, L.W. Cook and S.A.Stockman
    誌名 : Jpn.J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 40L861 - L863
    出版年月 : 2001年08月
  • タイトル : Al Gettering for InGaAsN in Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    担当区分 : 共著
    著者 : T. Takeuchi, Y.-L. Chang, M.Leary, D. Mars, H.-C. Luan, S.D. Roh,L. Mantese, Y.K. Song, A, Tandon, R・Twist, S. Belov, D. Bour, M. Tan
    誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    [巻]([号]):[開始頁]-[終了頁] : 43L1085 - L1087
    出版年月 : 2004年07月

講演・口頭発表等

  • タイトル : Laser Illuminations: Prospects of Blue VCSELs
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : LED JAPAN Strategies in Light 2014
    開催年月日 : 2014年10月
  • タイトル : Nitride-based tunnel junctions as an alternative hole injection
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : International workshop on nitride semiconductors 2014
    開催年月日 : 2014年08月
  • タイトル : Nitride-based optoelectronic devices utilizing tunnel junctions
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    会議名 : 2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices
    開催年月日 : 2014年08月
  • タイトル : An alternative hole injection: Nitride-based tunnel junctions
    担当区分 : 共著
    講演者 : T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
    会議名 : International conference on metamaterials and nanophysics 2014
    開催年月日 : 2014年04月
  • タイトル : キャリアオーバーフロー抑制に向けたnp接合GaInN-LED
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第86回研究会
    開催年月日 : 2013年10月
  • タイトル : 窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用
    担当区分 : 共著
    講演者 : 竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
    会議名 : 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
    開催年月日 : 2013年06月


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